Реклама

Компоненты силовой электроники

Высоковольтный полупроводниковый ключ на основе реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью для коммутации мощных двуполярных импульсов тока
В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо...

28.01.2022 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Расширение семейства 650-В SiC-диодов Шоттки от Wolfspeed
Компания Wolfspeed дополнила семейство 650-В SiC-диодов Шоттки новинками на токи 10, 8 и 6 А в корпусе TO-263-2. Преимущества диодов: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Особенности: нулевой обратный ток восстановления; нулевое прямое напряжение восстановления; низкое прямое падение напряжения (VF); низкий ток утечки (Ir); режим переключения не зависит от температуры; положительный температурный коэффициент на VF. Применение диодов: импульсные ...

28.01.2022 | Компоненты силовой электроники, Диоды
Метки:
Оставить комментарий

Вы за SiC или кремний?
Часть 5. SiC-транзисторы сверхвысокого рабочего напряжения и суперкаскоды
Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи...

24.01.2022 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, SiC
Оставить комментарий

IGBT Trench 6,5-кВ/1000-A модуль расширяет границы RBSOA на различных температурах
В аварийных режимах, особенно в системах HVDC, IGBT-модули в последовательной или параллельной конфигурации должны выдерживать высокие линейные напряжения (Vline) и при этом безопасно отключаться. В таких экстремальных условиях полупроводниковые приборы обычно функционируют за пределами рекомендованной в технической документации области безопасной работы (RBSOA), ограничивающей режим отключения...

20.01.2022 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Новая серия датчиков напряжения DVC 1000 от компании LEM
Защита двигателей в аварийных ситуациях при одновременном обеспечении качества электроэнергии, получаемой от возобновляемых источников, всегда была основополагающим условием при проектировании различных устройств от ветротурбин до железнодорожных тяговых приводов. Одним из ключевых требований при этом является обеспечение надежности и безопасности системы, для чего необходимо измерение входног...

18.01.2022 | Компоненты силовой электроники, Датчики напряжения
Метки:
Оставить комментарий

Blue Boards — отладочные комплекты SEMIKRON для разработчиков
Несколько лет назад компания SEMIKRON начала предлагать инженерные образцы адаптерных плат, предназначенных для тестирования модулей SEMIKRON в различных приложениях. Отладочные платы имеют синий цвет маски, что отличает их от серийных изделий с маской зеленого цвета, как видно из представленных далее фотографий. Идея хорошо себя зарекомендовала: использование подобных изделий упрощает и ускор...

17.01.2022 | Компоненты силовой электроники, Модули
Метки:
Оставить комментарий

Установка для тестирования SiC MOSFET методом двойного импульса
В статье описывается испытательная установка, предназначенная для тестирования характеристик SiC MOSFET методом двойного импульса. Установка представляет собой классический «двухимпульсный» тестер, содержащий все необходимые компоненты, размещенные на одной печатной плате, и обеспечивающий повторяемость измерений. Фотография приспособления показана на рис. 1.

14.01.2022 | MOSFET, Измерительные приборы, SiC
Метки:
2 комментария

Индивидуальное устройство автоматического включения резервного питания электронной аппаратуры РЗА
В электроэнергетике критически важные электронные устройства релейной защиты и автоматики нуждаются в приборах автоматического включения резервного питания (АВР). Широко применявшаяся в течение десятилетий схема с диодной развязкой между двумя секциями системы электропитания постоянного тока оказалась проблематичной. В статье сформулированы требования к индивидуальным устройствам АВР, устойчивы...

06.01.2022 | Компоненты силовой электроники, Источники питания, Реле
Оставить комментарий

Встроенный термодатчик и «виртуальная» температура кристалла: как использовать сенсор для анализа тепловых режимов силового модуля
Многие современные силовые модули имеют в своем составе датчик температуры, как правило, чип-резистор, установленный на изолирующей DBC-подложке. В первую очередь это необходимо для работы схемы защиты от перегрева, но есть и еще один законный вопрос: можно ли использовать встроенный сенсор для определения «виртуальной» температуры кристаллов? Существует несколько вариантов решения проблемы, за...

05.01.2022 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Инновационная технология корпусирования Source-Down от компании Infineon
В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая...

30.12.2021 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2025 Силовая электроника