Компания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде.
Параметрами изделий:
напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В;
ток Id: до 100 А;
корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы.
Преимущества SiC MOSFET:
высокая эффективность на системном уровне;
выше плотность мощности системы;
снижение требований к теплоотводу;
параллельная работа без теплового пробоя.
Применение SiC МОП-транзисторов:
импульсные источники питания;
тяговые инверторы;
...
Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В.
Применение SiC MOSFET-транзисторов:
преобразователи собственных нужд электротранспорта;
импульсные источники питания.
Преимущества:
повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость;
позволяет работать на высокой частоте переключения;
улучшает плотность мощности на уровне системы;
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение;
удовлетворяют требованиям новых топологий с ... 