SiC-приборы готовы к применению в жестких условиях окружающей среды
Новый модуль Wolfspeed удовлетворяет требованиям по надежности для силовых преобразовательных систем в возобновляемой энергетике и на транспорте. SiC
Новый модуль Wolfspeed удовлетворяет требованиям по надежности для силовых преобразовательных систем в возобновляемой энергетике и на транспорте. Коммутационные возможности 750 A/3300 В сдвоенных SiC-модулей
Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т... SiC силовые приборы: прорыв на системном уровне
Необходимы прогрессивные решения на системном уровне, призывает Гай Мокси, директор Wolfspeed, чтобы реализовать преимущества, которые обеспечивают приборы на основе карбида кремния (SiC) для проектирования устройств силовой электроники. Оптроны для управления затвором карбид-кремниевых MOSFET
В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбид-кремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников. Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике
На рынке в течение многих лет ходят разговоры о концепциях и планах по выпуску широкозонных приборов, обладающих массой новых возможностей. Тем не менее вы не можете сделать что-либо на базе презентации PowerPoint или предварительной спецификации. Эта статья подтверждает тот факт, что компания Wolfspeed вышла далеко за рамки любой шумихи, разговоров и поддельных новостей и стала пионером широко... Проектировщики систем с применением SiC и GaN больше не работают вслепую
Появление технологий SiC и GaN привело к революционным изменениям в силовой электронной промышленности. Использование этих новых материалов позволяет значительно повысить эффективность всей преобразовательной системы, что было немыслимо еще несколько лет назад.
В реальном мире не существует электронных ключей с идеальной коммутационной характеристикой, однако появляются новые классы полупровод... Инвертор 250 кВт на основе SiC силового модуля Wolfspeed с индуктивностью 5,5 нГн
В статье описан прототип инвертора мощностью 250 кВт, разработанный с применением карбидокремниевых (SiC) высокоскоростных, низкоиндуктивных силовых модулей. Он использован для демонстрации динамических свойств DC-шины, определяемых соотношением паразитных параметров контура коммутации и динамики переключения. Взаимодействие распределенных элементов структуры DC-шины и динамики коммутации в диа... 100% SiC или гибрид?
Инновации в сфере силовой электроники связаны в первую очередь с внедрением широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. Карбид кремния рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для разработки новых поколений силовых ключей. Особенностям SiC-технологии по... Проблемы параллельного соединения SiC MOSFET
В статье представлена разработка трехфазного инвертора мощностью 312 кВА с использованием десяти параллельных модулей SiC MOSFET в каждой фазе. Описаны процесс проектирования цепи управления затворами с защитой от короткого замыкания и компоновки силового каскада. Проверка эффективности драйвера затворов выполнена с помощью «двухимпульсного» теста. Кроме того, проведены электрические и тепловые... Силовые SiC-модули для высоковольтных приложений
Разработка силовых приборов с высоким рабочим напряжением (6,5 кВ и выше) позволила передавать большую мощность при заданном токе и уменьшить количество ключей, необходимых для реализации данных величин напряжения в многоуровневых преобразователях. Силовые приборы на основе карбида кремния имеют значительно большее блокирующее напряжение (до десятков киловольт), более высокие частоты коммутации...