Полупроводниковые технологии: силовые IGBT и MOSFET компании Alpha & Omega

Компания Alpha & Omega Semiconductor (AOS, США) известна как разработчик и производитель высокотехнологичных силовых полупроводниковых приборов, микросхем управления питанием, устройств защиты и силовых модулей. Компания основана в 2000 году выходцами из Китайской Республики (Тайвань) Майком Ф. Чангом (Mike F. Chang) и Юе-Се Хо (Yueh-Se Ho).

SOI — технология интегральных драйверов IGBT

Интеллектуальные силовые модули (IPM — Intellectual Power Module) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в энергетических установках. Миниатюрные интеллектуальные ключи киловаттного класса могут быть реализованы с помощью твердотел...

Параметры и характеристики планарных NPT+IGBT с повышенной инжекцией на напряжение 1700 В

В статье представлены результаты разработки отечественных кристаллов NPT+ IGBT с рабочей площадью 185 мм2 на ток 100 А и напряжение 1700 В для применения в силовых модулях с коммутируемой мощностью 0,15–4 МВт. Приведены параметры и характеристики единичных кристаллов IGBT, измеренных с учетом реальных условий эксплуатации в инверторах напряжения на индуктивную нагрузку. Дается сравнение с заруб...

IGBT и MOSFET: основные концепции и пути развития. Часть 2. MOSFET

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво...

Технология SiC в модулях SEMIKRON

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик электронных ключей. На сегодня наиболее широкое распространение на рынке силовой электроники получили кремниевые MOSFET/IGBT-модули и PN-диоды. Основным препятствием на пути их дальнейшего совершенствования я...

Современные IGBT-продукты для силовой электроники компании Infineon

Компания Infineon Technologies AG (г. Нойбиберг, Германия) является одним из крупнейших производителей силовых полупроводниковых приборов, модулей и блоков. Ее продукцию во многих городах России представляют крупные дистрибьюторы электронных компонентов: EBV Elektonik, RUTRONIK, Silica, «Симметрон», ЭФО, PT Electronics. Силовые приборы для промышленных приложений компании предлагает офис продаж...

Построение частотно-регулируемых электроприводов средней мощности на основе электронных компонентов, производимых International Rectifier

По различным оценкам, 40–60% всей вырабатываемой в мире электроэнергии потребляется системами электропривода [1, 2]. Области их применения многообразны, а мощности составляют от нескольких ватт до десятков мегаватт. Оптимизация работы электроприводов, улучшение их характеристик является магистральным направлением экономии электроэнергии [3], а основное средство совершенствования — переход к рег...

Краткий обзор основных IGBT-технологий

Для опытных инженеров, которые давно занимаются разработкой электроприводов, эта статья о биполярных транзисторах с изолированным затвором (Insulated-Gate Bipolar Transistor, IGBT) — обобщение известных истин. Однако для новичков, которые только недавно начали проектировать электроприводы, используют IGBT в других приложениях и не вполне знакомы с основными технологиями и соответствующей термин...

IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны, в первую очередь, с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произ...

IGBT-транзистор от IXYS UK на напряжение 4500 В и ток 3000 А

Компания IXYS UK представляет T2960BB45E — IGBT-транзистор в исполнении на 4500 В. Устройство обладает рекордно большим номинальным током 3000 А и током коммутации 6000 А. Технология изготовления корпуса подразумевает стойкость к механическим и температурным воздействиям, что делает его оптимальным выбором для эксплуатации в горнодобывающей технике, промышленных системах управления приводами, тяговом и судовом электроприводе и в электроэнергетике. При использовании обычных IGBT-транзисторов выход из строя модуля сопровождается выбросом огня и плазмы, в результате авария распространяется ...