Показаны результаты модернизации силовых двухпозиционных тиристорных и тиристорно-диодных модулей модификаций МТ3, МТ4, МТ5, МТ/Д3, МТ/Д4 и МТ/Д5 с шириной основания 60 мм, рассчитанных на напряжение 1800 В. 
В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики. 
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. 
При выборе драйвера управления затвором транзистора одним из главных параметров является величина тока, которую сможет обеспечить данный компонент. Пиковый ток — это одна из наиболее важных технических характеристик драйвера затвора, основной и конечный показатель мощности драйвера, кроме того, он также определяет скорость включения/отключения MOSFET/IGBT.
Термин «пиковый ток» довольно широко ... 
В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо... 
Компания Wolfspeed дополнила семейство 650-В SiC-диодов Шоттки новинками на токи 10, 8 и 6 А в корпусе TO-263-2.
Преимущества диодов:
высокая эффективность на системном уровне;
выше плотность мощности системы;
снижение требований к теплоотводу;
параллельная работа без теплового пробоя.
Особенности:
нулевой обратный ток восстановления;
нулевое прямое напряжение восстановления;
низкое прямое падение напряжения (VF);
низкий ток утечки (Ir);
режим переключения не зависит от температуры;
положительный температурный коэффициент на VF.
Применение диодов:
импульсные ... 
Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи... 
В аварийных режимах, особенно в системах HVDC, IGBT-модули в последовательной или параллельной конфигурации должны выдерживать высокие линейные напряжения (Vline) и при этом безопасно отключаться. В таких экстремальных условиях полупроводниковые приборы обычно функционируют за пределами рекомендованной в технической документации области безопасной работы (RBSOA), ограничивающей режим отключения... 
Защита двигателей в аварийных ситуациях при одновременном обеспечении качества электроэнергии, получаемой от возобновляемых источников, всегда была основополагающим условием при проектировании различных устройств от ветротурбин до железнодорожных тяговых приводов.
Одним из ключевых требований при этом является обеспечение надежности и безопасности системы, для чего необходимо измерение входног... 
Несколько лет назад компания SEMIKRON начала предлагать инженерные образцы адаптерных плат, предназначенных для тестирования модулей SEMIKRON в различных приложениях. Отладочные платы имеют синий цвет маски, что отличает их от серийных изделий с маской зеленого цвета, как видно из представленных далее фотографий.
Идея хорошо себя зарекомендовала: использование подобных изделий упрощает и ускор... 
