Интеграция GaN в LYTSwitch-6 — путь к повышению эффективности

В 2019 году компания Power Integrations анонсировала пополнение своих популярных квазирезонансных контроллеров семейства LYTSwitch, объединяющих первичную и вторичную стороны, а также цепь регулирующей обратной связи, в монолитном компактном корпусе InSOP-24D для поверхностного монтажа. Новые микросхемы потребляют в режиме покоя всего 30 мВт мощности и обеспечивают свободное от мерцаний свечени...

Системы питания и перспективы использования GaN в космических аппаратах.
Часть 2: питание КА, практические решения

В предлагаемой статье речь идет о нередко забываемой или малозаметной части космического аппарата (КА), позволяющей ему путешествовать в космосе, а именно об управлении электропитанием и роли в этом современных полупроводниковых приборов, созданных на основе нитрида галлия (GaN). Данная публикация является продолжением [1] и приводится в виде авторского перевода [2], выполненного с рядом дополн...

Интеграция GaN в контроллеры AC/DC-преобразователей — путь к повышению эффективности

В 2019 году компания Power Integrations анонсировала пополнение своих популярных семейств InnoSwitch3 — квазирезонансных микросхем-контроллеров, объединяющих первичную и вторичную цепь и цепь обратной связи в монолитном компактном корпусе InSOP-24D для поверхностного монтажа. Новые микросхемы обеспечивают КПД до 95% в полном диапазоне нагрузок вплоть до 100 Вт, работая в составе закрытых адапте...

Системы питания и перспективы использования GaN в космических аппаратах.
Часть 1: питание КА, общие принципы

Как правило, на борту космического аппарата источники энергии тяжелее, чем многое другое оборудование. Переход в системе питания на более высокие частоты преобразования энергии снижает массогабаритные характеристики источников питания. Меньший вес — это меньшее потребление топлива, необходимого для того, чтобы ракета-носитель могла вырваться из гравитационного притяжения Земли. Это, соответстве...

Проектировщики систем с применением SiC и GaN больше не работают вслепую

Появление технологий SiC и GaN привело к революционным изменениям в силовой электронной промышленности. Использование этих новых материалов позволяет значительно повысить эффективность всей преобразовательной системы, что было немыслимо еще несколько лет назад. В реальном мире не существует электронных ключей с идеальной коммутационной характеристикой, однако появляются новые классы полупровод...

Некоторые особенности управления GaN-транзисторами

В статье описаны типичные проблемы, которые могут возникнуть при проектировании силовых преобразовательных устройств с применением GaN-транзисторов, а также методы их решения. Представлена информация о специализированной отладочной плате, с помощью которой можно провести макетирование преобразователя.

Комплексная методология определения надежности GaN-транзисторов

В настоящее время компания Texas Instruments разрабатывает комплексную программу оценки качества и надежности компонентов, основанную на фундаментальных характеристиках нитрида галлия (GaN) и применении соответствующих методик испытаний, направленных на повышение надежности выпускаемых компанией приборов, выполненных по GaN-технологии. Темой, поднятой в предлагаемой статье, представленной в ори...

Повышение эффективности и плотности мощности источников питания с помощью 600-В GaN-транзисторов

Современные высококачественные источники питания (ИП) уже весьма эффективны. Примерно два года назад были анонсированы серверные ИП класса Titanium, общая эффективность которых при половинной нагрузке превышает 96% (согласно стандарту 80 PLUS). Столь высокий коэффициент полезного действия этих источников обусловлен уже имеющимися на сегодня технологиями, включая технологии производства высокока...

Новые MOSFET от Infineon Technologies

В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG.

Преимущества использования нитрид-галлиевых транзисторов в силовой электронике

Имеющиеся на сегодня источники питания (ИП), выполненные по технологии с использованием высокопроизводительных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния, уже не являются достаточно эффективными, по крайней мере, в течение двух последних лет. Не так давно несколько производителей объявили о доступности транзисторов на основе нитрида галлия на кремнии, которые расс...