Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях

Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.

Принципы проектирования компании «Протон-Электротекс» на примере линейки новых однопозиционных модулей с шириной основания 50 мм

В 2021 году АО «Протон-Электротекс» приступило к серийному производству однопозиционных модулей с максимально допустимым средним током в открытом состоянии до 700 А. В статье отражены основные принципы, применяемые в компании при разработке новых продуктов, а также приведена сравнительная информация по основным параметрам приборов линейки.

Шаг вперед к миниатюризации измерителей тока в системах преобразования энергии

Современные системы преобразования энергии должны становиться все более эффективными, малогабаритными и дешевыми. В рамках этих требований швейцарская компания LEM использовала свой огромный опыт в области электрических измерений для создания однокристальных датчиков тока HMSR. Традиционно ток измеряется с помощью датчиков прямого усиления на эффекте Холла. Создаваемое током магнитное поле, кон...

Теплопроводящий материал Thermal Interface Material для нового семейства модулей XM3 Wolfspeed

Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.

SEMIKRON: цифровые драйверы и адаптеры нового поколения

Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач. Рынок требует непрерыв...

Влияние топологии многокристальных IGBT-модулей на распределение тока между транзисторными чипами в статических режимах работы

Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам...

Драйверы управления IGBT производства АО «Ангстрем»

Управление мощными преобразователями, силовыми машинами, электродвигателями, приводами, автономными источниками электропитания крайне важно для транспорта, станкостроения, электроэнергетики, промышленности и в целом имеет для экономики большое значение. Электронная компонентная база (ЭКБ), используемая в системах управления, напрямую влияет на безопасность, надежность, энергоэффективность, масс...

Высоковольтный изолированный драйвер затвора IGBT-транзисторов

В статье приведена краткая информация о структуре и основных характеристиках высоковольтного изолированного драйвера затвора IGBT-транзисторов со встроенным контроллером обратноходового DC/DC-преобразователя ADuM4138, выпускаемого компанией Analog Devices. Представлена типовая схема включения драйвера, а также даны общие сведения об оценочной плате для тестирования драйвера.

Новые SiC-модули XM3 — для снижения размеров, веса и стоимости силовых преобразователей

Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.

Вы за SiC или кремний?
Часть 2. Современные тенденции применения SiC-устройств и технологии корпусирования

Это вторая статья, продолжающая цикл из шести статей, в которых будут рассмотрены преимущества и проблемы изготовления и применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — дать систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и области ее применения.