Силовые 1700-В модули HVIGBT X-серии с превосходной производительностью и высокой надежностью

Высокоэффективные силовые HVIGBT-модули с блокирующим напряжением 1700 В, обеспечивающие надежные решения для железнодорожного транспорта. Для нужд железнодорожного транспорта требуются особо качественные компоненты с высокой эффективностью, особенно это касается преобразовательных приводов, которые должны иметь в своей основе надежные коммутационные устройства, устойчивые к крайне жестким усл...

Модули Dynex IGBT последнего поколения: путь к достижению максимальной эффективности системы

Как ответ на все более настойчивые требования не только со стороны самых различных секторов промышленности, но и со стороны правительств, направленные на стимулирование создания высокоэффективных систем преобразования энергии, полупроводниковая промышленность предлагает оптимизированную силовую электронику, ориентированную именно на повышение надежности и эксплуатационных характеристик конечных...

Затворный резистор. Часть 2

Во второй части статьи, посвященной исследованию сопротивления цепи затвора IGBT- и MOSFET-транзисторов, пойдет речь о практическом способе определения номинала затворного резистора. Заранее следует отметить, что приведенная ниже информация содержит известную долю погрешности, не изобилует формулами и основывается по большей части на практическом опыте. Плюс такого подхода — простота данных и у...

Силовые модули для электрического и гибридного транспорта

В статье представлены два новых силовых модуля Mitsubishi Electric, предназначенных для применения в тяговых силовых инверторах и конвертерах электрических (EV) и гибридных (HEV) транспортных средств.

Press-Pack IGBT для преобразователей большой мощности

Технология Press-Pack IGBT изначально разрабатывалась в качестве решения для приложений большой мощности, где приходится преобразовывать единицы и десятки мегаватт электроэнергии. Выпуск новых Press-Pack IGBT 6,5 кВ позволил существенно расширить потенциальную область применения данной технологии в высоковольтных приложениях за счет снижения числа необходимых компонентов. Высокая надежность и н...

Управление частотными свойствами IGBT на напряжение 1200В с использованием электронного облучения

Представлены результаты экспериментальных исследований возможности управления частотными свойствами IGBT на напряжение 1200 В с инжекционным обогащением производства российских компаний ОАО «Ангстрем» и ОАО «Электровыпрямитель». Показано, что с помощью облучения кристаллов IGBT высокоэнергетичными электронами можно существенно улучшить динамические параметры отечественных IGBT-модулей, расширит...

Развитие IGBT-модулей от «Электрум АВ»

Компания «Электрум АВ» производит силовые IGBT-модули уже почти пятнадцать лет. За это время менялись технология и конструкции, комплектация и технические характеристики модулей... Заказчик диктовал все более жесткие требования, а значит, необходимо было и постоянное развитие. О путях развития IGBT-модулей и пойдет речь в статье.

Седьмое поколение IGBT-модулей «Мицубиси Электрик» с блокирующим напряжением 1,7 кВ

Основными требованиями, предъявляемыми к общепромышленным системам электроприводов и источникам питания, являются высокая надежность, эффективность и большая плотность мощности при конкурентной стоимости. Главный фактор для достижения всех перечисленных свойств — уровень потерь мощности в ключах. Снижение потерь позволяет сократить температуру кристаллов. В результате увеличивается срок службы ...

RC-IGBT седьмого поколения

В последнее время основными требованиями к IGBT-модулям являются увеличение плотности мощности, высокая эффективность и надежность. Добиться выполнения этих условий помогает новое, седьмое (7G) поколение RC-IGBT-модулей Fuji Electric с современной технологией производства чипа и технологией корпусирования. RC-IGBT седьмого поколения имеют размер чипа на 40% меньше по сравнению с модулями шестог...

Современные силовые полупроводниковые приборы компании TECHSEM (TECH Semiconductors)

В статье рассмотрены особенности силовых полупроводниковых приборов одного из старейших китайских производителей и разработчиков продуктов силовой электроники. Приведены основные характеристики IGBT, тиристоров и диодов большой мощности, а также силовых модулей и сборок различных конфигураций.