Основными требованиями к силовым полупроводниковым компонентам являются высокая эффективность, большая плотность мощности и хорошая надежность. Для улучшения данных параметров компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку промышленных IGBT-модулей серии NX7. С целью снижения потерь в данных устройствах применяются новые чипы седьмого поколения, а добиться увеличения плотности мощности ... 
Посвящается памяти нашего друга, коллеги, ученого, профессионала высочайшего уровня, одного из основателей отечественной силовой электроники — А. Н. Думаневича. 
Компания SEMIKRON представляет новое поколение модулей седьмого поколения IGBT с сигнальными выводами, подключаемыми методом прессовой посадки (Press-Fit).
Семейство модулей IGBT в конструктиве SEMiX3p press-fit (Econo Dula) пополнилось новым, седьмым поколением компонентов с номинальным током 200, 300, 450, 600 и 700 А. Самым мощным элементом семейства является SEMiX703GB12M7p, отличающийся высшими показателями плотности мощности для IGBT в конструктиве 17 мм. Расположение сигнальных выводов SEMiX3p совместимо с топологией контактов серийно выпускаемых модулей Econo Dual, что дает ... 
Новые XPT IGBT компании IXYS применяются именно в тех областях, где помимо хороших статических и динамических характеристик необходима и высокая надежность самих коммутирующих элементов. Вот почему именно четкое понимание механизмов, приводящих к выходу из строя IGBT-транзисторов в различных режимах эксплуатации, послужило основой для создания технологии XPT IGBT. 
Надежность передачи сигналов управления от драйвера к силовому модулю связана с рядом важных вопросов, одним из которых является влияние паразитных контуров. Особенно отчетливо это проявляется на высоких скоростях коммутации IGBT или при выходе из насыщения в случае перегрузки по току. В данной статье рассмотрены некоторые аспекты проблемы, а также рекомендации по ее решению. 
Компания Alpha & Omega Semiconductor (AOS, США) известна как разработчик и производитель высокотехнологичных силовых полупроводниковых приборов, микросхем управления питанием, устройств защиты и силовых модулей. Компания основана в 2000 году выходцами из Китайской Республики (Тайвань) Майком Ф. Чангом (Mike F. Chang) и Юе-Се Хо (Yueh-Se Ho). 
Интеллектуальные силовые модули (IPM — Intellectual Power Module) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в энергетических установках. Миниатюрные интеллектуальные ключи киловаттного класса могут быть реализованы с помощью твердотел... 
В статье представлены результаты разработки отечественных кристаллов NPT+ IGBT с рабочей площадью 185 мм2 на ток 100 А и напряжение 1700 В для применения в силовых модулях с коммутируемой мощностью 0,15–4 МВт. Приведены параметры и характеристики единичных кристаллов IGBT, измеренных с учетом реальных условий эксплуатации в инверторах напряжения на индуктивную нагрузку. Дается сравнение с заруб... 
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво... 
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик электронных ключей. На сегодня наиболее широкое распространение на рынке силовой электроники получили кремниевые MOSFET/IGBT-модули и PN-диоды. Основным препятствием на пути их дальнейшего совершенствования я... 