В статье представлены результаты исследований высоконадежных IGBT модулей ОАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В на основе новых российских кристаллов IGBT и FRD, технология производства которых осваивается сегодня лидером отечественной микроэлектроники ОАО «Ангстрем». 
Защита быстродействующих силовых ключей от аварийных режимов является одной из основных функций устройства управления. Состояние перегрузки в лучшем случае ведет к сокращению ресурса, а в худшем — к выходу элемента из строя. Перегрузка может быть вызвана разными причинами. Опасным является любой режим, при котором ток или напряжение на ключе выходят за рамки области безопасной работы (Safe Oper... 
Эффективность преобразования энергии и снижение потерь мощности — основные задачи силовой электроники. В развитии трехуровневых инверторов создание технологии фиксированной нейтральной точки стало одним из важнейших шагов в повышении эффективности преобразования. Представленные силовые модули созданы по новой топологии T-Type NPC для минимизации потерь мощности на основе IGBT 6-го поколения и у... 
IGBT — устройства, соединяющие в себе характеристики биполярных транзисторов и полевых МОП-транзисторов, — применяются в схемах, где важна высокая скорость коммутации. Обычно в схеме они имеют «плавающий» высокий потенциал, поэтому качество гальванической изоляции между электроникой драйвера и источником питания определяет надежность всей цепи. В статье описывается роль DC/DC-преобразователей с... 
Компания IXYS предлагает широкий спектр IGBT-ключей для силовых применений. Так, разработчик может выбрать, в зависимости от напряжения, 600-, 650-, 1200-В ключи или, если необходимо, более высоковольтные IGBT — в зависимости от приложения. Благодаря применению XPT-процесса (eXtreme-light Punch-Through) совместно с современной технологией изготовления IGBT компания IXYS смогла достичь низких по... 
Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET.
Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи... 
Последовательное соединение IGBT-модулей, не обладающих стойкостью к лавинному пробою, представляет собой намного более серьезную проблему, чем их параллельное включение. Отметим, например, наличие дополнительных статических потерь силовых ключей, рассеяние мощности выравнивающими резисторами, необходимость управления затворами с разным потенциальным уровнем, а также сложность аппаратной реализ... 
Компания Mitsubishi Electric представила новую разработку — ВВ IGBT (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором, HV-IGBT), объединенные в серию R. Это модули с высокой развязкой корпуса, которые могут использоваться в диапазоне температур –50…+150 °C. Их применение позволяет увеличить выходную мощность инвертора при сохранении прежнего размера оборудования. 
Компания Infineon разработала новую технологическую платформу, названную TrenchStop 5, которая характеризуется специальной конструкцией ячеек и сверхмалой толщиной полупроводниковых пластин, что позволяет одновременно снизить потери на проводимость и на переключение. Последний вариант данной технологии — HighSpeed 5 — предназначен для быстродействующих устройств, в частности ККМ или повышающих ... 
Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко... 