Динамические характеристики SiC-диодов Шоттки
В статье описаны основные особенности карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC SBD) и их отличия от так называемых тельных (технологических) p-n-диодов MOSFET. Компоненты силовой электроники
В статье описаны основные особенности карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC SBD) и их отличия от так называемых тельных (технологических) p-n-диодов MOSFET. Высоковольтный автомобильный контактор EVC 250 TE Connectivity
Контактор EVC 250 предназначен для применения в системах питания гибридных приводов, полностью электрических транспортных средствах и транспортных средствах на топливных элементах, а также в бортовых системах зарядки. В комбинации предохранителей и реле контактор используется для гальванической развязки, он был специально разработан специалистами компании TE Connectivity с учетом требований для... Технология GaN: вызовы и перспективы развития
Рынок силовых приборов на основе технологии GaN стремительно растет, что обусловлено спросом на все более эффективные преобразовательные системы. Повышение эффективности автономных импульсных источников питания (SMPS) при переходе на SiC MOSFET Wolfspeed
Технология карбида кремния (SiC) позволила усовершенствовать компоненты систем и подсистем в различных областях применения. По сравнению с кремнием (Si) приборы на основе SiC демонстрируют большую плотность мощности и эффективность за счет высокой скорости переключения, плоской характеристики зависимости RDS(on) от температуры и лучших параметров body-диодов. В статье речь идет о том, как SiC-к... Воздействие влажности и конденсации на работу силовых электронных систем
Общеизвестно, что вода в жидкой форме может негативно воздействовать на работу электрических цепей из-за наличия электропроводности и коррозионной активности. Менее известны, но не менее важны эффекты, создаваемые водой в газообразном состоянии. Здесь мы более подробно рассмотрим вопрос о том, как влажность и образование конденсата влияет на работу силовых электронных систем, а также дадим реко... SiC-модули «Мицубиси Электрик»:
новый уровень энергоэффективности электропоездов
На протяжении последних лет на мировом рынке полупроводников (п/п) в малом и среднем диапазоне мощностей наблюдается устойчивая тенденция по замещению классических кремниевых транзисторных модулей карбид-кремниевыми аналогами (SiC). Это позволяет создавать более компактные промышленные преобразователи, инверторы для возобновляемой энергетики, ИБП, а также повышает их эффективность. В статье реч... Компактные модули IGBT MiniSKiiP: инструкция по применению
Миниатюрные модули семейства MiniSKiiP необычайно популярны на рынке силовой электроники. Сегодня более 20 млн таких силовых ключей работает в частотных преобразователях ведущих европейских производителей: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Vacon. Около 70% этих устройств — моторные приводы, исполнительные механизмы промышленных роботов, прессов и к... IGBT-модуль 1200 В 450 А от AMG Power
Номенклатура IGBT-модулей компании AMG Power пополнилась устройством AMG450G1200MED, рассчитанным на 1200 В, 450 А и выполненным в корпусе типа Econodual.
Параметры и преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED:
напряжение UCES: 1200 В;
ток IC: 450 А;
конфигурация: полумост;
корпус: Econodual;
низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С);
затвор IGBT-чипа по технологии MPT (micro-pattern trench);
низкие потери при переключении;
надежность RBSOA;
низкие потери при обратном восстановлении;
низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн.
... Больше мощности с технологией RC-IGBT
Компания Fuji Electric представляет новый продукт в хорошо известном корпусе для увеличения выходной мощности IGBT-модулей за счет использования технологии RC-IGBT (IGBT с функций обратной проводимости). Модули PrimePACK 3 и 3+ (рис. 1) с номинальным напряжением 1700 и 1200 В применяются в приложениях с высокой мощностью. РВД-ключи для мощных твердотельных энергетических систем
В статье представлены результаты разработки полупроводниковых ключей на импульсные токи до 300 кА, напряжение до 25 кВ на основе реверсивно-включаемых динисторов для мощных твердотельных энергетических систем. Дано описание конструкции и особенности работы реверсивно-включаемых динисторов в типовой схеме коммутирующего устройства, их основные параметры и характеристики. Представлены также вспом...