GaN
Интеграция GaN в LYTSwitch-6 — путь к повышению эффективности
В 2019 году компания Power Integrations анонсировала пополнение своих популярных квазирезонансных контроллеров семейства LYTSwitch, объединяющих первичную и вторичную стороны, а также цепь регулирующей обратной связи, в монолитном компактном корпусе InSOP-24D для поверхностного монтажа. Новые микросхемы потребляют в режиме покоя всего 30 мВт мощности и обеспечивают свободное от мерцаний свечени...
Системы питания и перспективы использования GaN в космических аппаратах.
Часть 2: питание КА, практические решения
В предлагаемой статье речь идет о нередко забываемой или малозаметной части космического аппарата (КА), позволяющей ему путешествовать в космосе, а именно об управлении электропитанием и роли в этом современных полупроводниковых приборов, созданных на основе нитрида галлия (GaN). Данная публикация является продолжением [1] и приводится в виде авторского перевода [2], выполненного с рядом дополн...
Интеграция GaN в контроллеры AC/DC-преобразователей — путь к повышению эффективности
В 2019 году компания Power Integrations анонсировала пополнение своих популярных семейств InnoSwitch3 — квазирезонансных микросхем-контроллеров, объединяющих первичную и вторичную цепь и цепь обратной связи в монолитном компактном корпусе InSOP-24D для поверхностного монтажа. Новые микросхемы обеспечивают КПД до 95% в полном диапазоне нагрузок вплоть до 100 Вт, работая в составе закрытых адапте...
Системы питания и перспективы использования GaN в космических аппаратах.
Часть 1: питание КА, общие принципы
Как правило, на борту космического аппарата источники энергии тяжелее, чем многое другое оборудование. Переход в системе питания на более высокие частоты преобразования энергии снижает массогабаритные характеристики источников питания. Меньший вес — это меньшее потребление топлива, необходимого для того, чтобы ракета-носитель могла вырваться из гравитационного притяжения Земли. Это, соответстве...
Проектировщики систем с применением SiC и GaN больше не работают вслепую
Появление технологий SiC и GaN привело к революционным изменениям в силовой электронной промышленности. Использование этих новых материалов позволяет значительно повысить эффективность всей преобразовательной системы, что было немыслимо еще несколько лет назад.
В реальном мире не существует электронных ключей с идеальной коммутационной характеристикой, однако появляются новые классы полупровод...
Некоторые особенности управления GaN-транзисторами
В статье описаны типичные проблемы, которые могут возникнуть при проектировании силовых преобразовательных устройств с применением GaN-транзисторов, а также методы их решения. Представлена информация о специализированной отладочной плате, с помощью которой можно провести макетирование преобразователя.
Комплексная методология определения надежности GaN-транзисторов
В настоящее время компания Texas Instruments разрабатывает комплексную программу оценки качества и надежности компонентов, основанную на фундаментальных характеристиках нитрида галлия (GaN) и применении соответствующих методик испытаний, направленных на повышение надежности выпускаемых компанией приборов, выполненных по GaN-технологии. Темой, поднятой в предлагаемой статье, представленной в ори...
Повышение эффективности и плотности мощности источников питания с помощью 600-В GaN-транзисторов
Современные высококачественные источники питания (ИП) уже весьма эффективны. Примерно два года назад были анонсированы серверные ИП класса Titanium, общая эффективность которых при половинной нагрузке превышает 96% (согласно стандарту 80 PLUS). Столь высокий коэффициент полезного действия этих источников обусловлен уже имеющимися на сегодня технологиями, включая технологии производства высокока...