SiC MOSFET-дискреты и чипы от AMG Power

Компания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде. Параметрами изделий: напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В; ток Id: до 100 А; корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы. Преимущества SiC MOSFET: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Применение SiC МОП-транзисторов: импульсные источники питания; тяговые инверторы; ...