Когда мешают выбросы в цепях питания, следует подумать о приоритетных режимах

Ранее приоритетные режимы реализовывались аналоговыми схемами. Поскольку для управления современными ИП применяются цифровые схемы на основе сигнальных процессоров, цифровые цепи обратной связи, ПЛИС и т.п., то приоритетные режимы можно реализовать в цифровом виде. Цифровая система управления заставляет источник работать по-разному для достижения приоритетом тока или с приоритетом напряжения.

Стабилизатор напряжения с параметрическим управлением

В подавляющем большинстве систем автоматического управления (САУ) информация и управляющие воздействия — это электрические напряжения и токи, механические линейные и угловые перемещения, световые и электромагнитные сигналы и т. д. В некоторых САУ сигналы и управляющие воздействия изменяют параметры устройства (элемента САУ). Например, электромеханический преобразователь, состоящий из приводного...

Новые подходы к проектированию высоковольтных преобразователей

Одна из наиболее интересных задач в преобразовательной технике — последовательное включение силовых модулей и каскадов, построенных на их основе. Увеличение выходного напряжения является единственным решением для сверхмощных применений, когда исчерпаны возможности параллельного соединения и токовая нагрузка на соединительные шины становится недопустимо высокой. Преимущество многоуровневой топол...

Высоковольтный импульсный регулятор автомобильного класса LM5001-Q1 компании Texas Instruments

В статье приведена структура и дано подробное описание работы микросхемы высоковольтного импульсного регулятора автомобильного класса LM5001-Q1 компании Texas Instruments, а также рассмотрены основные особенности ее применения. Представлены все возможные режимы работы микросхемы, суть способа управления по току и компенсации наклона кривой тока. Объяснены принципы работы схем ограничения тока,...

Выбор полумостового резонансного LLC-преобразователя и MOSFET первичной стороны

Современные источники питания должны отвечать трем основным требованиям: иметь высокую эффективность, высокую плотность энергии и компонентов. В настоящее время все большее применение получают полумостовые LLC-преобразователи благодаря большей эффективности (меньшим коммутационным потерям) и высокой частоте коммутации. Правильный выбор силовых ключей для этих топологий — сложная задача, посколь...

Использование нелинейных структурных динамических моделей импульсных преобразователей постоянного напряжения для расчета статических характеристик

При обосновании нелинейных дискретных структурных динамических моделей импульсных ППН [2] было отмечено, что эти модели не только позволяют рассчитывать процессы в импульсных ППН, но и существенно облегчают расчет и анализ их статических характеристик. Предлагаемая статья посвящена выводу формул для расчета статических характеристик ППН с использованием их нелинейных структурных динамических мо...

Повышающий DC/DC-конвертер в режиме чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET

Появление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiC-технологии в последнее десятилетие непрерывно растет. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PV-и...

Создание высокоэффективных импульсных источников электропитания на основе квадратичного способа накопления энергии

В статье рассматривается возможность создания высокоэффективных импульсных источников электропитания резонансного накопительного типа. Приведено математическое обоснование возможности реализации подобного рода устройств. Представлены осциллограммы, снятые с действующих образцов, подтверждающие результаты исследований.

IGBT-модули. Практическое исследование трехуровневых инверторов, выполненных по гибридной технологии с использованием SiC- и Si-транзисторов

Трехфазные выходные инверторы, установленные в современных системах солнечных батарей, бесперебойных источниках питания и устройствах преобразования энергии общего назначения, часто основаны на трехуровневых топологиях с использованием кремниевых IGBT. В этой статье демонстрируется потенциал гибридного инвертора, выполненного на базе карбид-кремниевых МОП-транзисторов CoolSiC и кремниевых транз...

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов

Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим, однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI).