В эпоху быстро развивающихся цифровых технологий, таких как дополненная и виртуальная реальность (AR и VR), промышленные секторы по всему миру активно адаптируют и интегрируют эти инновации. Одной из отраслей, где эти технологии демонстрируют особенно велик потенциал, является энергетика. В частности, производители электроники и оборудования для этой отрасли начинают применять AR/VR для усоверш... 
Полупроводниковая промышленность впервые более чем за десятилетие вносит серьезные изменения в транзисторы нового типа, двигаясь к структуре следующего поколения, называемой с затвором по всему периметру (GAA).
Хотя в каталогах транзисторов устройств GAA еще нет в продаже, многие отраслевые эксперты задаются вопросом, как долго продержится эта технология и какая новая архитектура заменит ее. Промышленность оценивает несколько транзисторов-кандидатов, но у каждого есть технические пробелы. Потребуются огромные ресурсы и инновации, чтобы разработать хотя бы одного кандидата для успешного ... 
Силовые полупроводники с широкой запрещенной зоной (WBG) начинают активно применяться в технике благодаря улучшению на порядок так называемых показателей качества (FOM). Их огромные возможности требуют пересмотра многих конструкторских решений, включая тепловую сборку [1]. 
В статье приводится обзор и классификация способов оценки ударного тока. Авторами предложена принципиальная схема модуля формирователя импульсов тока для проведения ресурсных испытаний. Представлены гистограммы по условным и безусловным отказам на партии (50 штук) IGBT-транзисторов, построенные по результатам ресурсных испытаний. 
Силовые полупроводниковые приборы (СПП) обладают большим количеством параметров и характеристик, которые необходимо контролировать с помощью специального оборудования. При проектировании данного оборудования нужно учитывать множество факторов, таких как надежность, многофункциональность, эргономичность, а также уделять внимание общему эстетическому исполнению. Статья знакомит с этапами развития... 
Статья посвящена оценке методом лазерной вспышки теплового сопротивления как самих материалов, используемых при корпусирования силовых полупроводниковых приборов, так и границ между ними. Критическое влияние диффузии примесей во время изготовления таких устройств иллюстрируется для меди (Cu), связанной с припоем на основе сплава copper-ABA (ABA Cu). Статья представлена в переводе с рядом дополн... 
В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая... 
В современной номенклатуре изделий силовой электроники к числу наиболее важных комплектующих относятся твердотельные коммутирующие элементы. Среди прочих их физических характеристик особое значение имеет тепловая энергия, выделяемая в процессе работы. С учетом величины коммутируемых токов соответствующая тепловая мощность достигает существенной величины. Проблема ее рассеяния решается установко... 
Развитие радиоэлектронной промышленности идет по пути минимизации изделий за счет создания высоко интегрированных сборок. Получение максимальной производительности при минимальном занимаемом объеме неизбежно приводит к все более сильному нагреванию электронных компонентов. Данная проблема решается использованием подложек с высокой теплопроводностью. 
В статье даны рекомендации относительно предпочтительных режимов пайки для различных типов корпусов, описаны тепловые профили разных технологий пайки. 