Мостовой контроллер со сдвигом фазы для высоковольтных систем

В статье представлен мостовой контроллер со сдвигом фазы LTC1922-1 компании Analog Devices, который обеспечивает эффективное преобразование энергии с гальванической изоляцией в высоковольтных системах.

Отечественная сборка Plug-and-Play на базе драйверного ядра ДР8/1700 от АО «Ангстрем»

АО «Ангстрем» разработало полностью отечественное устройство Plug-and-Play, основанное на изделиях собственного производства — драйвере управления ДР8/1700, адаптере АДР 1200/1700, cиловом IGBT-модуле в корпусе МПК-62-3, аналогичном корпусу EconoDUAL.

Седьмое поколение IGBT в трехуровневых преобразователях. Часть 2

Статья продолжает тему, начатую в «Силовой электронике» № 4’2021. Принцип работы многоуровневой схемы прост: модули или инверторные ячейки соединяются последовательно, за счет этого напряжение питания устройства может быть выше блокирующей способности отдельных ключей. Подобное решение позволяет формировать «многоступенчатый» выходной сигнал, снизить уровень гармонических искажений и отказаться...

IGBT модули FUSIMI: SP75R12B6 и SF300R12E6

Компания FUSIMI предлагает российским заказчикам IGBT модули SP75R12B6 и SF300R12E6 со склада со сроком поставки 28 дней в любой регион России. Количесво предлагаемых модулей – по 100 экз. Оплата в России.   SP75R12B6 Основные характеристики и стоимость SP75R12B6 Параметр Значение Напряжение коллектор-эмиттер VCES при Tvj=+25℃, В 1200 Непрерывный ток коллектора постоянного тока IC nom при TC=+100℃, Tvj max=+175℃, А 75 Повторяющийся пиковый ток коллектора ICRM при tP=1 ms, А 150 Суммарная рассеиваемая мощность Ptot ...

Релейные тенденции в автоматизации производства

Растущая роль автоматизации будет иметь все более решающее значение, помогая производственным предприятиям повышать уровень производительности и сокращать потери. Поддержка непрерывной работы оборудования и роботизированных систем, а также сокращение простоев из-за ремонта или обслуживания должны быть наивысшим приоритетом, иначе рентабельность объекта будет серьезно снижена. Аналогичным образо...

Транзисторы достигли переломного момента на 3-нанометровом техпроцессе

Полупроводниковая промышленность впервые более чем за десятилетие вносит серьезные изменения в транзисторы нового типа, двигаясь к структуре следующего поколения, называемой с затвором по всему периметру (GAA). Хотя в каталогах транзисторов устройств GAA еще нет в продаже, многие отраслевые эксперты задаются вопросом, как долго продержится эта технология и какая новая архитектура заменит ее. Промышленность оценивает несколько транзисторов-кандидатов, но у каждого есть технические пробелы. Потребуются огромные ресурсы и инновации, чтобы разработать хотя бы одного кандидата для успешного ...

Резисторы Caddock — качество, проверенное временем

Несмотря на кажущуюся простоту, резисторы являются важными элементами многих электронных схем, от качества изготовления которых часто зависит надежность и срок службы проектируемого оборудования. Компания Caddock Electronics, имеющая более чем полувековую историю, предлагает широкую линейку резисторов и резисторных сборок в различном корпусном исполнении. В данной обзорной статье рассматриваютс...

Силовые блоки на основе мощных фототиристоров

Статья продолжает цикл публикаций, посвященных силовым блокам на основе отечественных фототиристоров [1]. Представлены результаты разработок и примеры конструирования высоковольтных коммутаторов тока для импульсных применений.

Модули серии Infineon EconoDUAL 3 Black: хорошо известные преимущества и новые особенности

В статье представлен обновленный модуль Infineon EconoDUAL 3 Black, описано, как обеспечивается баланс между внедрением новых функций и сохранением проверенных и испытанных свойств. Анализируются параметры нового модуля FF600R12BE7_B11(BE7), в котором использованы технологии IGBT 1200 В TRENCHSTOP IGBT7, и диодов EC7 с управляемым эмиттером.

IGBT до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск IGBT в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер 600–1200 В и диапазоном токов 10–75 А. Основные сферы применения транзисторов: приборы высокочастотной коммутации; резонансные преобразователи; источники бесперебойного питания; сварочные преобразователи.