Особенности измерения динамических параметров IGBT-модулей

В статье проведен анализ влияния частотных характеристик датчиков тока различных типов на погрешность измерения динамических параметров IGBT-модулей. Предложены: схема измерительной установки, методика измерений динамических параметров IGBT-модулей с использованием коаксиальных шунтов с широкой рабочей полосой частот, обеспечивающая высокую точность измерений; методика определения импеданса кон...

Практические аспекты силовой электроники:
как проверить модуль в полевых условиях?

Силовые полупроводниковые модули подвергаются многократным испытаниям в процессе производства и эксплуатации. Поскольку стоимость и сложность тестирования достаточно высоки, важно четко понимать цель его проведения. Очень часто необходимость проверки силового ключа возникает в полевых условиях. При этом следует осознавать, что использование неправильных методик контроля может привести не только...

Особенности параллельного соединения модулей SiC MOSFET

Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А.

Серия отечественных кремниевых и карбидокремниевых силовых FRD- и IGBT-модулей специального и общепромышленного назначения

Рассмотрены ключевые преимущества модернизированных IGBT-модулей и силовых диодных сборок специального и общего назначения, а также дальнейшие пути развития номенклатуры изделий силовой электроники производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ».

Новые силовые SiC-модули обеспечивают большую плотность мощности в меньших габаритах, чем Si IGBT

В связи с растущим спросом (рис. 1) на энергию для широкого спектра применений, включая производство электроэнергии, ее хранение и транспортировку, возникает необходимость в создании более эффективных систем преобразования и управления, обеспечивающих будущее энергетических систем. Соответственно, растет потребность в более компактных и мощных силовых модулях, способных работать при высоких тем...

Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 3. Влияние параметров цепи управления на коммутационные характеристики

Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци...

Модуль IGBT 7-го поколения серии X для повышения энергосбережения на железнодорожном транспорте

Японская компания Fuji Electric Co., Ltd. сообщает о начале производства модуля HPnC (конструктив силового модуля нового поколения) на базе 7-го поколения IGBT X-серии (биполярный транзистор с изолированным затвором), ориентированного на железнодорожный рынок.

IGBT Trench 6,5-кВ/1000-A модуль расширяет границы RBSOA на различных температурах

В аварийных режимах, особенно в системах HVDC, IGBT-модули в последовательной или параллельной конфигурации должны выдерживать высокие линейные напряжения (Vline) и при этом безопасно отключаться. В таких экстремальных условиях полупроводниковые приборы обычно функционируют за пределами рекомендованной в технической документации области безопасной работы (RBSOA), ограничивающей режим отключения...

SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода

Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо...

Особенности измерения блокирующего напряжения силовых транзисторов

Рассмотрены особенности измерения блокирующего напряжения и тока утечки силовых транзисторов, а также причины, которые приводят к возникновению ошибок измерения данных параметров. Представлены измеренные вольт-амперные характеристики партии IGBT-транзисторов, на примере которых показаны особенности отбраковки потенциально ненадежных транзисторов. Описана принципиальная схема простого измеритель...