Диоды

Компания AMG Power анонсировала начало серийного производства линейки высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD) — передовых полупроводниковых приборов, созданных для применения в современных силовых электронных системах. Диоды представлены в нескольких типоразмерах корпусов — TO-220C-2L, TO-247-2, TO-247-3, TO-252 и TO-263-2 и охватывают широкий диапазон напряжений: 650, 1200 и 1700 В. Благодаря использованию технологий Gen 4 SiC, новые диоды обеспечивают низкое прямое падение напряжения (от 1,27 В), малую емкость перехода и высокую устойчивость к импульсным токам, что ...

Компания AMG Power анонсировала высоковольтный карбид-кремниевый (SiC) диод Шоттки A2G100D1200DT2, рассчитанный на напряжение 1200 В и способный пропускать постоянный ток до 100 А при температуре корпуса +150 °C. Диод A2G100D1200DT2 способен выдерживать кратковременный пиковый ток до 270 А при +25 °C, а также импульсный ток 550 А. Благодаря SiC-технологии, он демонстрирует нулевой ток обратного восстановления, отсутствие прямого перенапряжения при включении и температуру перехода до +175 °C, что обеспечивает исключительную надежность и стабильность в условиях высоких нагрузок. Основные ...

В статье представлены результаты испытаний новых разработок гибридных модулей на основе Si SPT IGBT и SiC-диодов Шоттки.

В статье представлены некоторые тиристорные, диодные и IGBT-модули китайской компании Zenli Rectifier. По мнению автора статьи, рассмотренные компоненты могут успешно заменить аналогичную продукцию компаний мировых лидеров. Для удобства выбора в технической документации Zenli Rectifier для ряда компонентов указаны аналоги производства компаний Infineon, IXYS (ныне Littelfuse), SEMIKRON.

В настоящее время на рынке импульсных применений силовой электроники доминируют технологии двойного назначения. Большой интерес представляют коммутаторы и генераторы импульсов тока микросекундного и субмиллисекундного диапазонов, выполненные на основе быстродействующих полупроводниковых ключей. Они по-прежнему остаются наилучшей альтернативой механическим прерывателям, игнитронам и тиратронам. ...

В статье описаны основные особенности карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC SBD) и их отличия от так называемых тельных (технологических) p-n-диодов MOSFET.

Статья знакомит читателей с компанией Global Power Technology и ее основной продукцией — SiC-диодами Шоттки. В силу ограниченного объема журнальной публикации приведены некоторые основные параметры только четырех диодов. С параметрами остальных устройств можно ознакомиться на сайте компании.

В современном оборудовании автоматизации, в том числе для потребительского сегмента и бытовой техники, контроллеры с реле, основанные на полупроводниковых компонентах, получают все большее распространение. Такое технологическое развитие стало возможным благодаря ряду инноваций, которые в последние десятилетия внедрены в области технологий производства транзисторов, диодов и связанных с ними ком...

В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.

Компания Wolfspeed дополнила семейство 650-В SiC-диодов Шоттки новинками на токи 10, 8 и 6 А в корпусе TO-263-2. Преимущества диодов: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Особенности: нулевой обратный ток восстановления; нулевое прямое напряжение восстановления; низкое прямое падение напряжения (VF); низкий ток утечки (Ir); режим переключения не зависит от температуры; положительный температурный коэффициент на VF. Применение диодов: импульсные ...