Тиристорные модули высокой мощности для электропривода

Постоянно возрастающие мощность и степень интеграции преобразовательного оборудования являются одними из основополагающих признаков развития модульной конструкции приборов силовой электроники. Модульное исполнение весьма привлекательно, поскольку позволяет организовать простые и компактные решения при проектировании современных преобразовательных устройств. В статье представлены результаты посл...

Roll2Rail: силовые модули нового поколения для тягового привода — общие требования, рыночный анализ, технологическая дорожная карта и прогнозы.
Часть 2. Проблемы надежности силовых модулей

В настоящей статье, посвященной реализации проекта Roll2Rail, представлены результаты совместной деятельности крупнейших европейских поставщиков железнодорожного тягового оборудования по разработке и стандартизации нового, усовершенствованного модуля для тягового привода. Сегодня практически все ведущие производители силовой элементной базы работают над решением этой задачи. В частности, в мод...

Датчики тока компании LEM для автомобилей настоящего и будущего

Швейцарская компания LEM, специализирующаяся в области электрических измерений, разрабатывает решения, которые повышают эффективность, надежность и безопасность различных систем преобразования и передачи энергии. Компания представлена более чем в пятнадцати странах и находится в авангарде таких тенденций, как возобновляемые источники энергии, транспорт, робототехника, автоматизация и цифровизац...

Практические аспекты силовой электроники:
как проверить модуль в полевых условиях?

Силовые полупроводниковые модули подвергаются многократным испытаниям в процессе производства и эксплуатации. Поскольку стоимость и сложность тестирования достаточно высоки, важно четко понимать цель его проведения. Очень часто необходимость проверки силового ключа возникает в полевых условиях. При этом следует осознавать, что использование неправильных методик контроля может привести не только...

Особенности параллельного соединения модулей SiC MOSFET

Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А.

Серия отечественных кремниевых и карбидокремниевых силовых FRD- и IGBT-модулей специального и общепромышленного назначения

Рассмотрены ключевые преимущества модернизированных IGBT-модулей и силовых диодных сборок специального и общего назначения, а также дальнейшие пути развития номенклатуры изделий силовой электроники производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ».

Моделирование стандартных топологий схем с карбидокремниевыми MOSFET Wolfspeed

Сегодня чаще чем когда-либо разработчики выбирают карбидокремниевые приборы (SiC) за их высокую эффективность, плотность мощности и лучшую экономическую эффективность на системном уровне по сравнению с кремниевыми (Si) компонентами. Помимо знания основных принципов проектирования, общих для SiC и Si, а также необходимости учитывать особенности характеристик, возможностей и преимуществ SiC, спец...

Высоковольтные быстродействующие драйверы АО «Ангстрем» серии 1358EX

АО «Ангстрем» разработало высоковольтные быстродействующие драйверы серии 1358EX для управления преобразователями типа «мост» и «полумост». Драйвер определяет состояние верхнего и нижнего n-канального МОП-транзистора и может быть использован в широком спектре радиоэлектронной аппаратуры. 1358EX имеет защиту от пониженного питания, высокую нагрузочную способность и низкое время задержки переключ...

Выходы из строя полевых транзисторов и как они выглядят

В свое время у специалистов компании «Электрум АВ» возникла необходимость разобраться с систематическими выходами из строя одного преобразователя. Повреждения кристаллов транзисторов выглядели одинаково, но причину никак не удавалось определить. Пробовали понять причину и исходя из характера повреждений кристаллов, но, к своему удивлению, специалисты не нашли в Интернете практически никакой инф...

Оценка значения ударного тока, предельного для силового транзистора

В статье приводится обзор и классификация способов оценки ударного тока. Авторами предложена принципиальная схема модуля формирователя импульсов тока для проведения ресурсных испытаний. Представлены гистограммы по условным и безусловным отказам на партии (50 штук) IGBT-транзисторов, построенные по результатам ресурсных испытаний.