Высокоскоростные гибридные модули с комбинацией высокоскоростных IGBT с диодами SiC-SBD

В последние годы прогрессирующими темпами растет число приложений, которым для достижения большей компактности, экономии веса и максимально высокой эффективности требуются преобразователи, действующие на высоких рабочих частотах. Учитывая такую тенденцию, все более востребованными становятся полупроводниковые устройства, способные функционировать на высоких частотах коммутации с большой скорост...

Конструкция и принцип действия CIBH-диода

Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода.

Карбид кремния выводит диоды Шоттки 17-го класса на новый уровень

Хотя карбид кремния (SiC) был открыт Йенсом Якобом Берцелиусом (Jöns Jakob Berzelius) еще в начале XIX в., для производства коммерческих полупроводников этот материал стал применяться только в последние 20 лет. Впервые SiC был использован в серийном производстве для изготовления сверхъярких голубых и зеленых светодиодов компании Cree. И только семь лет назад началось производство коммерческих 6...

Диоды и тиристоры — это очень просто! Часть 4. Структура и принцип работы

Знание принципов работы полупроводниковых приборов необходимо специалистам, занимающимся проектированием преобразовательной техники. Мы продолжаем рассмотрение базовых вопросов, связанных со структурой диодов и тиристоров и их электрическими характеристиками.

Снижение уровня динамических потерь: «мягкая» коммутация и снабберы

Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET. Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи...

Исследования диодов с быстрым восстановлением в ключевых схемах IGBT-модулей на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик быстровосстанавливающихся диодов (FRD) на напряжение 1200 В, используемых в IGBT-модулях в качестве защитных оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD) при работе на индуктивную нагрузку. Измерения проводились на образцах от трех производителей, отличающихся структурой полупроводникового кристалла и технологией изготовле...

Влияние выбора диода на характеристики силовой системы

В статье рассматривается применение диодов семейства Rapid компании Infineon. Важно использовать силовые приборы, оптимизированные под конкретные условия работы силовой системы.

4,5-кВ IGBT и диоды для электроэнергетики

Для построения систем передачи энергии, действующих на постоянном токе и при высоком напряжении, создано новое поколение кристаллов IGBT и диодов с рабочим напряжением 4,5 кВ. Эти приборы оптимизированы для функционирования с низкими статическими потерями в сочетании с быстрым включением при коммутации больших токов и напряжений. В кристаллах реализована высокая надежность в режимах короткого з...

Дешевые варисторы или дорогие TVS-диоды?

Варисторы и супрессоры (TVS-диоды) — хорошо известные компоненты, широко распространенные в электронной аппаратуре для защиты от импульсных перенапряжений. Когда речь заходит о мощных, но очень коротких импульсах наносекундного диапазона с крутыми передними фронтами, такими как ЭМИ ЯВ, возникает вопрос о применимости варисторов и TVS-диодов для данной цели. Поскольку в технической литературе не...

Мощные TVS-диоды в корпусе DO-218AB от Taiwan Semiconductor

В статье приведены типовые характеристики новых мощных TVS-диодов серии TLD5S/6S/8S компании Taiwan Semiconductor (TSC) в SMD-корпусе DO-218AB, предназначенных для подавления импульсных выбросов напряжения в бортовой сети автомобиля.