Технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation: низкое тепловое сопротивление + надежность

Силовые компоненты, требующие рассеивания больших мощностей, устанавливаются на радиаторы системы отвода тепла и, как правило, должны быть надежно электрически изолированы. Традиционные решения для изоляции полупроводниковых приборов в корпусах типа TO предполагают использование изоляционных прокладок, изолирующих втулок для крепежа и специальной теплопроводящей пасты. Естественно, что при сбор...

Подложки из нитрида кремния как будущее силовой электроники

Большинство конструкций современных силовых модулей базируется на применении керамики, изготовленной на основе оксида (Al2O3) или нитрида (AlN) алюминия. Однако тенденции роста требований к повышению производительности заставляют разработчиков обратить внимание на прогрессивные альтернативы таким подложкам. Преимущества одного из примеров применения новых материалов наглядно показаны в приложен...

Применение технологии синтеринга для снижения потока отказов при эксплуатации мощных тиристоров

В статье обсуждается возможность снижения деградационных и ранних отказов силовых полупроводниковых тиристоров с диаметром полупроводникового кристалла 80 мм и более за счет применения технологии низкотемпературного спекания кремниевых элементов и молибденовых термокомпенсаторов. Исследованы сравнительные зависимости параметров VTO/rT, Rthjc, ITAV, ITSM от усилия сжатия для вариантов синтеринг/...

Опыт разработки и эксплуатации установок вакуумной заливки высоковольтных трансформаторов

В статье рассматриваются технологические особенности процесса вакуумной заливки высоковольтных трансформаторов. Приводятся конструктивные решения установок вакуумной заливки, описывается реальный опыт их эксплуатации.

Новые российские установки вакуумно-нагнетательной пропитки электротехнических изделий

Применение оборудования в технологическом процессе производства электротехнических изделий (роторов и статоров электродвигателей, трансформаторов, дросселей и др.) значительно повышает качество и сроки их службы, в том числе за счет физической фиксации обмоток, улучшения изоляционных характеристик, снижения влияния вибрации и т. п. В данной статье рассказывается об установках вакуумно-нагнетате...

Технологии силовой электроники:
текущее состояние и перспективы

Разработка устройств c большой удельной мощностью, таких как современные транспортные приводы и преобразователи энергетических станций, требует применения силовых модулей, отличающихся высокой надежностью и уникальными электрическими и тепловыми характеристиками. Решение этих задач невозможно без внедрения новых полупроводниковых материалов и современных технологий корпусирования. В частности, ...

Исследование теплопроводящих материалов

Разработчики современной преобразовательной техники стремятся к повышению удельной мощности преобразователей. Поэтому одним из важных этапов данной работы становится решение задачи по повышению эффективности отведения тепла от силовых полупроводниковых ключей, таких как IGBT-модули. Однако недостаточно просто выбрать охладитель и силовой IGBT-ключ с минимальными тепловыми сопротивлениями, не ме...

«Ответ» на вызовы прогресса

Непрерывный прогресс в области рабочих характеристик силовых полупроводниковых компонентов порождает потребность в соответствующем усовершенствовании технологий корпусирования. Компания Infineon вот уже более двух десятилетий вносит свой вклад в эту эволюцию. Благодаря анонсированному в 2014 г. «Ответу» (The Answer) разработчики теперь могут удовлетворить самые строгие требования к...

Полупроводниковые резонансные преобразователи для солнечных электростанций

Дефицит энергии и ограниченность топливных ресурсов с каждым годом повышают интерес к альтернативным источникам энергии. Один из вариантов решения этой проблемы — солнечная энергетика. Количество солнечной энергии, поступающей на территорию России только за три дня, больше годовой выработки электроэнергии по всей стране. Около 15% этой энергии может быть преобразовано в электроэнергию с помощью...

Создание карбида кремния.
Структура ячеек и производственный процесс

В первой части статьи был описан процесс изготовления пластин карбида кремния (SiC) начиная с производства сырья (порошок SiC) до получения так называемых «эпи-полированных» (epi-ready) подложек. Во второй части рассматриваются возможные типы SiC-приборов, особое внимание уделяется различным вариантам структур, включая SiC-диоды Шоттки (SBD), планарные SiC-MOSFET и двойные Trench MOSFET. Показа...