Подразделение силовых компонентов компании Сree известно как крупнейший производитель диодов на основе карбида кремния (SiC), применяемых в системах контроля и управления питанием различных устройств. Вместе с тем в силовой электронике технология SiC новая и малоосвоенная. О проблемах серийного производства SiC-компонентов и перспективах технологии нам рассказал Эрих Никлас (Erich Niklas), мене...

Хотя карбид кремния (SiC) был открыт Йенсом Якобом Берцелиусом (Jöns Jakob Berzelius) еще в начале XIX в., для производства коммерческих полупроводников этот материал стал применяться только в последние 20 лет. Впервые SiC был использован в серийном производстве для изготовления сверхъярких голубых и зеленых светодиодов компании Cree. И только семь лет назад началось производство коммерческих 6...

Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен...

Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве. По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...

Компания «Мицубиси Электрик» примет участие в деловой программе выставки «Электроника-Транспорт 2021»с техническим семинаром на тему «Новая линейка силовых Si и SiC транзисторных модулей в корпусах LV100 для тяговых применений». Семинар посвящен новой серии силовых модулей на основе кремния и карбида кремния, разработанной компанией «Мицубиси Электрик» специально для транспортных применений. Семинар состоится 13 мая с 14:00 до 15:00 в зале А. «Электроника-Транспорт 2021» — международная выставка информационных технологий и электроники для пассажирского транспорта и транспортной ...

Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б...

Новый модуль Wolfspeed удовлетворяет требованиям по надежности для силовых преобразовательных систем в возобновляемой энергетике и на транспорте.

Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т...

Необходимы прогрессивные решения на системном уровне, призывает Гай Мокси, директор Wolfspeed, чтобы реализовать преимущества, которые обеспечивают приборы на основе карбида кремния (SiC) для проектирования устройств силовой электроники.

В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбид-кремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.