SiC

Каждый день, просыпаясь и включая свет, кофеварку или электрическую плиту, чтобы приготовить завтрак, мы ожидаем, что все наши электродвигатели, нагреватели и осветительные приборы будут работать идеально. По всему миру уже используются миллиарды таких устройств, которые должны работать по щелчку выключателя, и каждый день появляется еще больше приборов, требующих 100% надежного питания. Их нас...

В статье описаны основные особенности карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC SBD) и их отличия от так называемых тельных (технологических) p-n-диодов MOSFET.

Технология карбида кремния (SiC) позволила усовершенствовать компоненты систем и подсистем в различных областях применения. По сравнению с кремнием (Si) приборы на основе SiC демонстрируют большую плотность мощности и эффективность за счет высокой скорости переключения, плоской характеристики зависимости RDS(on) от температуры и лучших параметров body-диодов. В статье речь идет о том, как SiC-к...

На протяжении последних лет на мировом рынке полупроводников (п/п) в малом и среднем диапазоне мощностей наблюдается устойчивая тенденция по замещению классических кремниевых транзисторных модулей карбид-кремниевыми аналогами (SiC). Это позволяет создавать более компактные промышленные преобразователи, инверторы для возобновляемой энергетики, ИБП, а также повышает их эффективность. В статье реч...

В статье дается анализ динамики рынка силовой электроники и рассмотрено промышленное освоение новых технологий в виде карбида кремния для мощных IGBT-транзисторов и для менее мощных MOSFET-транзисторов. Приведены физические свойства и характеристики MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния и отмечены их преимущества в части температурной, электрической и радиационной стойкости сравнительно...

В настоящее время силовые транзисторные модули на основе карбида кремния (SiC) находят все более широкое применение там, где требуется повышенный КПД преобразователя или снижение его массогабаритных показателей. Диапазон мощности таких применений весьма разнообразен: от бытовых кондиционеров и зарядных устройств до промышленных и даже тяговых железнодорожных приводов. В статье приводится актуа...

Компания Wolfspeed представляет новый высокопроизводительный, компактный трехфазный инвертор, созданный с применением силовых модулей, оптимизированных для чипов SiC MOSFET третьего поколения. При разработке инвертора использовался целостный подход с тщательным учетом технической спецификации модулей, технологии шинных соединений, конденсаторов DC-шины и эффективного отвода тепла. Паразитные эл...

Компания Microchip Technology объявила о расширении своего портфолио SiC-компонентов выпуском 3,3-кВ полевых транзисторов SiC MOSFET с самым низким сопротивлением в открытом состоянии (RDSon) и диодов с барьером Шоттки SiC (SBD) с самым высоким номинальным током из доступных на рынке. С расширением портфолио SiC от Microchip специалисты получили инструменты для разработки более компактных, легких и эффективных решений для электротранспорта, возобновляемых источников энергии, аэрокосмических и промышленных приложений. МОП-транзисторы и диоды Шоттки на 3,3 кВ от Microchip дополняют обширный ...

В настоящей статье, посвященной реализации проекта Roll2Rail, представлены результаты совместной деятельности крупнейших европейских поставщиков железнодорожного тягового оборудования по разработке и стандартизации нового, усовершенствованного модуля для тягового привода. Сегодня практически все ведущие производители силовой элементной базы работают над решением этой задачи. В частности, в мод...

Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А.