IGBT-модуль 1200 В 450 А от AMG Power

Номенклатура IGBT-модулей компании AMG Power пополнилась устройством AMG450G1200MED, рассчитанным на 1200 В, 450 А и выполненным в корпусе типа Econodual. Параметры и преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED: напряжение UCES: 1200 В; ток IC: 450 А; конфигурация: полумост; корпус: Econodual; низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT (micro-pattern trench); низкие потери при переключении; надежность RBSOA; низкие потери при обратном восстановлении; низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн. ...

Обновленный SiC MOSFET-транзистор 1700 В поколения Gen2 от AMG Power

Компания AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением –5/+18 В — A2G100N1700MT4. В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS –5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии. Основные параметры A2G100N1700MT4: напряжение сток-исток: 1700 В; ток (при +25 °C): 100 A; Rds(On): 25 мОм; управляющее напряжение затвор-исток: –5/+18 В; тип корпуса: TO-247-4; суммарный заряд затвора: 168 нКл; максимальная температура ...

IGBT-модули 1200 В 600–900 А от AMG Power

Компания AMG Power расширила линейку IGBT-модулей 1200 В двумя модулями 12-го класса — на 600 и 900 А. Партномер Напряжение VCES, В Ток IC, А Корпус Топология AMG600G1200MED 1200 600 Econodual полумост AMG900G1200MED 1200 900 Econodual полумост Применение модулей: управление приводами; инверторы солнечных панелей; преобразователи высокой мощности; ИБП. Преимущества: низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT ...

Семейство SiC MOSFET 1200 В третьего поколения Gen3 от AMG Power

Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В. Применение SiC MOSFET-транзисторов: преобразователи собственных нужд электротранспорта; импульсные источники питания. Преимущества: повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость; позволяет работать на высокой частоте переключения; улучшает плотность мощности на уровне системы; уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение; удовлетворяют требованиям новых топологий с ...

DC/DC-преобразователь повышенной мощности с поддержкой PMBus для телеком-применения от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала DС/DC-преобразователь мощностью 500 Вт в корпусе ¼ brick — AMGQ500-48S12. Источник питания имеет поддержку PMBus, высокие показатели Derating и MTBF, что делает его пригодным к использованию в вычислительных системах и телеком-применении. Источник питания AMGQ500-48S12 имеет стандартизированное 2:1 входное постоянное напряжение 36–75 В, выходное постоянное напряжение 12 В постоянного тока с выходным током 42 А. Основные технические характеристики DC/DC-преобразователя AMGQ500-48S12: соответствие директиве RoHS10 ЕС 2011/65/EU & (EU)2015/863; ...

SiC MOSFET-дискреты и чипы от AMG Power

Компания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде. Параметрами изделий: напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В; ток Id: до 100 А; корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы. Преимущества SiC MOSFET: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Применение SiC МОП-транзисторов: импульсные источники питания; тяговые инверторы; ...