Транзисторы достигли переломного момента на 3-нанометровом техпроцессе

Полупроводниковая промышленность впервые более чем за десятилетие вносит серьезные изменения в транзисторы нового типа, двигаясь к структуре следующего поколения, называемой с затвором по всему периметру (GAA). Хотя в каталогах транзисторов устройств GAA еще нет в продаже, многие отраслевые эксперты задаются вопросом, как долго продержится эта технология и какая новая архитектура заменит ее. Промышленность оценивает несколько транзисторов-кандидатов, но у каждого есть технические пробелы. Потребуются огромные ресурсы и инновации, чтобы разработать хотя бы одного кандидата для успешного ...

Резисторы Caddock — качество, проверенное временем

Несмотря на кажущуюся простоту, резисторы являются важными элементами многих электронных схем, от качества изготовления которых часто зависит надежность и срок службы проектируемого оборудования. Компания Caddock Electronics, имеющая более чем полувековую историю, предлагает широкую линейку резисторов и резисторных сборок в различном корпусном исполнении. В данной обзорной статье рассматриваютс...

Силовые блоки на основе мощных фототиристоров

Статья продолжает цикл публикаций, посвященных силовым блокам на основе отечественных фототиристоров [1]. Представлены результаты разработок и примеры конструирования высоковольтных коммутаторов тока для импульсных применений.

Модули серии Infineon EconoDUAL 3 Black: хорошо известные преимущества и новые особенности

В статье представлен обновленный модуль Infineon EconoDUAL 3 Black, описано, как обеспечивается баланс между внедрением новых функций и сохранением проверенных и испытанных свойств. Анализируются параметры нового модуля FF600R12BE7_B11(BE7), в котором использованы технологии IGBT 1200 В TRENCHSTOP IGBT7, и диодов EC7 с управляемым эмиттером.

IGBT до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск IGBT в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер 600–1200 В и диапазоном токов 10–75 А. Основные сферы применения транзисторов: приборы высокочастотной коммутации; резонансные преобразователи; источники бесперебойного питания; сварочные преобразователи.

Высокоэффективные силовые модули на основе SiC для широкого спектра применений

В настоящее время силовые транзисторные модули на основе карбида кремния (SiC) находят все более широкое применение там, где требуется повышенный КПД преобразователя или снижение его массогабаритных показателей. Диапазон мощности таких применений весьма разнообразен: от бытовых кондиционеров и зарядных устройств до промышленных и даже тяговых железнодорожных приводов. В статье приводится актуа...

Электролитические конденсаторы для силовой электроники от CapXon

Компания CapXon представила новые модели в сериях электролитических конденсаторов RU и RH, призванных конкурировать с High Ripple Current (высокий ток пульсаций) моделями TDK/Epcos. Параметрические данные для сравнения: Параметр RU серия RH серия B43704/B43724 (TDK/Epcos) Напряжение, В 200–500 16–450 350–550 Доступные емкости, мкФ 1000–33000 220–47000 820–22000 Рабочий температурный диапазон, °C –40…+85 –40…+105 –40…+85 Срок службы при +85/+105°C, Vном, Iном, ч 12000 8000 ...

Драйвер IGBT: «ядро» или plug-and-play?
Базовые принципы и основные схемы

Поведение современных силовых ключей MOSFET/IGBT/SiC в динамических режимах во многом определяется характеристиками устройства управления затвором (драйвера). Определение параметров драйвера для конкретного силового модуля в заданных условиях применения — задача достаточно непростая и усложняется при необходимости работы с параллельным соединением ключей или на высокой частоте коммутации, когда...

Конструктивные особенности и применение IGBT исполнения Press-Pack компании CRRC Times Semiconductor

Компания CRRC Times Semiconductor (Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.) — дочерняя компания CRRC, ведущего мирового поставщика силовых полупроводниковых приборов и систем управления для подвижного состава и владельца известной торговой марки Dynex — разработала два новых варианта IGBT-модулей. Благодаря использованию новых чипов и ноу-хау в части корпусирования, они отличаются малой собственн...

IGBT Gen. 7 в трехуровневых преобразователях. Часть 1

Всякий раз, когда качество сигнала и эффективность преобразования являются основными требованиями, предъявляемыми к силовой электронной системе, разработчики обращаются к трехуровневым схемам. Одним из примеров служат конвертеры для возобновляемых источников энергии, где использование последнего, 7-го поколения IGBT [1, 2] в 3L-топологии обеспечивает кардинальное улучшение характеристик.