Компания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде.
Параметрами изделий:
напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В;
ток Id: до 100 А;
корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы.
Преимущества SiC MOSFET:
высокая эффективность на системном уровне;
выше плотность мощности системы;
снижение требований к теплоотводу;
параллельная работа без теплового пробоя.
Применение SiC МОП-транзисторов:
импульсные источники питания;
тяговые инверторы;
...
