Современные силовые полупроводниковые приборы компании TECHSEM (TECH Semiconductors)

В статье рассмотрены особенности силовых полупроводниковых приборов одного из старейших китайских производителей и разработчиков продуктов силовой электроники. Приведены основные характеристики IGBT, тиристоров и диодов большой мощности, а также силовых модулей и сборок различных конфигураций.

Обзор силовых модулей SemiPowerex

Требования к современной силовой электронике постоянно ужесточаются. Речь идет как об улучшении электрических характеристик, так и об уменьшении габаритов, снижении стоимости и других показателей. К сожалению, вопрос цены становится все более критичным. Это вынуждает разработчиков постоянно искать новых производителей, способных поставлять качественную продукцию с минимальной наценкой за бренд....

Новые кристаллы и топологии MiniSKiiP для повышения плотности мощности

Благодаря предельной простоте монтажа компоненты семейства MiniSKiiP используются в широкой гамме частотных преобразователей и получают все большее распространение. Компания SEMIKRON представляет новые трехуровневые модули MiniSKiiP Dual Split MLI, предназначенные для компактных «струнных» инверторов мощностью до 180 кВт с напряжением DC-шины 1500 В. Аналогичная версия модулей, ориентированная ...

100% SiC или гибрид?

Инновации в сфере силовой электроники связаны в первую очередь с внедрением широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. Карбид кремния рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для разработки новых поколений силовых ключей. Особенностям SiC-технологии по...

Компоненты современных шкафов управления приводом и автоматики

Практически любое современное производство немыслимо без средств автоматизации технологических процессов. Это подразумевает наличие шкафов управления приводом, шкафов автоматики, которые содержат большое количество специальных компонентов — ПЛК, контакторов, автоматических выключателей, устройств управления и сигнализации. Их производством занимаются такие известные компании, как ABB, Eaton, Sc...

Преимущества замены IGBT на SiC-модули в силовых сборках

В последние годы карбидокремниевые (SiC) MOSFET с рабочим напряжением 1,2 и 1,7 кВ стали реальной альтернативой для проектировщиков силовых конвертеров, в настоящее время использующих транзисторы IGBT. На сегодня большинство «побед» SiC MOSFET принадлежит маломощным преобразователям в диапазоне до 20 кВт, разрабатываемым «с чистого листа». В первую очередь эта тенденция обусловлена необходимост...

Силовые SiC-модули для высоковольтных приложений

Разработка силовых приборов с высоким рабочим напряжением (6,5 кВ и выше) позволила передавать большую мощность при заданном токе и уменьшить количество ключей, необходимых для реализации данных величин напряжения в многоуровневых преобразователях. Силовые приборы на основе карбида кремния имеют значительно большее блокирующее напряжение (до десятков киловольт), более высокие частоты коммутации...

Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi

Активная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. В настоящее время спектр предлагаемых Microsemi полупроводниковых устройств простирается от обычных дискр...

Высоковольтные модули с низкой внутренней индуктивностью для следующего поколения чипов — nHPD2

Для того чтобы получить преимущества от использования полупроводниковых приборов на основе полупроводников с широкой запрещенной зоной (WBG), необходимо снизить суммарное значение паразитной индуктивности системы. Новая технология Hitachi, ориентированная на концепцию мощных высоковольтных модулей, называется next High Power Density Dual, или HPD2. Технология предлагает не только резкое сокраще...

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А...