В статье рассмотрены преимущества и прикладные аспекты практического применения недавно разработанного силового SiC-модуля производства компании Rohm и его использование в преобразователе силовой передачи. Приведено сравнение производительности карбид-кремниевого и классического кремниевого (Si) преобразователей. 
В последние годы прогрессирующими темпами растет число приложений, которым для достижения большей компактности, экономии веса и максимально высокой эффективности требуются преобразователи, действующие на высоких рабочих частотах. Учитывая такую тенденцию, все более востребованными становятся полупроводниковые устройства, способные функционировать на высоких частотах коммутации с большой скорост... 
Настоящая статья посвящена прикладной задаче построения преобразователя и предназначена для практикующих разработчиков. Цель статьи — не показать теорию, а по возможности предостеречь от распространенных ошибок при проектировании реального изделия. Разумеется, данная публикация не охватывает все возможные преобразователи и в большей степени подходит для типовых схем на основе IGBT 6–17-го класс... 
Практически любой разработчик в области силовой электроники знает, что такое драйвер IGBT-транзистора, что он собой представляет и как выглядит. Есть и понимание того, что драйвер выполняет защитные функции. Однако зачем нужна какая-то функция, как выглядит ее работа и каковы ее типовые характеристики — это не всегда понятно. Для устранения возможных пробелов в понимании защиты силового транзис... 
Поскольку силовые электронные системы становятся все миниатюрнее, LEM представляет три новых семейства компактных датчиков тока прямого усиления, способных измерять более высокие токи, чем датчики прежних поколений с такими же габаритами, или аналогичные токи при меньшем размере. Высокая производительность достигается благодаря использованию единой специализированной микросхемы ASIC, выполняюще... 
Достижения в разработке корпусов для широкозонных полупроводников позволяют транзисторам SiC MOSFET работать на более высоких частотах при меньших потерях переключения. Улучшенные низкоиндуктивные корпуса дают возможность использовать все преимущества быстрой коммутации для улучшения эффективности силовых преобразователей и, соответственно, обеспечить энергосбережение для заказчиков. Простые и ... 
В статье представлены результаты исследований мощных тиристоров с прямым управлением светом в предельных режимах работы высоковольтных коммутаторов больших импульсных токов, значительно превышающих рабочий режим. Исследовались четырехдюймовые 4,5-кВ импульсные фототиристоры, предназначенные для 100-кА/12-кВ разрядных ключей емкостных накопителей электрической энергии с временами разрядного проц... 
Литий-ионные аккумуляторы являются взрывоопасными зарядными устройствами, обращение с которыми требует осторожности, особенно в случае их пере- и недозаряда, когда аккумуляторные батареи работают в так называемой «серой зоне».
Трудность осторожного обращения и сохранения работоспособности аккумулятора во время заряда/разряда растет пропорционально увеличению его емкости и сложности конструкции... 
В статье обсуждаются технические аспекты нового модуля EconoDUAL 3 с транзисторами средней мощности TRENCHSTOP IGBT 7 и соответствующего ему управляемого эмиттером диода EC7 для применения в индустриальных приводах общего назначения. 
Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода. 