Реклама

  • баннер выставки электроника россии 23
  • ExpoElectronica 2023

Диоды

Обзор продуктов IXYS.
Твердотельные реле и полупроводниковые модули высокой мощности
В современном оборудовании автоматизации, в том числе для потребительского сегмента и бытовой техники, контроллеры с реле, основанные на полупроводниковых компонентах, получают все большее распространение. Такое технологическое развитие стало возможным благодаря ряду инноваций, которые в последние десятилетия внедрены в области технологий производства транзисторов, диодов и связанных с ними ком...

06.07.2022 | Компоненты силовой электроники, Диоды, Реле, MOSFET, Модули
Метки:
Оставить комментарий

«Мицубиси Электрик» запускает производство дискретных SiC-диодов и транзисторов в корпусах TO-247
В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.

07.02.2022 | Компоненты силовой электроники, Диоды, Транзисторы
Метки:
Оставить комментарий

Расширение семейства 650-В SiC-диодов Шоттки от Wolfspeed
Компания Wolfspeed дополнила семейство 650-В SiC-диодов Шоттки новинками на токи 10, 8 и 6 А в корпусе TO-263-2. Преимущества диодов: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Особенности: нулевой обратный ток восстановления; нулевое прямое напряжение восстановления; низкое прямое падение напряжения (VF); низкий ток утечки (Ir); режим переключения не зависит от температуры; положительный температурный коэффициент на VF. Применение диодов: импульсные ...

28.01.2022 | Компоненты силовой электроники, Диоды
Метки:
Оставить комментарий

Высоковольтные RFC-диоды X-серии с мягкой характеристикой восстановления
В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще...

27.12.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды
Метки:
Оставить комментарий

Высокоскоростные гибридные модули с комбинацией высокоскоростных IGBT с диодами SiC-SBD
В последние годы прогрессирующими темпами растет число приложений, которым для достижения большей компактности, экономии веса и максимально высокой эффективности требуются преобразователи, действующие на высоких рабочих частотах. Учитывая такую тенденцию, все более востребованными становятся полупроводниковые устройства, способные функционировать на высоких частотах коммутации с большой скорост...

30.08.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, IGBT, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Конструкция и принцип действия CIBH-диода
Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода.

03.08.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды
Метки:
Оставить комментарий

Карбид кремния выводит диоды Шоттки 17-го класса на новый уровень
Хотя карбид кремния (SiC) был открыт Йенсом Якобом Берцелиусом (Jöns Jakob Berzelius) еще в начале XIX в., для производства коммерческих полупроводников этот материал стал применяться только в последние 20 лет. Впервые SiC был использован в серийном производстве для изготовления сверхъярких голубых и зеленых светодиодов компании Cree. И только семь лет назад началось производство коммерческих 6...

21.07.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Диоды и тиристоры — это очень просто! Часть 4. Структура и принцип работы
Знание принципов работы полупроводниковых приборов необходимо специалистам, занимающимся проектированием преобразовательной техники. Мы продолжаем рассмотрение базовых вопросов, связанных со структурой диодов и тиристоров и их электрическими характеристиками.

22.04.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, Тиристоры
Метки:
Оставить комментарий

Снижение уровня динамических потерь: «мягкая» коммутация и снабберы
Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET. Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи...

21.03.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, MOSFET, IGBT
Оставить комментарий

Исследования диодов с быстрым восстановлением в ключевых схемах IGBT-модулей на напряжение 1200 В
В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик быстровосстанавливающихся диодов (FRD) на напряжение 1200 В, используемых в IGBT-модулях в качестве защитных оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD) при работе на индуктивную нагрузку. Измерения проводились на образцах от трех производителей, отличающихся структурой полупроводникового кристалла и технологией изготовле...

01.03.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2023 Силовая электроника