IGBT модули FUSIMI: SP75R12B6 и SF300R12E6

Компания FUSIMI предлагает российским заказчикам IGBT модули SP75R12B6 и SF300R12E6 со склада со сроком поставки 28 дней в любой регион России. Количесво предлагаемых модулей – по 100 экз. Оплата в России.   SP75R12B6 Основные характеристики и стоимость SP75R12B6 Параметр Значение Напряжение коллектор-эмиттер VCES при Tvj=+25℃, В 1200 Непрерывный ток коллектора постоянного тока IC nom при TC=+100℃, Tvj max=+175℃, А 75 Повторяющийся пиковый ток коллектора ICRM при tP=1 ms, А 150 Суммарная рассеиваемая мощность Ptot ...

Модули серии Infineon EconoDUAL 3 Black: хорошо известные преимущества и новые особенности

В статье представлен обновленный модуль Infineon EconoDUAL 3 Black, описано, как обеспечивается баланс между внедрением новых функций и сохранением проверенных и испытанных свойств. Анализируются параметры нового модуля FF600R12BE7_B11(BE7), в котором использованы технологии IGBT 1200 В TRENCHSTOP IGBT7, и диодов EC7 с управляемым эмиттером.

IGBT до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск IGBT в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер 600–1200 В и диапазоном токов 10–75 А. Основные сферы применения транзисторов: приборы высокочастотной коммутации; резонансные преобразователи; источники бесперебойного питания; сварочные преобразователи.

Конструктивные особенности и применение IGBT исполнения Press-Pack компании CRRC Times Semiconductor

Компания CRRC Times Semiconductor (Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.) — дочерняя компания CRRC, ведущего мирового поставщика силовых полупроводниковых приборов и систем управления для подвижного состава и владельца известной торговой марки Dynex — разработала два новых варианта IGBT-модулей. Благодаря использованию новых чипов и ноу-хау в части корпусирования, они отличаются малой собственн...

IGBT Gen. 7 в трехуровневых преобразователях. Часть 1

Всякий раз, когда качество сигнала и эффективность преобразования являются основными требованиями, предъявляемыми к силовой электронной системе, разработчики обращаются к трехуровневым схемам. Одним из примеров служат конвертеры для возобновляемых источников энергии, где использование последнего, 7-го поколения IGBT [1, 2] в 3L-топологии обеспечивает кардинальное улучшение характеристик.

Особенности измерения динамических параметров IGBT-модулей

В статье проведен анализ влияния частотных характеристик датчиков тока различных типов на погрешность измерения динамических параметров IGBT-модулей. Предложены: схема измерительной установки, методика измерений динамических параметров IGBT-модулей с использованием коаксиальных шунтов с широкой рабочей полосой частот, обеспечивающая высокую точность измерений; методика определения импеданса кон...

Практические аспекты силовой электроники:
как проверить модуль в полевых условиях?

Силовые полупроводниковые модули подвергаются многократным испытаниям в процессе производства и эксплуатации. Поскольку стоимость и сложность тестирования достаточно высоки, важно четко понимать цель его проведения. Очень часто необходимость проверки силового ключа возникает в полевых условиях. При этом следует осознавать, что использование неправильных методик контроля может привести не только...

Особенности параллельного соединения модулей SiC MOSFET

Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А.

Серия отечественных кремниевых и карбидокремниевых силовых FRD- и IGBT-модулей специального и общепромышленного назначения

Рассмотрены ключевые преимущества модернизированных IGBT-модулей и силовых диодных сборок специального и общего назначения, а также дальнейшие пути развития номенклатуры изделий силовой электроники производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ».

Новые силовые SiC-модули обеспечивают большую плотность мощности в меньших габаритах, чем Si IGBT

В связи с растущим спросом (рис. 1) на энергию для широкого спектра применений, включая производство электроэнергии, ее хранение и транспортировку, возникает необходимость в создании более эффективных систем преобразования и управления, обеспечивающих будущее энергетических систем. Соответственно, растет потребность в более компактных и мощных силовых модулях, способных работать при высоких тем...