Аналоги драйверов IGBT и MOSFET от Mitsubishi, выпускаемые «Электрум АВ»

Драйверы транзисторов с полевым управлением М57962L и VLA500-01 производства Mitsubishi традиционно пользуются большой популярностью у разработчиков преобразователей малой и средней мощности. Теперь аналогичные драйверы выпускаются и отечественным производителем.

Усовершенствованная технология сборки 600-А модулей EconoDUAL3 фирмы Infineon

Повышение плотности мощности при разработке силовых модулей актуально не только для новых, но и для уже существующих корпусов. Их модернизация связана с решением двух главных проблем — удовлетворение растущих требований к допустимой токовой нагрузке (в амперах) и к отводу тепла. За счет адаптации традиционных корпусов к более высокому уровню мощности можно модернизировать схемы существующих инв...

Мощные тиристоры с прямым управлением светом и лазерные волоконно-оптические модули управления для высоковольтных применений

Представлены результаты разработки серии высоковольтных тиристоров, управляемых светом (фототиристоров) и лазерных волоконно-оптических модулей (ВОМ) для высоковольтной передачи постоянного тока, статических компенсаторов энергии, преобразователей высоковольтных электроприводов, импульсной техники.

Новое поколение IGBT-модулей с увеличенным сроком службы

На протяжении последних десятилетий характеристики модулей IGBT определялись свойствами самих IGBT и обратных диодов. Роль здесь играют не только электрические параметры, но и применяемые технологии сборки, от которых в первую очередь зависит срок службы силовых модулей. В настоящей статье описывается новый пакет технологий соединения .XT, который позволяет преодолеть существующие ограничения н...

Модули серии Б0 запущены в массовое производство от «Протон-Электротекс»

Компания «Протон-Электротекс» сообщает о запуске серийного производства однопозиционных диодных и тиристорных модулей Б0. Модули Б0 имеют конструкцию с улучшенными электрическими и тепловыми параметрами, что позволило разработчикам обеспечить значение IFAV/ITAV до 700 А. Диапазон напряжения UDRM/URRM варьируется в пределах 1000–6500 В. При этом новые модули получили корпус промышленного стандарта с шириной основания 50 мм, что упростит их применение в существующем оборудовании. Серия Б0 имеет следующие основные особенности: прижимная конструкция модуля; корпус промышленного ...

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах

Несмотря на значительное развитие преобразовательной техники на базе полностью управляемых полупроводниковых ключей (IGBT, GTO, IGCT), для ряда областей применения, особенно в высокомощной и высоковольтной силовой электронике, по-прежнему технически оправданным и востребованным остается применение «традиционных» мощных тиристоров.
В статье рассмотрены основные тенденции развития этого типа с...

Диоды и тиристоры — это очень просто. Часть 1. Общие вопросы

Инженеры «со стажем», возможно, помнят замечательные книги Е. Айсберга, вышедшие в русском переводе в далеком 1967 г.: «Радио — это очень просто» и «Телевидение — это очень просто». Путь многих хороших специалистов в радиоэлектронике начинался именно с них. Предлагаемая вашему вниманию статья является попыткой возродить хорошую традицию, однако мы не станем вести речь ab ovo и будем считать, чт...

Повышая скорость: SiC-модули Mitsubishi Electric

Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен...

Мощные IGBT-модули Dynex для диапазона напряжений 3,3–6,5 кВ

Динамически меняющийся рынок силовой электроники демонстрирует все возрастающую потребность в эффективных, надежных и энергоемких системах, предназначенных для самых различных отраслей промышленности. Спрос на такие системы побуждает разработчиков и конструкторов максимально быстро внедрять новые технологии преобразователей энергии и управляемых приводов, выполненных на основе IGBT-модулей. Ком...

Особенности управления SiC MOSFET

Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве. По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...