Промышленное использование современных приборов контроля параметров электрических цепей

В статье затронуты вопросы разработки и применения современных преобразователей (датчиков) измерения тока и напряжения производства НПО «Горизонт Плюс». Показаны возможности применения подкласса этих преобразователей — разъемных датчиков тока. Приведены примеры промышленного использования приборов этого класса: клещей-адаптеров серии КТ, которые внесены в Госреестр СИ РФ. Подробно описаны функц...

SiC MOSFET в корпусе с инновационной конфигурацией выводов от AMG Power

Компания AMG Power расширила линейку карбид-кремниевых MOSFET решением в корпусе TO247-4S с уникальной конструкцией «два толстых, два тонких» вывода. Инновация заключается в физическом разделении силового и управляющего контуров: два массивных вывода предназначены для протекания основного тока (сток и силовой исток), а два тонких — для передачи управляющих сигналов (затвор и кельвиновский исток). Такой подход позволяет эффективно подавить влияние паразитной индуктивности истока на драйвер затвора, что критически важно для высокоскоростных переключающих приложений. В отличие от классических ...

HPD Technicon: силовые модули для гибридного и электрического транспорта

Силовые ключи, работающие в тяговых транспортных приводах, подвергаются постоянному воздействию высоких перепадов температуры. Жесткие тепловые режимы, неоптимальные условия охлаждения ограничивают мощностные характеристики полупроводниковых модулей и сокращают срок их службы. Рынок электротранспорта нуждается в специализированных приборах, способных функционировать в жестких климатических усло...

SiC JFEТ от компании Onsemi

Бурное развитие индустрии облачных сервисов и рост количества различных дата-центров требует все большего объема электроэнергии. Очевидно, что в таких условиях наиболее востребованы решения, позволяющие снизить энергозатраты, а также увеличить плотность мощности. Одним из вариантов решения проблемы является увеличение КПД систем питания. В статье представлены перспективные приборы 4-го поколени...

Цифровые датчики напряжения — очередной шаг развития

В статье приведены данные о сертификации серийной датчиковой продукции от российского производителя и проанализированы новые требования, которые предъявляет рынок к первичным преобразователям. На примере датчика напряжения рассмотрены возможности измерения различных видов напряжений, основные требования и методы их реализации в конструкции аналогового датчика. Представлена конструкция и описаны...

Высоковольтные SiC-диоды Шоттки 4-го поколения от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала начало серийного производства линейки высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD) — передовых полупроводниковых приборов, созданных для применения в современных силовых электронных системах. Диоды представлены в нескольких типоразмерах корпусов — TO-220C-2L, TO-247-2, TO-247-3, TO-252 и TO-263-2 и охватывают широкий диапазон напряжений: 650, 1200 и 1700 В. Благодаря использованию технологий Gen 4 SiC, новые диоды обеспечивают низкое прямое падение напряжения (от 1,27 В), малую емкость перехода и высокую устойчивость к импульсным токам, что ...

Обзор СВЧ-компонентов для космических и ответственных применений от Qatron

В обзоре элементной СВЧ-базы, предназначенной для космической отрасли и применений с повышенными требованиями к надежности, представлены изделия компании Qatron. Это, в частности устройства на базе GaAs, GaN, Si/SiGe, а также вакуумные приборы и пассивные компоненты — от ПАВ-фильтров до ферритовых циркуляторов и MEMS-решений. Большое внимание уделено специфике кастомизации СВЧ-продукции, где каждый компонент адаптируется под конкретный проект. В отличие от стандартизированных цифровых ИС, здесь возможна гибкая модификация электрических параметров, корпусного исполнения и перечня ...

Приборы на основе нитрида галлия для преобразователей напряжения и частоты

В статье анализируется динамика рынка СПП и отмечается, что полевые GaN-транзисторы успешно вытесняют приборы на основе Si и конкурируют с приборами SiC в части наиболее технологичных применений СВЧ-связи, радиолокации, электропривода, а также в преобразователях напряжения и частоты. Приведены характеристики материалов и свойств GaN-приборов. Выполнено сравнение характеристик GaN-транзисторов и...

SiC-диод 1200 В 100 А при +150 °C от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала высоковольтный карбид-кремниевый (SiC) диод Шоттки A2G100D1200DT2, рассчитанный на напряжение 1200 В и способный пропускать постоянный ток до 100 А при температуре корпуса +150 °C. Диод A2G100D1200DT2 способен выдерживать кратковременный пиковый ток до 270 А при +25 °C, а также импульсный ток 550 А. Благодаря SiC-технологии, он демонстрирует нулевой ток обратного восстановления, отсутствие прямого перенапряжения при включении и температуру перехода до +175 °C, что обеспечивает исключительную надежность и стабильность в условиях высоких нагрузок. Основные ...

Надежное обеспечение питания для высоковольтных систем OBC в новых электрических транспортных средствах: высокопроизводительные конденсаторы YMIN

По мере того как новые электрические транспортные средства продвигаются к высокомощной быстрой зарядке, двунаправленному потоку энергии и более высокой системной интеграции, также развивается и технология бортовых зарядных устройств (OBC). Высоковольтные платформы переходят с 800 на 1200 В, что делает надежные конденсаторы необходимыми для быстрой и надежной зарядки.