MOSFET

Компания AMG Power дополнила линейку силовых компонентов SiC MOSFET транзистором A2G50N3300MT4 в стандартном корпусе TO-247-4. Устройство способно повысить плотность мощности без ущерба для надежности. Максимальный продолжительный ток 50 А и увеличенное до 3300 В напряжение сток-исток позволяют использовать транзистор A2G50N3300MT4 в компактных высоконадежных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания. Благодаря применению SiC-технологии, потери на ...

Силовые MOSFET чаще всего используются в высокочастотных преобразователях с ШИМ-коммутацией. Однако в таких узлах, как цепи запуска импульсных источников питания (SMPS), схемы защиты от перенапряжения и изменения его полярности, твердотельные реле, транзистор должен работать как нормально-замкнутый ключ (НЗК) при нулевом напряжении «затвор-исток». MOSFET, имеющий низкое сопротивление канала при...

Технология карбида кремния (SiC) позволила усовершенствовать компоненты систем и подсистем в различных областях применения. По сравнению с кремнием (Si) приборы на основе SiC демонстрируют большую плотность мощности и эффективность за счет высокой скорости переключения, плоской характеристики зависимости RDS(on) от температуры и лучших параметров body-диодов. В статье речь идет о том, как SiC-к...

Компания AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением –5/+18 В — A2G100N1700MT4. В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS –5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии. Основные параметры A2G100N1700MT4: напряжение сток-исток: 1700 В; ток (при +25 °C): 100 A; Rds(On): 25 мОм; управляющее напряжение затвор-исток: –5/+18 В; тип корпуса: TO-247-4; суммарный заряд затвора: 168 нКл; максимальная температура ...

По своим затворным характеристикам транзисторы SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученных кремниевых (Si) ключей. Карбидокремниевым структурам присущи некоторые специфические особенности, например дрейф порогового напряжения затвора VGS(th) SiC при длительной эксплуатации и деградация окисного слоя при использовании отрицательного напряжения выключения. Проведенные в последние годы иссл...

Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В. Применение SiC MOSFET-транзисторов: преобразователи собственных нужд электротранспорта; импульсные источники питания. Преимущества: повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость; позволяет работать на высокой частоте переключения; улучшает плотность мощности на уровне системы; уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение; удовлетворяют требованиям новых топологий с ...

В современном оборудовании автоматизации, в том числе для потребительского сегмента и бытовой техники, контроллеры с реле, основанные на полупроводниковых компонентах, получают все большее распространение. Такое технологическое развитие стало возможным благодаря ряду инноваций, которые в последние десятилетия внедрены в области технологий производства транзисторов, диодов и связанных с ними ком...

Компания Microchip Technology объявила о расширении своего портфолио SiC-компонентов выпуском 3,3-кВ полевых транзисторов SiC MOSFET с самым низким сопротивлением в открытом состоянии (RDSon) и диодов с барьером Шоттки SiC (SBD) с самым высоким номинальным током из доступных на рынке. С расширением портфолио SiC от Microchip специалисты получили инструменты для разработки более компактных, легких и эффективных решений для электротранспорта, возобновляемых источников энергии, аэрокосмических и промышленных приложений. МОП-транзисторы и диоды Шоттки на 3,3 кВ от Microchip дополняют обширный ...

Силовые полупроводниковые модули подвергаются многократным испытаниям в процессе производства и эксплуатации. Поскольку стоимость и сложность тестирования достаточно высоки, важно четко понимать цель его проведения. Очень часто необходимость проверки силового ключа возникает в полевых условиях. При этом следует осознавать, что использование неправильных методик контроля может привести не только...

Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А.