Особенности управления SiC MOSFET

Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве. По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...

IGBT или MOSFET? О выборе и не только…

Нет в силовой электронике элементов, развивающихся столь же быстро и имеющих так много схожих черт, как IGBT и MOSFET. Несмотря на известные преимущества и недостатки каждого из них, выбор силового модуля для конкретного применения не всегда является очевидным. В первую очередь это относится к области напряжений свыше 200–300 В, когда достоинства полевых ключей перестают быть однозначными....

Высоковольтные силовые полевые МОП-транзисторы с суперпереходом класса 600/650 В

Растущие требования к КПД силовой электроники побуждают инженеров непрерывно искать оптимальные решения. Источники питания, блоки управления электроприводом, оборудование возобновляемой энергетики, светотехника — вот типичные области применения на быстрорастущих рынках, где от силовых полупроводниковых компонентов требуется максимальная экономическая эффективность. А это подразумевает высочайши...

Проблемы обеспечения безопасности силовых ключей в аварийных режимах

Защита быстродействующих силовых ключей от аварийных режимов является одной из основных функций устройства управления. Состояние перегрузки в лучшем случае ведет к сокращению ресурса, а в худшем — к выходу элемента из строя. Перегрузка может быть вызвана разными причинами. Опасным является любой режим, при котором ток или напряжение на ключе выходят за рамки области безопасной работы (Safe Oper...

Снижение уровня динамических потерь: «мягкая» коммутация и снабберы

Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET. Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи...

Дискретные силовые MOSFET/IGBT-ключи c выводом Кельвина

Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко...

Транзисторы SiC MOSFET со сверхнизким сопротивлением канала в приводах электромобилей

Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б...

Коммутационные возможности 750 A/3300 В сдвоенных SiC-модулей

Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т...

Затворный резистор. Часть 2

Во второй части статьи, посвященной исследованию сопротивления цепи затвора IGBT- и MOSFET-транзисторов, пойдет речь о практическом способе определения номинала затворного резистора. Заранее следует отметить, что приведенная ниже информация содержит известную долю погрешности, не изобилует формулами и основывается по большей части на практическом опыте. Плюс такого подхода — простота данных и у...

Оптроны для управления затвором карбид-кремниевых MOSFET

В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбид-кремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.