Управление карбидом кремния: драйвер для модуля SiC MOSFET 62 мм

По своим затворным характеристикам транзисторы SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученных кремниевых (Si) ключей. Карбидокремниевым структурам присущи некоторые специфические особенности, например дрейф порогового напряжения затвора VGS(th) SiC при длительной эксплуатации и деградация окисного слоя при использовании отрицательного напряжения выключения. Проведенные в последние годы иссл...

Семейство SiC MOSFET 1200 В третьего поколения Gen3 от AMG Power

Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В. Применение SiC MOSFET-транзисторов: преобразователи собственных нужд электротранспорта; импульсные источники питания. Преимущества: повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость; позволяет работать на высокой частоте переключения; улучшает плотность мощности на уровне системы; уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение; удовлетворяют требованиям новых топологий с ...

Обзор продуктов IXYS.
Твердотельные реле и полупроводниковые модули высокой мощности

В современном оборудовании автоматизации, в том числе для потребительского сегмента и бытовой техники, контроллеры с реле, основанные на полупроводниковых компонентах, получают все большее распространение. Такое технологическое развитие стало возможным благодаря ряду инноваций, которые в последние десятилетия внедрены в области технологий производства транзисторов, диодов и связанных с ними ком...

Силовые компоненты Microchip на 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC)

Компания Microchip Technology объявила о расширении своего портфолио SiC-компонентов выпуском 3,3-кВ полевых транзисторов SiC MOSFET с самым низким сопротивлением в открытом состоянии (RDSon) и диодов с барьером Шоттки SiC (SBD) с самым высоким номинальным током из доступных на рынке. С расширением портфолио SiC от Microchip специалисты получили инструменты для разработки более компактных, легких и эффективных решений для электротранспорта, возобновляемых источников энергии, аэрокосмических и промышленных приложений. МОП-транзисторы и диоды Шоттки на 3,3 кВ от Microchip дополняют обширный ...

Практические аспекты силовой электроники:
как проверить модуль в полевых условиях?

Силовые полупроводниковые модули подвергаются многократным испытаниям в процессе производства и эксплуатации. Поскольку стоимость и сложность тестирования достаточно высоки, важно четко понимать цель его проведения. Очень часто необходимость проверки силового ключа возникает в полевых условиях. При этом следует осознавать, что использование неправильных методик контроля может привести не только...

Особенности параллельного соединения модулей SiC MOSFET

Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А.

Моделирование стандартных топологий схем с карбидокремниевыми MOSFET Wolfspeed

Сегодня чаще чем когда-либо разработчики выбирают карбидокремниевые приборы (SiC) за их высокую эффективность, плотность мощности и лучшую экономическую эффективность на системном уровне по сравнению с кремниевыми (Si) компонентами. Помимо знания основных принципов проектирования, общих для SiC и Si, а также необходимости учитывать особенности характеристик, возможностей и преимуществ SiC, спец...

Изолированный источник питания 6 Вт для драйвера затвора SiC-MOSFET

Все более широкое применение высокотехнологичных SiC MOSFET- и GaN-транзисторов в современной преобразовательной технике устанавливает новые жесткие требования по надежности и эффективности не только к драйверам затвора, но и к организации питания для этих драйверов. В статье речь пойдет о 6-Вт вспомогательном сверхкомпактном изолированном источнике питания, построенном на базе нового трансформ...

MOSFET MMFTN620KDW-AQ от компании Diotec

Компания Diotec Semiconductor AG представляет двойной автомобильный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-363 с защитой затвора MMFTN620KDW-AQ. Два типа n-каналов обеспечивают непрерывный ток стока до 350 мА при температуре +25 °C, максимальное напряжение сток-исток 60 В и сопротивление в открытом состоянии менее 2 Ом при подаче напряжения на затвор 4,5 В. Особенностью устройств является защита затвора от ESD-напряжений до ±2 кВ, что делает их оптимальным решением для систем с высоким риском воздействия электростатических помех (ESD). Это касается управления питанием для сенсорных экранов, ...

Управление SiC MOSFET с помощью драйверов затвора с оптической развязкой ACPL-W346 и ACPL-339J

В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния.