Широкий диапазон рабочих температур модулей высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором и высокой развязкой

Компания Mitsubishi Electric представила новую разработку — ВВ IGBT (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором, HV-IGBT), объединенные в серию R. Это модули с высокой развязкой корпуса, которые могут использоваться в диапазоне температур –50…+150 °C. Их применение позволяет увеличить выходную мощность инвертора при сохранении прежнего размера оборудования.

Новые транзисторы NX6.1 для промышленного применения

Под сегодняшние требования рынка преобразовательной техники вновь были усовершенствованы IGBT-кристаллы, имеющие CSTBT-структуру (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), являющиеся надежной основой силовых модулей и обладающие низкими динамическими и статическими потерями. Модули поколения 6.1, представленные в этой статье, содержат в себе CSTBT-транзисторы и обратные диоды (FwD) и...

Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы

В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор...

Силовые 1700-В модули HVIGBT X-серии с превосходной производительностью и высокой надежностью

Высокоэффективные силовые HVIGBT-модули с блокирующим напряжением 1700 В, обеспечивающие надежные решения для железнодорожного транспорта. Для нужд железнодорожного транспорта требуются особо качественные компоненты с высокой эффективностью, особенно это касается преобразовательных приводов, которые должны иметь в своей основе надежные коммутационные устройства, устойчивые к крайне жестким усл...

Коммутационные возможности 750 A/3300 В сдвоенных SiC-модулей

Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т...

Силовые модули для электрического и гибридного транспорта

В статье представлены два новых силовых модуля Mitsubishi Electric, предназначенных для применения в тяговых силовых инверторах и конвертерах электрических (EV) и гибридных (HEV) транспортных средств.

Седьмое поколение IGBT-модулей «Мицубиси Электрик» с блокирующим напряжением 1,7 кВ

Основными требованиями, предъявляемыми к общепромышленным системам электроприводов и источникам питания, являются высокая надежность, эффективность и большая плотность мощности при конкурентной стоимости. Главный фактор для достижения всех перечисленных свойств — уровень потерь мощности в ключах. Снижение потерь позволяет сократить температуру кристаллов. В результате увеличивается срок службы ...

Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов

Компания «Мицубиси Электрик» представляет новый силовой модуль на карбидкремниевых кристаллах диодов и транзисторов (Full SiC) с блокирующим напряжением 3,3 кВ и номинальным током 750 А. Устройство выходит на рынок в новейшем типоразмере корпуса LV100 [5], особенно подходящем для использования в тяговых инверторах и модульных конструкциях преобразователей. В статье приведены основные характерис...

Следующее поколение IGBT-модулей повышенной мощности

Высокомощные общепромышленные применения требуют добротной силовой компонентной базы с широким диапазоном рабочих токов, высокой надежностью, а также большой плотностью мощности и низкой индуктивностью. Для удовлетворения данных потребностей линейка высоковольтных модулей LV100, представленная в 2017 году [1], была адаптирована под нужды общепромышленных применений.

Нормирование теплового сопротивления IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Выбор модуля IGBT для конкретных условий применения требует анализа его тепловых характеристик с учетом системы охлаждения и оценки их соответствия техническим требованиям, предъявляемым к системе (мощность, температура окружающей среды, профиль нагрузки, срок службы). Для сопоставления тепловых свойств различных силовых ключей необходимо учесть следующие факторы: • особенности конструкции мо...