Новая система высоковольтного подключения BCON+ от TE Connectivity представляет собой универсальное, компактное, надежное и безопасное решение для соединения элементов тяговой батареи и точек подключения высокого напряжения вне батареи. Она безопасна для прикосновений в несопряженном и сопряженном состоянии. Система BCON+ обеспечивает прочное соединение и чрезвычайно низкое контактное сопротивл... 
Компания AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением –5/+18 В — A2G100N1700MT4.
В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS –5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии.
Основные параметры A2G100N1700MT4:
напряжение сток-исток: 1700 В;
ток (при +25 °C): 100 A;
Rds(On): 25 мОм;
управляющее напряжение затвор-исток: –5/+18 В;
тип корпуса: TO-247-4;
суммарный заряд затвора: 168 нКл;
максимальная температура ... 
Компания AMG Power расширила линейку IGBT-модулей 1200 В двумя модулями 12-го класса — на 600 и 900 А.
Партномер
Напряжение VCES, В
Ток IC, А
Корпус
Топология
AMG600G1200MED
1200
600
Econodual
полумост
AMG900G1200MED
1200
900
Econodual
полумост
Применение модулей:
управление приводами;
инверторы солнечных панелей;
преобразователи высокой мощности;
ИБП.
Преимущества:
низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С);
затвор IGBT-чипа по технологии MPT ... 
В настоящее время отечественные разработчики и эксплуатанты электронной аппаратуры вынуждены искать альтернативных поставщиков компонентов. В области силовой электроники решение данной задачи облегчается благодаря предоставленному специалистами китайской компании Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. перечню IGBT-модулей своего производства, аналогичных IGBT-модулям, выпускаемым компаниями... 
Улучшение тепловых характеристик может быть достигнуто за счет использования «волновой» концепции подключения базовой платы силового модуля, даже если все другие элементы остаются неизменными. 
Компания «ИДМ-ПЛЮС» специализируется на разработке и производстве микросхем, датчиков и устройств, в состав которых входит в том числе отечественная элементная база. В структуре компании имеется собственный дизайн-центр проектирования специализированных интегральных микросхем, разработки которого активно внедряются в серийную продукцию. Например, разработанная микросхема датчика магнитного поля... 
В ассортименте продукции компании SEMIKRON компоненты серии SEMITOP — самые компактные. Они рассматриваются как альтернатива дискретным транзисторам, предназначенным для производства преобразователей мощностью от единиц до десятков киловатт. При этом модули SEMITOP выпускаются в изолированных корпусах и содержат практически все применяемые в силовой электронике преобразовательные и выпрямительн... 
Надежность и эффективность применения управляемых силовых полупроводниковых приборов и, соответственно, преобразовательной техники на их основе во многом зависит не только от качества и сочетания параметров СПП. Эксплуатационные характеристики преобразователей также определяются параметрами и интерфейсами соответствующих систем управления. В статье представлены базовые разработки микроконтролле... 
По своим затворным характеристикам транзисторы SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученных кремниевых (Si) ключей. Карбидокремниевым структурам присущи некоторые специфические особенности, например дрейф порогового напряжения затвора VGS(th) SiC при длительной эксплуатации и деградация окисного слоя при использовании отрицательного напряжения выключения.
Проведенные в последние годы иссл... 
Статья знакомит читателей с компанией Global Power Technology и ее основной продукцией — SiC-диодами Шоттки. В силу ограниченного объема журнальной публикации приведены некоторые основные параметры только четырех диодов. С параметрами остальных устройств можно ознакомиться на сайте компании. 