Диоды и тиристоры — это очень просто!
Часть 5. Управление и защита

Материал продолжает серию статей («Силовая электроника» № 1–3’2012 и № 3’2013), посвященных базовым вопросам применения диодов и тиристоров. В пятой части рассматриваются проблемы управления и защиты.

Новые кристаллы и топологии MiniSKiiP для повышения плотности мощности

Благодаря предельной простоте монтажа компоненты семейства MiniSKiiP используются в широкой гамме частотных преобразователей и получают все большее распространение. Компания SEMIKRON представляет новые трехуровневые модули MiniSKiiP Dual Split MLI, предназначенные для компактных «струнных» инверторов мощностью до 180 кВт с напряжением DC-шины 1500 В. Аналогичная версия модулей, ориентированная ...

100% SiC или гибрид?

Инновации в сфере силовой электроники связаны в первую очередь с внедрением широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. Карбид кремния рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для разработки новых поколений силовых ключей. Особенностям SiC-технологии по...

Диоды PEP/CAL — новые поколения чипов SEMIKRON

Диоды SEMIKRON, производимые с применением усовершенствованной технологии РЕР (Power Enhancing Passivation, рис. 1), представляют новое поколение выпрямительных полупроводниковых приборов. При их изготовлении используется отработанный процесс формования кристаллов MESA (mesa edge termination), известный по классическим диодам SKR (SEMIKRON Rectifier) [3], в сочетании с инновационным методом пас...

О климатике, механике, космическом излучении и прочих полезных вещах.
Часть 2. Воздействие влажности и конденсации на работу силовых электронных систем

В первой части статьи были описаны виды воздействий окружающей среды на электронные устройства в соответствии со стандартом EN 60721. Здесь мы более подробно рассмотрим вопрос о том, как влажность и образование конденсата влияют на работу силовых электронных систем, а также дадим рекомендации, позволяющие минимизировать это влияние и повысить надежность работы системы.

Высоковольтные испытания силовых модулей

Цель большинства современных стандартов электротехнической промышленности — защита пользователей от воздействия электрического тока. Для решения этой задачи сформулированы четкие требования безопасности, предъявляемые к конструкции изделий и производственным процессам. Для оценки их выполнения проводятся специальные испытания, самым важным из которых является проверка изоляции на воздействие вы...

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А...

Космическое излучение и надежность силовой электроники

Срок службы электронного силового модуля описывается т. н. «кривой надежности», имеющей три ярко выраженных участка. Начало эксплуатации характеризуется «ранними отказами», далее их интенсивность падает до минимального уровня в ходе нормальной эксплуатации и, наконец, снова резко возрастает в конце ресурсного периода. Однако и случайные выходы из строя также не должны игнорироваться при рассмот...

Влияние емкости нагрузки на динамические потери IGBT

Справочные значения динамических потерь силовых ключей приводятся в документации с учетом работы на индуктивную нагрузку, что соответствует требованиям стандартов IEC и согласуется с условиями эксплуатации в большинстве реальных приложений. В приводах малой и средней мощности для соединения с двигателем часто используется длинный кабель (например, в сервоприводах), при этом нагрузка получает зн...

Параллельная работа IGBT при различных способах управления затворами

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).