Раздвигая границы.
Легко ли поднять рабочую температуру силовых модулей до +200°С?

Большинство производителей силовой элементной базы анонсируют повышение рабочей температуры чипов новых поколений до +200 °С. Однако модули состоят не только из полупроводниковых кристаллов, они включают в себя массу интерфейсных материалов, которые также должны быть рассчитаны на расширенный температурный диапазон. Повышенная температура действует на все элементы конструктива и их соединения, ...

Дальнейшие пути развития силового электронного ключа

Высокие требования надежности, предъявляемые к разрабатываемым изделиям специального назначения, использующим в своем составе силовые ключевые устройства, предусматривают обязательное применение силового электронного ключа (СЭК). Под СЭК подразумевается быстродействующий защищенный коммутатор постоянного тока. Окончательная структура построения перспективного СЭК в настоящее время до конца не о...

Драйверы Amantys для управления затвором IGBT-модулей

Amantys — молодая и успешно развивающаяся компания, расположенная в Кембридже, Великобритания. Главное направление деятельности компании — разработка и производство драйверов управления затвором, отличающихся низкими потерями, высокой надежностью и доступной ценой.

Новая специализированная ИС с элементами Холла для датчиков тока компенсационного типа, имеющая малое напряжение смещения

Представлена новая специализированная ИС для компенсационных датчиков тока с улучшенными характеристиками, в частности, со смещением и температурным дрейфом. Дополнительная функциональность новой ИС включает размагничивание и обнаружение перегрузки по току с выбором порога срабатывания.

Полупроводниковые технологии: силовые IGBT и MOSFET компании Alpha & Omega

Компания Alpha & Omega Semiconductor (AOS, США) известна как разработчик и производитель высокотехнологичных силовых полупроводниковых приборов, микросхем управления питанием, устройств защиты и силовых модулей. Компания основана в 2000 году выходцами из Китайской Республики (Тайвань) Майком Ф. Чангом (Mike F. Chang) и Юе-Се Хо (Yueh-Se Ho).

Как правильно подобрать быстродействующий предохранитель. Часть 2

В предыдущей статье мы подробно разобрали аспекты определения основных параметров подбора быстродействующих предохранителей — значений номинального напряжения и номинального тока, а также рассмотрели, как влияют на эти параметры перегрузки, цикличность нагрузки и внешние факторы — окружающая температура, атмосферное давление, частота тока, плотность тока в подводящих шинах и т. д. В данной стат...

Надежность и срок службы пленочных конденсаторов

Один из самых распространенных радиоэлементов в любом электронном устройстве — конденсатор. Конденсаторы бывают электролитические, керамические, пленочные, танталовые и т.д. Каждый из этих типов обладает рядом достоинств и недостатков, что и определяет область их применения и распространенность. В статье подробно рассматриваются силовые пленочные конденсаторы.

Дискретные устройства и модульные компоненты на основе карбида кремния, производимые компанией Microsemi

Применение новых широкозонных полупроводников при проектировании и производстве приборов силовой электроники позволяет добиться значительного улучшения их рабочих характеристик с одновременным уменьшением массогабаритных показателей. В данной статье рассматриваются технические параметры дискретных устройств и высоконадежных модулей производства компании Microsemi, изготавливаемых на основе одно...

SOI — технология интегральных драйверов IGBT

Интеллектуальные силовые модули (IPM — Intellectual Power Module) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в энергетических установках. Миниатюрные интеллектуальные ключи киловаттного класса могут быть реализованы с помощью твердотел...

Новое поколение SiC MOSFET в DC/DC-преобразователе с жестким режимом переключения

По сравнению с SiC JFET или SiC биполярными транзисторами, N-канальные SiC MOSFET являются наилучшей заменой для обычных кремниевых MOSFET или IGBT благодаря более простой структуре, легкости управления и низким потерям мощности. В марте 2013г. компания Cree начала коммерческий выпуск второго поколения SiC MOSFET, обладающего повышенной производительностью и меньшей стоимостью по сравнению с кл...