Модули серии Б0 запущены в массовое производство от «Протон-Электротекс»

Компания «Протон-Электротекс» сообщает о запуске серийного производства однопозиционных диодных и тиристорных модулей Б0. Модули Б0 имеют конструкцию с улучшенными электрическими и тепловыми параметрами, что позволило разработчикам обеспечить значение IFAV/ITAV до 700 А. Диапазон напряжения UDRM/URRM варьируется в пределах 1000–6500 В. При этом новые модули получили корпус промышленного стандарта с шириной основания 50 мм, что упростит их применение в существующем оборудовании. Серия Б0 имеет следующие основные особенности: прижимная конструкция модуля; корпус промышленного ...

Трехуровневые преобразователи: инструкция по эксплуатации

Данное руководство посвящено особенностям работы трехуровневой схемы с фиксированной нейтралью 3L NPC (3-level Neutral Point Clamped). Рассмотрен принцип работы преобразователя, требования к его конструкции, а также преимущества и недостатки 3L топологии по отношению к традиционному инвертору.
Главным достоинством топологии 3L NPC является низкий коэффициент гармоник выходного тока, что д...

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах

Несмотря на значительное развитие преобразовательной техники на базе полностью управляемых полупроводниковых ключей (IGBT, GTO, IGCT), для ряда областей применения, особенно в высокомощной и высоковольтной силовой электронике, по-прежнему технически оправданным и востребованным остается применение «традиционных» мощных тиристоров.
В статье рассмотрены основные тенденции развития этого типа с...

Диоды и тиристоры — это очень просто. Часть 1. Общие вопросы

Инженеры «со стажем», возможно, помнят замечательные книги Е. Айсберга, вышедшие в русском переводе в далеком 1967 г.: «Радио — это очень просто» и «Телевидение — это очень просто». Путь многих хороших специалистов в радиоэлектронике начинался именно с них. Предлагаемая вашему вниманию статья является попыткой возродить хорошую традицию, однако мы не станем вести речь ab ovo и будем считать, чт...

Повышая скорость: SiC-модули Mitsubishi Electric

Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен...

Мощные IGBT-модули Dynex для диапазона напряжений 3,3–6,5 кВ

Динамически меняющийся рынок силовой электроники демонстрирует все возрастающую потребность в эффективных, надежных и энергоемких системах, предназначенных для самых различных отраслей промышленности. Спрос на такие системы побуждает разработчиков и конструкторов максимально быстро внедрять новые технологии преобразователей энергии и управляемых приводов, выполненных на основе IGBT-модулей. Ком...

Особенности управления SiC MOSFET

Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве. По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...

Характеристики переключения мощных фототиристоров с новыми волоконно-оптическими модулями управления

В статье представлены характеристики включения новых мощных высоковольтных фототиристоров и информация об оптических драйверах управления, предназначенных для использования в различных силовых схемах, в том числе — выпрямителях, инверторах, ключах переменного тока, импульсных коммутаторах тока.

Ключи к возрождению производства российской силовой электроники Часть 2

В статье проведен анализ компонентной базы изделий средств вторичного электропитания силовой электроники в период до распада государства СССР, то есть в последние 25 лет прошлого столетия. Отмечены достижения прошлых лет в производстве компонентов и узлов на основе гибридной технологии. Выполнен обзор применения структур и функциональных схем драйверов зарубежного и отечественного производства....

Диоды и тиристоры — это очень просто! Часть 4. Структура и принцип работы

Знание принципов работы полупроводниковых приборов необходимо специалистам, занимающимся проектированием преобразовательной техники. Мы продолжаем рассмотрение базовых вопросов, связанных со структурой диодов и тиристоров и их электрическими характеристиками.