В статье представлены некоторые тиристорные, диодные и IGBT-модули китайской компании Zenli Rectifier. По мнению автора статьи, рассмотренные компоненты могут успешно заменить аналогичную продукцию компаний мировых лидеров. Для удобства выбора в технической документации Zenli Rectifier для ряда компонентов указаны аналоги производства компаний Infineon, IXYS (ныне Littelfuse), SEMIKRON. 
В настоящее время на рынке импульсных применений силовой электроники доминируют технологии двойного назначения. Большой интерес представляют коммутаторы и генераторы импульсов тока микросекундного и субмиллисекундного диапазонов, выполненные на основе быстродействующих полупроводниковых ключей. Они по-прежнему остаются наилучшей альтернативой механическим прерывателям, игнитронам и тиратронам. ... 
В статье описаны основные особенности карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC SBD) и их отличия от так называемых тельных (технологических) p-n-диодов MOSFET. 
Статья знакомит читателей с компанией Global Power Technology и ее основной продукцией — SiC-диодами Шоттки. В силу ограниченного объема журнальной публикации приведены некоторые основные параметры только четырех диодов. С параметрами остальных устройств можно ознакомиться на сайте компании. 
В современном оборудовании автоматизации, в том числе для потребительского сегмента и бытовой техники, контроллеры с реле, основанные на полупроводниковых компонентах, получают все большее распространение. Такое технологическое развитие стало возможным благодаря ряду инноваций, которые в последние десятилетия внедрены в области технологий производства транзисторов, диодов и связанных с ними ком... 
В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики. 
Компания Wolfspeed дополнила семейство 650-В SiC-диодов Шоттки новинками на токи 10, 8 и 6 А в корпусе TO-263-2.
Преимущества диодов:
высокая эффективность на системном уровне;
выше плотность мощности системы;
снижение требований к теплоотводу;
параллельная работа без теплового пробоя.
Особенности:
нулевой обратный ток восстановления;
нулевое прямое напряжение восстановления;
низкое прямое падение напряжения (VF);
низкий ток утечки (Ir);
режим переключения не зависит от температуры;
положительный температурный коэффициент на VF.
Применение диодов:
импульсные ... 
В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще... 
В последние годы прогрессирующими темпами растет число приложений, которым для достижения большей компактности, экономии веса и максимально высокой эффективности требуются преобразователи, действующие на высоких рабочих частотах. Учитывая такую тенденцию, все более востребованными становятся полупроводниковые устройства, способные функционировать на высоких частотах коммутации с большой скорост... 
Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода. 
