IGBT

В статье представлены результаты испытаний новых разработок гибридных модулей на основе Si SPT IGBT и SiC-диодов Шоттки.

В статье представлены некоторые тиристорные, диодные и IGBT-модули китайской компании Zenli Rectifier. По мнению автора статьи, рассмотренные компоненты могут успешно заменить аналогичную продукцию компаний мировых лидеров. Для удобства выбора в технической документации Zenli Rectifier для ряда компонентов указаны аналоги производства компаний Infineon, IXYS (ныне Littelfuse), SEMIKRON.

Миниатюрные модули семейства MiniSKiiP необычайно популярны на рынке силовой электроники. Сегодня более 20 млн таких силовых ключей работает в частотных преобразователях ведущих европейских производителей: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Vacon. Около 70% этих устройств — моторные приводы, исполнительные механизмы промышленных роботов, прессов и к...

Номенклатура IGBT-модулей компании AMG Power пополнилась устройством AMG450G1200MED, рассчитанным на 1200 В, 450 А и выполненным в корпусе типа Econodual. Параметры и преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED: напряжение UCES: 1200 В; ток IC: 450 А; конфигурация: полумост; корпус: Econodual; низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT (micro-pattern trench); низкие потери при переключении; надежность RBSOA; низкие потери при обратном восстановлении; низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн. ...

Компания Fuji Electric представляет новый продукт в хорошо известном корпусе для увеличения выходной мощности IGBT-модулей за счет использования технологии RC-IGBT (IGBT с функций обратной проводимости). Модули PrimePACK 3 и 3+ (рис. 1) с номинальным напряжением 1700 и 1200 В применяются в приложениях с высокой мощностью.

Компания AMG Power расширила линейку IGBT-модулей 1200 В двумя модулями 12-го класса — на 600 и 900 А. Партномер Напряжение VCES, В Ток IC, А Корпус Топология AMG600G1200MED 1200 600 Econodual полумост AMG900G1200MED 1200 900 Econodual полумост Применение модулей: управление приводами; инверторы солнечных панелей; преобразователи высокой мощности; ИБП. Преимущества: низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT ...

В настоящее время отечественные разработчики и эксплуатанты электронной аппаратуры вынуждены искать альтернативных поставщиков компонентов. В области силовой электроники решение данной задачи облегчается благодаря предоставленному специалистами китайской компании Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. перечню IGBT-модулей своего производства, аналогичных IGBT-модулям, выпускаемым компаниями...

Компания Yanjie расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS. Ассортимент включает в себя изделия с пробивным напряжение коллектор-эмиттер 1200 В. Диапазон токов 40–75 А. Основным применение являются высокочастотные устройства, такие как фотоэлектрические инверторы, накопители энергии, зарядные станции и т. д. Новые приборы способны заменить дефицитные компоненты глобальных производителей без дополнительной переработки устройства. Соответствует стандартам RoHS. Основные особенности новых IGBT: структура Trench-FS имеет улучшенной соотношение блокирующего ...

Статья продолжает тему, начатую в «Силовой электронике» № 4’2021. Принцип работы многоуровневой схемы прост: модули или инверторные ячейки соединяются последовательно, за счет этого напряжение питания устройства может быть выше блокирующей способности отдельных ключей. Подобное решение позволяет формировать «многоступенчатый» выходной сигнал, снизить уровень гармонических искажений и отказаться...

Компания FUSIMI предлагает российским заказчикам IGBT модули SP75R12B6 и SF300R12E6 со склада со сроком поставки 28 дней в любой регион России. Количесво предлагаемых модулей – по 100 экз. Оплата в России.   SP75R12B6 Основные характеристики и стоимость SP75R12B6 Параметр Значение Напряжение коллектор-эмиттер VCES при Tvj=+25℃, В 1200 Непрерывный ток коллектора постоянного тока IC nom при TC=+100℃, Tvj max=+175℃, А 75 Повторяющийся пиковый ток коллектора ICRM при tP=1 ms, А 150 Суммарная рассеиваемая мощность Ptot ...