Компактные модули IGBT MiniSKiiP: инструкция по применению

Миниатюрные модули семейства MiniSKiiP необычайно популярны на рынке силовой электроники. Сегодня более 20 млн таких силовых ключей работает в частотных преобразователях ведущих европейских производителей: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Vacon. Около 70% этих устройств — моторные приводы, исполнительные механизмы промышленных роботов, прессов и к...

IGBT-модуль 1200 В 450 А от AMG Power

Номенклатура IGBT-модулей компании AMG Power пополнилась устройством AMG450G1200MED, рассчитанным на 1200 В, 450 А и выполненным в корпусе типа Econodual. Параметры и преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED: напряжение UCES: 1200 В; ток IC: 450 А; конфигурация: полумост; корпус: Econodual; низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT (micro-pattern trench); низкие потери при переключении; надежность RBSOA; низкие потери при обратном восстановлении; низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн. ...

Больше мощности с технологией RC-IGBT

Компания Fuji Electric представляет новый продукт в хорошо известном корпусе для увеличения выходной мощности IGBT-модулей за счет использования технологии RC-IGBT (IGBT с функций обратной проводимости). Модули PrimePACK 3 и 3+ (рис. 1) с номинальным напряжением 1700 и 1200 В применяются в приложениях с высокой мощностью.

IGBT-модули 1200 В 600–900 А от AMG Power

Компания AMG Power расширила линейку IGBT-модулей 1200 В двумя модулями 12-го класса — на 600 и 900 А. Партномер Напряжение VCES, В Ток IC, А Корпус Топология AMG600G1200MED 1200 600 Econodual полумост AMG900G1200MED 1200 900 Econodual полумост Применение модулей: управление приводами; инверторы солнечных панелей; преобразователи высокой мощности; ИБП. Преимущества: низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT ...

IGBT-модули компании Yangzhou Yangjie — доступный аналог продуктов мировых производителей

В настоящее время отечественные разработчики и эксплуатанты электронной аппаратуры вынуждены искать альтернативных поставщиков компонентов. В области силовой электроники решение данной задачи облегчается благодаря предоставленному специалистами китайской компании Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. перечню IGBT-модулей своего производства, аналогичных IGBT-модулям, выпускаемым компаниями...

Расширение номенклатуры IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS от Yangjie

Компания Yanjie расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS. Ассортимент включает в себя изделия с пробивным напряжение коллектор-эмиттер 1200 В. Диапазон токов 40–75 А. Основным применение являются высокочастотные устройства, такие как фотоэлектрические инверторы, накопители энергии, зарядные станции и т. д. Новые приборы способны заменить дефицитные компоненты глобальных производителей без дополнительной переработки устройства. Соответствует стандартам RoHS. Основные особенности новых IGBT: структура Trench-FS имеет улучшенной соотношение блокирующего ...

Седьмое поколение IGBT в трехуровневых преобразователях. Часть 2

Статья продолжает тему, начатую в «Силовой электронике» № 4’2021. Принцип работы многоуровневой схемы прост: модули или инверторные ячейки соединяются последовательно, за счет этого напряжение питания устройства может быть выше блокирующей способности отдельных ключей. Подобное решение позволяет формировать «многоступенчатый» выходной сигнал, снизить уровень гармонических искажений и отказаться...

IGBT модули FUSIMI: SP75R12B6 и SF300R12E6

Компания FUSIMI предлагает российским заказчикам IGBT модули SP75R12B6 и SF300R12E6 со склада со сроком поставки 28 дней в любой регион России. Количесво предлагаемых модулей – по 100 экз. Оплата в России.   SP75R12B6 Основные характеристики и стоимость SP75R12B6 Параметр Значение Напряжение коллектор-эмиттер VCES при Tvj=+25℃, В 1200 Непрерывный ток коллектора постоянного тока IC nom при TC=+100℃, Tvj max=+175℃, А 75 Повторяющийся пиковый ток коллектора ICRM при tP=1 ms, А 150 Суммарная рассеиваемая мощность Ptot ...

Модули серии Infineon EconoDUAL 3 Black: хорошо известные преимущества и новые особенности

В статье представлен обновленный модуль Infineon EconoDUAL 3 Black, описано, как обеспечивается баланс между внедрением новых функций и сохранением проверенных и испытанных свойств. Анализируются параметры нового модуля FF600R12BE7_B11(BE7), в котором использованы технологии IGBT 1200 В TRENCHSTOP IGBT7, и диодов EC7 с управляемым эмиттером.

IGBT до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск IGBT в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер 600–1200 В и диапазоном токов 10–75 А. Основные сферы применения транзисторов: приборы высокочастотной коммутации; резонансные преобразователи; источники бесперебойного питания; сварочные преобразователи.