Повышение энергоэффективности промышленных систем с карбидом кремния (SiC)
В статье рассказывается о преимуществах карбида кремния (SiC) и приборов на его основе по отношению к кремнию (Si). Компоненты силовой электроники
В статье рассказывается о преимуществах карбида кремния (SiC) и приборов на его основе по отношению к кремнию (Si). MOSFET MMFTN620KDW-AQ от компании Diotec
Компания Diotec Semiconductor AG представляет двойной автомобильный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-363 с защитой затвора MMFTN620KDW-AQ.
Два типа n-каналов обеспечивают непрерывный ток стока до 350 мА при температуре +25 °C, максимальное напряжение сток-исток 60 В и сопротивление в открытом состоянии менее 2 Ом при подаче напряжения на затвор 4,5 В. Особенностью устройств является защита затвора от ESD-напряжений до ±2 кВ, что делает их оптимальным решением для систем с высоким риском воздействия электростатических помех (ESD).
Это касается управления питанием для сенсорных экранов, ... Вы за SiC или кремний?
Часть 6. Использование полевых SiC-транзисторов в блоках питания центров обработки данных и телекоммуникационного оборудования
Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт... Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 3. Влияние параметров цепи управления на коммутационные характеристики
Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци... Модуль IGBT 7-го поколения серии X для повышения энергосбережения на железнодорожном транспорте
Японская компания Fuji Electric Co., Ltd. сообщает о начале производства модуля HPnC (конструктив силового модуля нового поколения) на базе 7-го поколения IGBT X-серии (биполярный транзистор с изолированным затвором), ориентированного на железнодорожный рынок. Новые двухпозиционные тиристорные модули на ток 700 А со сниженными статическими и тепловыми потерями
Показаны результаты модернизации силовых двухпозиционных тиристорных и тиристорно-диодных модулей модификаций МТ3, МТ4, МТ5, МТ/Д3, МТ/Д4 и МТ/Д5 с шириной основания 60 мм, рассчитанных на напряжение 1800 В. «Мицубиси Электрик» запускает производство дискретных SiC-диодов и транзисторов в корпусах TO-247
В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики. Управление SiC MOSFET с помощью драйверов затвора с оптической развязкой ACPL-W346 и ACPL-339J
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. Пиковый ток в изолированных драйверах затвора
При выборе драйвера управления затвором транзистора одним из главных параметров является величина тока, которую сможет обеспечить данный компонент. Пиковый ток — это одна из наиболее важных технических характеристик драйвера затвора, основной и конечный показатель мощности драйвера, кроме того, он также определяет скорость включения/отключения MOSFET/IGBT.
Термин «пиковый ток» довольно широко ... Высоковольтный полупроводниковый ключ на основе реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью для коммутации мощных двуполярных импульсов тока
В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо...