Снижение уровня динамических потерь: «мягкая» коммутация и снабберы

Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET. Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи...

Исследования диодов с быстрым восстановлением в ключевых схемах IGBT-модулей на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик быстровосстанавливающихся диодов (FRD) на напряжение 1200 В, используемых в IGBT-модулях в качестве защитных оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD) при работе на индуктивную нагрузку. Измерения проводились на образцах от трех производителей, отличающихся структурой полупроводникового кристалла и технологией изготовле...

Влияние выбора диода на характеристики силовой системы

В статье рассматривается применение диодов семейства Rapid компании Infineon. Важно использовать силовые приборы, оптимизированные под конкретные условия работы силовой системы.

4,5-кВ IGBT и диоды для электроэнергетики

Для построения систем передачи энергии, действующих на постоянном токе и при высоком напряжении, создано новое поколение кристаллов IGBT и диодов с рабочим напряжением 4,5 кВ. Эти приборы оптимизированы для функционирования с низкими статическими потерями в сочетании с быстрым включением при коммутации больших токов и напряжений. В кристаллах реализована высокая надежность в режимах короткого з...

Дешевые варисторы или дорогие TVS-диоды?

Варисторы и супрессоры (TVS-диоды) — хорошо известные компоненты, широко распространенные в электронной аппаратуре для защиты от импульсных перенапряжений. Когда речь заходит о мощных, но очень коротких импульсах наносекундного диапазона с крутыми передними фронтами, такими как ЭМИ ЯВ, возникает вопрос о применимости варисторов и TVS-диодов для данной цели. Поскольку в технической литературе не...

Мощные TVS-диоды в корпусе DO-218AB от Taiwan Semiconductor

В статье приведены типовые характеристики новых мощных TVS-диодов серии TLD5S/6S/8S компании Taiwan Semiconductor (TSC) в SMD-корпусе DO-218AB, предназначенных для подавления импульсных выбросов напряжения в бортовой сети автомобиля.

Диоды PEP/CAL — новые поколения чипов SEMIKRON

Диоды SEMIKRON, производимые с применением усовершенствованной технологии РЕР (Power Enhancing Passivation, рис. 1), представляют новое поколение выпрямительных полупроводниковых приборов. При их изготовлении используется отработанный процесс формования кристаллов MESA (mesa edge termination), известный по классическим диодам SKR (SEMIKRON Rectifier) [3], в сочетании с инновационным методом пас...

Оценка стойкости диодов Wolfspeed SiC Шоттки к dV/dt с помощью генератора импульсов на основе лавинного транзистора

В данной работе дано описание скоростного высоковольтного генератора импульсов, используемого для оценки стойкости карбидокремниевых диодов компании Wolfspeed к dV/dt. Разработка схемы и конструкции, а также измерение характеристик высокоскоростного генератора импульсов будут описаны вместе с оценкой стойкости к dV/dt SiC-диодов Шоттки с напряжением 600 и 1200 В.

Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi

Активная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. В настоящее время спектр предлагаемых Microsemi полупроводниковых устройств простирается от обычных дискр...

SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации

Замена кремниевых сверхбыстрых (Ultrafast) Si-диодов с плавной характеристикой восстановления, используемых в качестве оппозитных IGBT в режиме жесткой коммутации, на карбидокремниевые диоды Шоттки (SiC Schottky) позволяет снизить коммутационные потери в диоде на 80% и в IGBT на 50%.