Диоды на основе SiC повышают эффективность солнечных энергосистем

Диоды на основе карбида кремния (SiC) достаточно быстро проникли на такой стремительно развивающийся рынок, как повышающие DC/DC-преобразователи и инверторы для солнечной энергетики, что особенно заметно в США и Европе. Так, SiC-диоды Шоттки с номинальными рабочими напряжениями 1200 В и 1700 В, которые выпускает основанное в 2015 г. и специализирующееся в области этой технологии подразделение W...

Высокоэффективный DC/DC-конвертер для средневольтовых применений

Участие силовой электроники в электрических распределительных сетях будущего становится все более важным. Прежде всего, широкое распространение возобновляемых источников энергии, таких как солнечные батареи и ветрогенераторы, требует применения большого числа преобразователей между источниками и потребителями электрической энергии. Использование высоковольтных силовых полупроводниковых устройст...

Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения

Проведено экспериментальное исследование влияния параметра dV/dt на пробой SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» при подаче импульса обратного напряжения. Исследование проведено с помощью разработанного отечественного тестера, позволяющего генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс. Установлено, что серийно выпускаемые и вновь создававаемые SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУП...

Изолированные DC/DC-преобразователи для питания IGBT и полевых транзисторов на SiC

Коммутационные потери SiC-транзистора в четыре раза ниже потерь традиционного IGBT. Отсутствие «хвоста» тока при отключении — ключевое преимущество SiC-транзистора, которое растет с ростом рабочей частоты переключения, что, в свою очередь, дает заметное увеличение эффективности и повышает целесообразность использования его, например, в мостовых схемах с увеличенной частотой коммутации. Так как ...

Динамические и статические характеристики SiC MOSFET при параллельном включении

Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температур...

Новое поколение преобразовательных систем на основе карбидокремниевых силовых ключей

Мировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. Однако недостатком этого процесса являются более высокие энергетические затраты и негативные экологические эффекты, связанные с освоением и выпуском продуктов, потребляющих большее количество энергии.

Транзисторы на карбиде кремния: перспективы развития и снижение себестоимости готового изделия

Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допусти...

Карбид кремния: панацея или не будем спешить?

Улучшение свойств силовых кристаллов, поиск новых конструктивных решений и совершенствование существующих технологий обеспечивают непрерывное эволюционное улучшение характеристик электронных ключей. Применение передовых методов изготовления и прецизионных методов контроля, а также уменьшение размеров полупроводниковых структур привели к тому, что свойства современных силовых приборов подошли к ...

Дискретные устройства и модульные компоненты на основе карбида кремния, производимые компанией Microsemi

Применение новых широкозонных полупроводников при проектировании и производстве приборов силовой электроники позволяет добиться значительного улучшения их рабочих характеристик с одновременным уменьшением массогабаритных показателей. В данной статье рассматриваются технические параметры дискретных устройств и высоконадежных модулей производства компании Microsemi, изготавливаемых на основе одно...

Новое поколение SiC MOSFET в DC/DC-преобразователе с жестким режимом переключения

По сравнению с SiC JFET или SiC биполярными транзисторами, N-канальные SiC MOSFET являются наилучшей заменой для обычных кремниевых MOSFET или IGBT благодаря более простой структуре, легкости управления и низким потерям мощности. В марте 2013г. компания Cree начала коммерческий выпуск второго поколения SiC MOSFET, обладающего повышенной производительностью и меньшей стоимостью по сравнению с кл...