Новые карбид-кремниевые модули на кристаллах второго поколения

Компания Mitsubishi Electric, выпускающая широкую линейку мощных SiC-модулей различных классов напряжений, анонсирует выход модулей с SiC-кристаллами второго поколения в классах напряжения 1200 и 1700 В. В сравнении с первым поколением новые модули имеют улучшенную производительность, а также более широкий модельный ряд. В статье представлены и последние достижения, полученные за счет новой тех...

Сложности оценки характеристик SiC MOSFET

Широкое распространение SiC MOSFET на рынке силовой электроники еще ограничивается их более высокой стоимостью по сравнению с Si MOSFET, но это, безусловно, временное явление и с развитием SiC-технологии ситуация будет улучшаться. В то же время более перспективные характеристики SiC требуют и более внимательного подхода к проектированию и измерению их параметров в реальных приложениях, чему и у...

SiC MOSFET в корпусах с кельвиновским выводом для зарядных станций электромобилей

Достижения в разработке корпусов для широкозонных полупроводников позволяют транзисторам SiC MOSFET работать на более высоких частотах при меньших потерях переключения. Улучшенные низкоиндуктивные корпуса дают возможность использовать все преимущества быстрой коммутации для улучшения эффективности силовых преобразователей и, соответственно, обеспечить энергосбережение для заказчиков. Простые и ...

Расчет потерь мощности при коммутации МОП-транзистора

Расчет потерь мощности при переключении МОП-транзистора не так прост, как кажется на первый взгляд. Необходимо учитывать множество факторов. К примеру: как отличаются потери транзисторов разных плечей? Каковы потери при переключении в устройствах средней и низкой мощности? Как могут помочь уникальные особенности каждого МОП-транзистора при разработке высокоэффективного устройства?

Повышая скорость: SiC-модули Mitsubishi Electric

Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен...

Особенности управления SiC MOSFET

Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве. По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...

IGBT или MOSFET? О выборе и не только…

Нет в силовой электронике элементов, развивающихся столь же быстро и имеющих так много схожих черт, как IGBT и MOSFET. Несмотря на известные преимущества и недостатки каждого из них, выбор силового модуля для конкретного применения не всегда является очевидным. В первую очередь это относится к области напряжений свыше 200–300 В, когда достоинства полевых ключей перестают быть однозначными....

Высоковольтные силовые полевые МОП-транзисторы с суперпереходом класса 600/650 В

Растущие требования к КПД силовой электроники побуждают инженеров непрерывно искать оптимальные решения. Источники питания, блоки управления электроприводом, оборудование возобновляемой энергетики, светотехника — вот типичные области применения на быстрорастущих рынках, где от силовых полупроводниковых компонентов требуется максимальная экономическая эффективность. А это подразумевает высочайши...

Проблемы обеспечения безопасности силовых ключей в аварийных режимах

Защита быстродействующих силовых ключей от аварийных режимов является одной из основных функций устройства управления. Состояние перегрузки в лучшем случае ведет к сокращению ресурса, а в худшем — к выходу элемента из строя. Перегрузка может быть вызвана разными причинами. Опасным является любой режим, при котором ток или напряжение на ключе выходят за рамки области безопасной работы (Safe Oper...

Снижение уровня динамических потерь: «мягкая» коммутация и снабберы

Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET. Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи...