В аварийных режимах, особенно в системах HVDC, IGBT-модули в последовательной или параллельной конфигурации должны выдерживать высокие линейные напряжения (Vline) и при этом безопасно отключаться. В таких экстремальных условиях полупроводниковые приборы обычно функционируют за пределами рекомендованной в технической документации области безопасной работы (RBSOA), ограничивающей режим отключения... 
Защита двигателей в аварийных ситуациях при одновременном обеспечении качества электроэнергии, получаемой от возобновляемых источников, всегда была основополагающим условием при проектировании различных устройств от ветротурбин до железнодорожных тяговых приводов.
Одним из ключевых требований при этом является обеспечение надежности и безопасности системы, для чего необходимо измерение входног... 
Несколько лет назад компания SEMIKRON начала предлагать инженерные образцы адаптерных плат, предназначенных для тестирования модулей SEMIKRON в различных приложениях. Отладочные платы имеют синий цвет маски, что отличает их от серийных изделий с маской зеленого цвета, как видно из представленных далее фотографий.
Идея хорошо себя зарекомендовала: использование подобных изделий упрощает и ускор... 
В статье описывается испытательная установка, предназначенная для тестирования характеристик SiC MOSFET методом двойного импульса. Установка представляет собой классический «двухимпульсный» тестер, содержащий все необходимые компоненты, размещенные на одной печатной плате, и обеспечивающий повторяемость измерений. Фотография приспособления показана на рис. 1. 
В электроэнергетике критически важные электронные устройства релейной защиты и автоматики нуждаются в приборах автоматического включения резервного питания (АВР). Широко применявшаяся в течение десятилетий схема с диодной развязкой между двумя секциями системы электропитания постоянного тока оказалась проблематичной. В статье сформулированы требования к индивидуальным устройствам АВР, устойчивы... 
Многие современные силовые модули имеют в своем составе датчик температуры, как правило, чип-резистор, установленный на изолирующей DBC-подложке. В первую очередь это необходимо для работы схемы защиты от перегрева, но есть и еще один законный вопрос: можно ли использовать встроенный сенсор для определения «виртуальной» температуры кристаллов? Существует несколько вариантов решения проблемы, за... 
В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая... 
Уже несколько лет широкозонные полупроводники остаются популярной темой, они по праву перешли из категории технологий будущего в категорию крупного рыночного сегмента, их прогнозируемый прирост на рынке — 33,4% CAGR в течение следующих пяти лет и достижение $1,82 млрд до 2024 года [1]. Широкозонные устройства изготавливаются с помощью либо карбида кремния (SiC), либо нитрида галлия (GaN). До на... 
В статье описано влияние возможных отказов незащищенных IGBT на изоляционный барьер драйверов затвора с оптической изоляцией компании Broadcom. 
В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще... 
