Выбор SiC-диодов Шоттки для активных корректоров коэффициента мощности, работающих в режиме непрерывных токов

Карбид-кремниевые (SiC) диоды Шоттки являются оптимальными полупроводниковыми приборами для использования в качестве диодов повышающей ступени в активных корректорах коэффициента мощности (ККМ), работающих в режиме непрерывных (средних) токов (Continuous Current Mode, CCM). Это связано с присущим диодам этой технологии малым влиянием эффекта обратного восстановления, что обеспечивает нулевой об...

Контакторы компании GIGAVAC

Контакторы — это мощные электромагнитные устройства для дистанционной коммутации (включения и отключения) силовых электрических цепей при нормальных режимах работы. Они представляют собой разновидность электромагнитного реле. Компания GIGAVAC, один из мировых лидеров по производству таких устройств, специализируется на выпуске герметичных контакторов, коммутирующих мощные силовые цепи постоянно...

Регулируемые автотрансформаторы фирмы Thalheimer Transformatorenwerke GmbH

Использование регулируемых автотрансформаторов в составе контрольно-измерительного оборудования, электротехнических шкафов и прочих промышленных устройств имеет ряд серьезных преимуществ по сравнению с использованием других устройств для регулировки напряжения. Самые важные из них: отсутствие искажений синусоидального напряжения, высокий КПД, устойчивость к перегрузкам, надежность и отсутствие ...

Бестрансформаторные датчики тока в проводе питания DC/DC

В статье рассмотрены свойства и характеристики нескольких схем из обширного семейства, включающего схемы типа «зеркало тока» (ЗТ), при их работе в качестве быстродействующих мониторов — датчиков тока через токоизмерительный шунт. Используемая в этом качестве схема на базе согласованной пары биполярных или полевых транзисторов, названа «зеркало напряжения» (ЗН), а другая, на базе двух пар компле...

Усовершенствование феррозондовой технологии повышает точность измерения тока

Применение феррозондовых технологий в датчиках, предназначенных для точного измерения тока, хорошо известно. Для повышения точности до уровня, превышающего возможности существующих сенсоров, нужны новые идеи. В статье приведен краткий обзор феррозондовых измерителей тока. Показано, как усовершенствование существующей архитектуры датчиков позволило разработать новое семейство сенсоров с улучшенн...

Параллельная работа IGBT при различных способах управления затворами

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).

SiC-диоды Шоттки в корректорах коэффициента мощности

Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI.

Высоконадежный входной фильтр электромагнитных помех FGDS-12A-100V компании GAIA Converter

Компания GAIA Converter представила входной фильтр электромагнитных помех FGDS-12A-100V, предназначенный для применения в высоконадежных источниках питания с максимальным выходным током 12 А. Использование модульного подхода при создании источника питания позволяет подобрать экономически целесообразное для конкретного устройства решение, исходя из области применения и действующих ограничений, регламентирующих допустимые типы и уровни паразитных воздействий. Входные фильтры FGDS-12A-100V рекомендованы компанией GAIA Converter для обеспечения требований по электромагнитной совместимости ...

Эволюция в создании карбида кремния — революционного полупроводника

Карбид кремния (SiC) является довольно молодым материалом в истории полупроводниковой промышленности по сравнению с кремнием (Si) или арсенидом галлия (GaAs), однако его истоки восходят к концу XIX в. В 1891 г. Эдвард Ачесон (Edward Acheson) разработал способ получения кристаллического SiC в качестве абразивного материала, и этот метод используется до сих пор. Первые минералогические исследован...

Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT

Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений. Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у...