Общеизвестно, что вода в жидкой форме может негативно воздействовать на работу электрических цепей из-за наличия электропроводности и коррозионной активности. Менее известны, но не менее важны эффекты, создаваемые водой в газообразном состоянии. Здесь мы более подробно рассмотрим вопрос о том, как влажность и образование конденсата влияет на работу силовых электронных систем, а также дадим реко... 
На протяжении последних лет на мировом рынке полупроводников (п/п) в малом и среднем диапазоне мощностей наблюдается устойчивая тенденция по замещению классических кремниевых транзисторных модулей карбид-кремниевыми аналогами (SiC). Это позволяет создавать более компактные промышленные преобразователи, инверторы для возобновляемой энергетики, ИБП, а также повышает их эффективность. В статье реч... 
Миниатюрные модули семейства MiniSKiiP необычайно популярны на рынке силовой электроники. Сегодня более 20 млн таких силовых ключей работает в частотных преобразователях ведущих европейских производителей: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Vacon. Около 70% этих устройств — моторные приводы, исполнительные механизмы промышленных роботов, прессов и к... 
Номенклатура IGBT-модулей компании AMG Power пополнилась устройством AMG450G1200MED, рассчитанным на 1200 В, 450 А и выполненным в корпусе типа Econodual.
Параметры и преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED:
напряжение UCES: 1200 В;
ток IC: 450 А;
конфигурация: полумост;
корпус: Econodual;
низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С);
затвор IGBT-чипа по технологии MPT (micro-pattern trench);
низкие потери при переключении;
надежность RBSOA;
низкие потери при обратном восстановлении;
низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн.
... 
Компания Fuji Electric представляет новый продукт в хорошо известном корпусе для увеличения выходной мощности IGBT-модулей за счет использования технологии RC-IGBT (IGBT с функций обратной проводимости). Модули PrimePACK 3 и 3+ (рис. 1) с номинальным напряжением 1700 и 1200 В применяются в приложениях с высокой мощностью. 
В статье представлены результаты разработки полупроводниковых ключей на импульсные токи до 300 кА, напряжение до 25 кВ на основе реверсивно-включаемых динисторов для мощных твердотельных энергетических систем. Дано описание конструкции и особенности работы реверсивно-включаемых динисторов в типовой схеме коммутирующего устройства, их основные параметры и характеристики. Представлены также вспом... 
В силовых преобразователях широко используются снабберные цепи для контроля выбросов напряжения, повышения эффективности и минимизации электромагнитных помех. В этой статье обсуждаются некоторые варианты схем и основы их проектирования, а также измерение параметров снаббера с примерами подводных камней и лучших методов для получения точных результатов. 
Новая система высоковольтного подключения BCON+ от TE Connectivity представляет собой универсальное, компактное, надежное и безопасное решение для соединения элементов тяговой батареи и точек подключения высокого напряжения вне батареи. Она безопасна для прикосновений в несопряженном и сопряженном состоянии. Система BCON+ обеспечивает прочное соединение и чрезвычайно низкое контактное сопротивл... 
Компания AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением –5/+18 В — A2G100N1700MT4.
В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS –5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии.
Основные параметры A2G100N1700MT4:
напряжение сток-исток: 1700 В;
ток (при +25 °C): 100 A;
Rds(On): 25 мОм;
управляющее напряжение затвор-исток: –5/+18 В;
тип корпуса: TO-247-4;
суммарный заряд затвора: 168 нКл;
максимальная температура ... 
Компания AMG Power расширила линейку IGBT-модулей 1200 В двумя модулями 12-го класса — на 600 и 900 А.
Партномер
Напряжение VCES, В
Ток IC, А
Корпус
Топология
AMG600G1200MED
1200
600
Econodual
полумост
AMG900G1200MED
1200
900
Econodual
полумост
Применение модулей:
управление приводами;
инверторы солнечных панелей;
преобразователи высокой мощности;
ИБП.
Преимущества:
низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С);
затвор IGBT-чипа по технологии MPT ... 
