Переключатели на основе карбида кремния (SiC): характеристики, преимущества и применение

Уже несколько лет широкозонные полупроводники остаются популярной темой, они по праву перешли из категории технологий будущего в категорию крупного рыночного сегмента, их прогнозируемый прирост на рынке — 33,4% CAGR в течение следующих пяти лет и достижение $1,82 млрд до 2024 года [1]. Широкозонные устройства изготавливаются с помощью либо карбида кремния (SiC), либо нитрида галлия (GaN). До на...

Электробезопасность оптических изоляторов в условиях возможных отказов в силовых преобразователях

В статье описано влияние возможных отказов незащищенных IGBT на изоляционный барьер драйверов затвора с оптической изоляцией компании Broadcom.

Высоковольтные RFC-диоды X-серии с мягкой характеристикой восстановления

В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще...

Вы за SiC или кремний? Часть 4. Как создать лучшие тяговые инверторы для электромобиля? Ответ: использовать SiC!

Это четвертая публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла были описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в двух основных узлах современного электрического транспортного средства — встроенном зарядном устройстве и...

Выбор быстродействующего силового предохранителя для высоковольтных приложений

Современное силовое и энергетическое оборудование является важной частью производственной и жилой инфраструктуры. Подобные изделия проектируются и производятся с расчетом на длительное время эксплуатации, составляющее десятки лет. Поэтому вопрос защиты оборудования и связанной инфраструктуры становится очень важным на всех этапах разработки и эксплуатации. Данная статья должна помочь сделать пр...

Мощные SiC-MOSFET-модули в компактном корпусе нового поколения от японской компании SanRex

Огромный толчок в развитии современной преобразовательной техники произошел благодаря внедрению в массовое производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния, использование которого позволяет выйти устройствам на новый уровень за счет улучшения энергетических качеств, увеличения КПД и удельной мощности, а также уменьшения массогабаритных показателей. В статье рассмотрены решени...

Вы за SiC или кремний?
Часть 3. Тенденции в применении SiC в электромобилях

Это третья публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — предоставить систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и областях ее применения. Первая и вторая части цикла в авторском пе...

SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода

Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо...

Семейство оптопар ACNT компании Broadcom для применения в высоковольтных решениях

В статье рассказывается о новом семействе оптопар ACNT компании Broadcom, особенностях и преимуществах применения таких устройств в высоковольтных решениях.

Особенности измерения блокирующего напряжения силовых транзисторов

Рассмотрены особенности измерения блокирующего напряжения и тока утечки силовых транзисторов, а также причины, которые приводят к возникновению ошибок измерения данных параметров. Представлены измеренные вольт-амперные характеристики партии IGBT-транзисторов, на примере которых показаны особенности отбраковки потенциально ненадежных транзисторов. Описана принципиальная схема простого измеритель...