Выбор SiC-диодов Шоттки для активных корректоров коэффициента мощности, работающих в режиме непрерывных токов

Карбид-кремниевые (SiC) диоды Шоттки являются оптимальными полупроводниковыми приборами для использования в качестве диодов повышающей ступени в активных корректорах коэффициента мощности (ККМ), работающих в режиме непрерывных (средних) токов (Continuous Current Mode, CCM). Это связано с присущим диодам этой технологии малым влиянием эффекта обратного восстановления, что обеспечивает нулевой об...

SiC-диоды Шоттки в корректорах коэффициента мощности

Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI.

Силовые диоды компании Microsemi

Microsemi Corporation (Microsemi), известный разработчик высоконадежных полупроводниковых дискретных и модульных компонентов, большое внимание уделяет постоянному улучшению рабочих характеристик и предельных параметров своей продукции. Устройства силовой электроники компании находят применение в системах электропитания различных вычислительных комплексов, базовых станций беспроводной связи, про...

Диоды на основе SiC повышают эффективность солнечных энергосистем

Диоды на основе карбида кремния (SiC) достаточно быстро проникли на такой стремительно развивающийся рынок, как повышающие DC/DC-преобразователи и инверторы для солнечной энергетики, что особенно заметно в США и Европе. Так, SiC-диоды Шоттки с номинальными рабочими напряжениями 1200 В и 1700 В, которые выпускает основанное в 2015 г. и специализирующееся в области этой технологии подразделение W...

Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения

Проведено экспериментальное исследование влияния параметра dV/dt на пробой SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» при подаче импульса обратного напряжения. Исследование проведено с помощью разработанного отечественного тестера, позволяющего генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс. Установлено, что серийно выпускаемые и вновь создававаемые SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУП...

Некоторые особенности конструирования мощных выпрямительно-ограничительных диодов для сетевых защитных устройств

На основе анализа принципов конструирования и результатов исследования экспериментальных образцов мощных кремниевых ограничителей напряжения в статье показана возможность разработки и производства полупроводниковых ограничителей напряжения (ПОН) с рассеиваемой импульсной мощностью (tф/tи = 10/1000 мкс) до 100–150 кВт. Причем в основу конструкций мощных ПОН с симметричной ВАХ положены электричес...

Технология SiC в модулях SEMIKRON

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик электронных ключей. На сегодня наиболее широкое распространение на рынке силовой электроники получили кремниевые MOSFET/IGBT-модули и PN-диоды. Основным препятствием на пути их дальнейшего совершенствования я...

CoolSiC-диоды Шоттки для автомобильных применений от Infineon

Компания Infineon Technologies AG представила линейку карбид-кремниевых компонентов: новое семейство CoolSiC-диодов Шоттки, готовых для установки в существующие и будущие бортовые зарядные системы (БЗС) в гибридных и электрических автомобилях. Компания Infineon специально разработала диоды, отвечающие высоким требованиям автомобильной промышленности в отношении надежности, качества и функциональности. Новое семейство основано на пятом поколении диодов Шоттки, которое было дополнительно усовершенствовано, чтобы соответствовать требованиям автомобильной промышленности в отношении надежности. ...

О «феноменальном» поведении диодов

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...

Исследования параметров и характеристик SIC-диодов Шоттки в гибридных IGBT-модулях ОАО «Электровыпрямитель»

Представлены результаты исследований параметров и характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки на напряжение 1200 В, используемых в гибридных IGBT-модулях в качестве оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD), а также в линейке высокочастотных SiC-диодных модулей.