Японская компания Мицубиси Электрик основана в 1921 году. Первые полупроводниковые приборы начали серийно выпускаться компанией в 1958 году. В настоящее время силовые модули Мицубиси Электрик производятся с помощью самых современных технологий, обеспечивающих высокий уровень производительности и надежности. Компания предлагает широкий ассортимент силовых транзисторных модулей для различных применений, таких как: высоковольтные системы передачи электроэнергии (HVDC), тяговые железнодорожные применения, общепромышленные применения, бытовая техника. Основные линейки силовых модулей, выпускаемых компанией:
- высоковольтные IGBT модули транспортного исполнения (серия X, R, S);
- модули IGBT общепромышленного исполнения (серия T, T1);
- интеллектуальные силовые модули IPM (серия G, G1);
- интеллектуальные силовые модули малой мощности DIPIPM;
- транзисторные модули на основе карбида кремния (SiC).
Полный PDF-каталог модулей доступен по ссылке.
SiC-модули «Мицубиси Электрик»:
новый уровень энергоэффективности электропоездов
На протяжении последних лет на мировом рынке полупроводников (п/п) в малом и среднем диапазоне мощностей наблюдается устойчивая тенденция по замещению классических кремниевых транзисторных модулей карбид-кремниевыми аналогами (SiC). Это позволяет создавать более компактные промышленные преобразователи, инверторы для возобновляемой энергетики, ИБП, а также повышает их эффективность. В статье реч...
Высокоэффективные силовые модули на основе SiC для широкого спектра применений
В настоящее время силовые транзисторные модули на основе карбида кремния (SiC) находят все более широкое применение там, где требуется повышенный КПД преобразователя или снижение его массогабаритных показателей. Диапазон мощности таких применений весьма разнообразен: от бытовых кондиционеров и зарядных устройств до промышленных и даже тяговых железнодорожных приводов.
В статье приводится актуа...
«Мицубиси Электрик» запускает производство дискретных SiC-диодов и транзисторов в корпусах TO-247
В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.
Высоковольтные RFC-диоды X-серии с мягкой характеристикой восстановления
В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще...
Новые карбид-кремниевые модули на кристаллах второго поколения
Компания Mitsubishi Electric, выпускающая широкую линейку мощных SiC-модулей различных классов напряжений, анонсирует выход модулей с SiC-кристаллами второго поколения в классах напряжения 1200 и 1700 В. В сравнении с первым поколением новые модули имеют улучшенную производительность, а также более широкий модельный ряд. В статье представлены и последние достижения, полученные за счет новой тех...
Последние достижения технологий высоковольтных IGBT
В настоящей статье рассматривается влияние космического излучения на частоту отказов мощных полупроводниковых устройств в условиях приложенного к ним высокого напряжения. Демонстрируется усовершенствованная конструкция модулей высоковольтных IGBT номинальным напряжением 6,5 кВ, позволяющая повысить долговременную стабильность при постоянном напряжении без ущерба электрическим характеристикам, а...
Повышая скорость: SiC-модули Mitsubishi Electric
Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен...
Семинар «Мицубиси Электрик» на тему «Новая линейка силовых Si и SiC транзисторных модулей в корпусах LV100 для тяговых применений»
Компания «Мицубиси Электрик» примет участие в деловой программе выставки «Электроника-Транспорт 2021»с техническим семинаром на тему «Новая линейка силовых Si и SiC транзисторных модулей в корпусах LV100 для тяговых применений». Семинар посвящен новой серии силовых модулей на основе кремния и карбида кремния, разработанной компанией «Мицубиси Электрик» специально для транспортных применений.
Семинар состоится 13 мая с 14:00 до 15:00 в зале А.
«Электроника-Транспорт 2021» — международная выставка информационных технологий и электроники для пассажирского транспорта и транспортной ...
Широкий диапазон рабочих температур модулей высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором и высокой развязкой
Компания Mitsubishi Electric представила новую разработку — ВВ IGBT (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором, HV-IGBT), объединенные в серию R. Это модули с высокой развязкой корпуса, которые могут использоваться в диапазоне температур –50…+150 °C. Их применение позволяет увеличить выходную мощность инвертора при сохранении прежнего размера оборудования.
Новые транзисторы NX6.1 для промышленного применения
Под сегодняшние требования рынка преобразовательной техники вновь были усовершенствованы IGBT-кристаллы, имеющие CSTBT-структуру (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), являющиеся надежной основой силовых модулей и обладающие низкими динамическими и статическими потерями. Модули поколения 6.1, представленные в этой статье, содержат в себе CSTBT-транзисторы и обратные диоды (FwD) и...
