Компания Fuji Electric представляет новый продукт в хорошо известном корпусе для увеличения выходной мощности IGBT-модулей за счет использования технологии RC-IGBT (IGBT с функций обратной проводимости). Модули PrimePACK 3 и 3+ (рис. 1) с номинальным напряжением 1700 и 1200 В применяются в приложениях с высокой мощностью. 
В статье представлены результаты разработки полупроводниковых ключей на импульсные токи до 300 кА, напряжение до 25 кВ на основе реверсивно-включаемых динисторов для мощных твердотельных энергетических систем. Дано описание конструкции и особенности работы реверсивно-включаемых динисторов в типовой схеме коммутирующего устройства, их основные параметры и характеристики. Представлены также вспом... 
В силовых преобразователях широко используются снабберные цепи для контроля выбросов напряжения, повышения эффективности и минимизации электромагнитных помех. В этой статье обсуждаются некоторые варианты схем и основы их проектирования, а также измерение параметров снаббера с примерами подводных камней и лучших методов для получения точных результатов. 
Новая система высоковольтного подключения BCON+ от TE Connectivity представляет собой универсальное, компактное, надежное и безопасное решение для соединения элементов тяговой батареи и точек подключения высокого напряжения вне батареи. Она безопасна для прикосновений в несопряженном и сопряженном состоянии. Система BCON+ обеспечивает прочное соединение и чрезвычайно низкое контактное сопротивл... 
Компания AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением –5/+18 В — A2G100N1700MT4.
В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS –5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии.
Основные параметры A2G100N1700MT4:
напряжение сток-исток: 1700 В;
ток (при +25 °C): 100 A;
Rds(On): 25 мОм;
управляющее напряжение затвор-исток: –5/+18 В;
тип корпуса: TO-247-4;
суммарный заряд затвора: 168 нКл;
максимальная температура ... 
Компания AMG Power расширила линейку IGBT-модулей 1200 В двумя модулями 12-го класса — на 600 и 900 А.
Партномер
Напряжение VCES, В
Ток IC, А
Корпус
Топология
AMG600G1200MED
1200
600
Econodual
полумост
AMG900G1200MED
1200
900
Econodual
полумост
Применение модулей:
управление приводами;
инверторы солнечных панелей;
преобразователи высокой мощности;
ИБП.
Преимущества:
низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С);
затвор IGBT-чипа по технологии MPT ... 
В настоящее время отечественные разработчики и эксплуатанты электронной аппаратуры вынуждены искать альтернативных поставщиков компонентов. В области силовой электроники решение данной задачи облегчается благодаря предоставленному специалистами китайской компании Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. перечню IGBT-модулей своего производства, аналогичных IGBT-модулям, выпускаемым компаниями... 
Улучшение тепловых характеристик может быть достигнуто за счет использования «волновой» концепции подключения базовой платы силового модуля, даже если все другие элементы остаются неизменными. 
Компания «ИДМ-ПЛЮС» специализируется на разработке и производстве микросхем, датчиков и устройств, в состав которых входит в том числе отечественная элементная база. В структуре компании имеется собственный дизайн-центр проектирования специализированных интегральных микросхем, разработки которого активно внедряются в серийную продукцию. Например, разработанная микросхема датчика магнитного поля... 
В ассортименте продукции компании SEMIKRON компоненты серии SEMITOP — самые компактные. Они рассматриваются как альтернатива дискретным транзисторам, предназначенным для производства преобразователей мощностью от единиц до десятков киловатт. При этом модули SEMITOP выпускаются в изолированных корпусах и содержат практически все применяемые в силовой электронике преобразовательные и выпрямительн... 