По своим затворным характеристикам транзисторы SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученных кремниевых (Si) ключей. Карбидокремниевым структурам присущи некоторые специфические особенности, например дрейф порогового напряжения затвора VGS(th) SiC при длительной эксплуатации и деградация окисного слоя при использовании отрицательного напряжения выключения.
Проведенные в последние годы иссл... 
Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В.
Применение SiC MOSFET-транзисторов:
преобразователи собственных нужд электротранспорта;
импульсные источники питания.
Преимущества:
повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость;
позволяет работать на высокой частоте переключения;
улучшает плотность мощности на уровне системы;
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение;
удовлетворяют требованиям новых топологий с ... 
В современном оборудовании автоматизации, в том числе для потребительского сегмента и бытовой техники, контроллеры с реле, основанные на полупроводниковых компонентах, получают все большее распространение. Такое технологическое развитие стало возможным благодаря ряду инноваций, которые в последние десятилетия внедрены в области технологий производства транзисторов, диодов и связанных с ними ком... 
Компания Microchip Technology объявила о расширении своего портфолио SiC-компонентов выпуском 3,3-кВ полевых транзисторов SiC MOSFET с самым низким сопротивлением в открытом состоянии (RDSon) и диодов с барьером Шоттки SiC (SBD) с самым высоким номинальным током из доступных на рынке. С расширением портфолио SiC от Microchip специалисты получили инструменты для разработки более компактных, легких и эффективных решений для электротранспорта, возобновляемых источников энергии, аэрокосмических и промышленных приложений.
МОП-транзисторы и диоды Шоттки на 3,3 кВ от Microchip дополняют обширный ... 
Силовые полупроводниковые модули подвергаются многократным испытаниям в процессе производства и эксплуатации. Поскольку стоимость и сложность тестирования достаточно высоки, важно четко понимать цель его проведения. Очень часто необходимость проверки силового ключа возникает в полевых условиях. При этом следует осознавать, что использование неправильных методик контроля может привести не только... 
Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А. 
Сегодня чаще чем когда-либо разработчики выбирают карбидокремниевые приборы (SiC) за их высокую эффективность, плотность мощности и лучшую экономическую эффективность на системном уровне по сравнению с кремниевыми (Si) компонентами. Помимо знания основных принципов проектирования, общих для SiC и Si, а также необходимости учитывать особенности характеристик, возможностей и преимуществ SiC, спец... 
Все более широкое применение высокотехнологичных SiC MOSFET- и GaN-транзисторов в современной преобразовательной технике устанавливает новые жесткие требования по надежности и эффективности не только к драйверам затвора, но и к организации питания для этих драйверов. В статье речь пойдет о 6-Вт вспомогательном сверхкомпактном изолированном источнике питания, построенном на базе нового трансформ... 
Компания Diotec Semiconductor AG представляет двойной автомобильный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-363 с защитой затвора MMFTN620KDW-AQ.
Два типа n-каналов обеспечивают непрерывный ток стока до 350 мА при температуре +25 °C, максимальное напряжение сток-исток 60 В и сопротивление в открытом состоянии менее 2 Ом при подаче напряжения на затвор 4,5 В. Особенностью устройств является защита затвора от ESD-напряжений до ±2 кВ, что делает их оптимальным решением для систем с высоким риском воздействия электростатических помех (ESD).
Это касается управления питанием для сенсорных экранов, ... 
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. 