Корректор коэффициента мощности как фактор повышения эффективности систем электропитания подвижных объектов

В статье дано определение коэффициента мощности нагрузки λ и перечислены проблемы в системе энергоснабжения объектов, связанные с его низким значением. Рассмотрен эффективный способ увеличения λ до значений, близких к 1, с кратким описанием и принципом работы АККМ на основе микросхемы UC2854 (Texas Instruments). Предложены два метода построения модулей питания с АККМ. Применение АККМ рассмотре...

Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности

Появление фотооптических инверторов (PV) и электромобилей (EV) обусловило растущие требования по повышению плотности мощности и эффективности силовых преобразователей. Карбид кремния (SiC) является основным кандидатом для решения этой задачи, поэтому он остается объектом растущего интереса в течение последнего десятилетия. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства прео...

Элементы классификации автономных инверторов и свойства согласованного инвертора с резонансной коммутацией.
Часть 3

В первой и второй части данного цикла статей (СЭ №№ 4, 5'2017) анализировалась проблема некорректного применения ряда основных терминов и определений, относящихся к области инверторной преобразовательной техники. В настоящей, третьей части рассматриваются возможные способы коммутации вентилей в автономных инверторах и других типах преобразователей (как принудительные операции выключения). Предл...

Соединитель HARTING Han Q 1/0: компактность, легкость монтажа, безопасность

Системы хранения энергии, содержащие модули батарей или конденсаторов, используются в самых различных областях — от небольших лодок до крупных промышленных предприятий. Они становятся все более востребованными, поскольку имеют компактные размеры и легко масштабируются. В статье рассматривается Han Q 1/0 — соединитель компании HARTING, который позволяет осуществлять точное и быстрое подключение ...

Комплементарные биполярные транзисторы категории качества «ВП» 2Т544А9-В9, 2Т545А9-В9

Высокочастотные комплементарные биполярные n-p-n-транзисторы 2Т544А9, 2Т544Б9, 2Т544В9 и p-n-p-транзисторы 2Т545А9, 2Т545Б9, 2Т545В9 предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Измерение потерь в элементах с реактивным сопротивлением, работающих на высоких коммутационных частотах

В статье рассматривается метод измерения и анализа потерь в катушках индуктивности (дросселей) с использованием анализатора электрической мощности.

Разработка силового модуля для автопрома и сельскохозяйственного транспорта

В статье объясняется причина выдвижения все новых, зачастую противоречивых технических требований, которые необходимо учитывать при разработке новых силовых модулей на базе IGBT для электрооборудования автомобилей массового и коммерческого применения, а также для грузовых автомобилей и сельскохозяйственных транспортных средств.

Создание карбида кремния.
Повышение плотности мощности и эффективности

Процесс изготовления SiC-подложек подробно описан в первой части статьи («Силовая электроника», №4'2017, с. 4), возможные структуры SiC-приборов были предметом обсуждения во второй части («Силовая электроника», №5'2017, с. 14). Третья часть серии статей посвящена особенностям готовой продукции.

Инженерное моделирование квазистатического электромагнитного поля в программе ELCUT для задач электроники

Программа ELCUT разработка OOO «Тор» (Санкт-Петербург) — единственный в России коммерческий инструмент общего назначения для моделирования низкочастотных электромагнитных и температурных полей методом конечных элементов. Она написан электротехниками для инженеров-электротехников и имеет множество пользователей в этой индустрии и профильных вузах. В статье предпринята попытка заново переосмыслит...

Комплексная методология определения надежности GaN-транзисторов

В настоящее время компания Texas Instruments разрабатывает комплексную программу оценки качества и надежности компонентов, основанную на фундаментальных характеристиках нитрида галлия (GaN) и применении соответствующих методик испытаний, направленных на повышение надежности выпускаемых компанией приборов, выполненных по GaN-технологии. Темой, поднятой в предлагаемой статье, представленной в ори...