Семейство SiC MOSFET 1200 В третьего поколения Gen3 от AMG Power

Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В. Применение SiC MOSFET-транзисторов: преобразователи собственных нужд электротранспорта; импульсные источники питания. Преимущества: повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость; позволяет работать на высокой частоте переключения; улучшает плотность мощности на уровне системы; уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение; удовлетворяют требованиям новых топологий с ...

DC/DC-преобразователь повышенной мощности с поддержкой PMBus для телеком-применения от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала DС/DC-преобразователь мощностью 500 Вт в корпусе ¼ brick — AMGQ500-48S12. Источник питания имеет поддержку PMBus, высокие показатели Derating и MTBF, что делает его пригодным к использованию в вычислительных системах и телеком-применении. Источник питания AMGQ500-48S12 имеет стандартизированное 2:1 входное постоянное напряжение 36–75 В, выходное постоянное напряжение 12 В постоянного тока с выходным током 42 А. Основные технические характеристики DC/DC-преобразователя AMGQ500-48S12: соответствие директиве RoHS10 ЕС 2011/65/EU & (EU)2015/863; ...

SiC MOSFET-дискреты и чипы от AMG Power

Компания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде. Параметрами изделий: напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В; ток Id: до 100 А; корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы. Преимущества SiC MOSFET: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Применение SiC МОП-транзисторов: импульсные источники питания; тяговые инверторы; ...