«Ответ» на вызовы прогресса

Непрерывный прогресс в области рабочих характеристик силовых полупроводниковых компонентов порождает потребность в соответствующем усовершенствовании технологий корпусирования. Компания Infineon вот уже более двух десятилетий вносит свой вклад в эту эволюцию. Благодаря анонсированному в 2014 г. «Ответу» (The Answer) разработчики теперь могут удовлетворить самые строгие требования к...

Моделирование тепловых режимов работы IGBT-модулей в преобразовательной технике

В статье представлена разработанная АО «Протон-Электротекс» программа-симулятор, предназначенная для моделирования тепловых режимов работы IGBT-модулей

Разработка силового модуля для автопрома и сельскохозяйственного транспорта

В статье объясняется причина выдвижения все новых, зачастую противоречивых технических требований, которые необходимо учитывать при разработке новых силовых модулей на базе IGBT для электрооборудования автомобилей массового и коммерческого применения, а также для грузовых автомобилей и сельскохозяйственных транспортных средств.

LV100 — полумостовой модуль для тяговых инверторов новых поколений

Статья посвящена новому типу полумостовых высоковольтных IGBT-модулей, разработанных, в первую очередь, для железнодорожных (ж/д) тяговых применений. Продукт получил название LV100 (Low Voltage 100) — ввиду напряжения изоляции 6 кВ и ширины корпуса 100 мм. Вторая модификация с напряжением изоляции 10,4 кВ носит имя HV100 (High Voltage 100). Обе версии имеют полумостовую топологию, а также идент...

Влияние емкости нагрузки на динамические потери IGBT

Справочные значения динамических потерь силовых ключей приводятся в документации с учетом работы на индуктивную нагрузку, что соответствует требованиям стандартов IEC и согласуется с условиями эксплуатации в большинстве реальных приложений. В приводах малой и средней мощности для соединения с двигателем часто используется длинный кабель (например, в сервоприводах), при этом нагрузка получает зн...

Параллельная работа IGBT при различных способах управления затворами

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).

Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT

Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений. Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у...

Следующее поколение IGBT-модулей повышенной мощности

Высокомощные общепромышленные применения требуют добротной силовой компонентной базы с широким диапазоном рабочих токов, высокой надежностью, а также большой плотностью мощности и низкой индуктивностью. Для удовлетворения данных потребностей линейка высоковольтных модулей LV100, представленная в 2017 году [1], была адаптирована под нужды общепромышленных применений.

MiniSKiiP Dual вместо IGBT 62 мм в компактных приводах средней мощности

Миниатюрные модули семейства MiniSKiiP необычайно популярны на рынке силовой электроники. На сегодня около 20 млн таких силовых ключей работает в частотных преобразователях ведущих европейских производителей: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Vacon. Более 70% этих устройств — приводы насосов, исполнительных механизмов промышленных роботов, прессов ...

Параметры и характеристики IGBT-модулей на напряжение 1200 В при низких температурах

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В при отрицательных температурах, даны рекомендации по эксплуатации приборов в условиях воздействия низких температур.