Как работает трансформатор?

Давно уже было отмечено 100-летие изобретения трансформатора, однако вопрос, вынесенный в заголовок, по сей день ввергает в дрожь студента, вытянувшего билет на экзамене с таким вопросом. Да и преподаватель на первой лекции, когда надо изложить принцип действия этого нехитрого прибора, попадает в состояние той умной собаки, которая все понимает, а сказать не может…

Перечень статей, опубликованных в журнале «Силовая электроника» в 2018 году

Силовая элементная база Силовые диоды компании Microsemi. Константин Верхулевский. № 1, стр. 5 SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации. Джим Ричмонд (Jim Richmond). Перевод: Евгений Карташов, Валерия Смирнова. № 1, стр. 12 Малое может иметь большое значение. Кума Юцел (Cuma Yücel). Перевод: Антон Смирнов. № 1, стр. 18 Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером. Др. Арне Альбертсен. № 2, стр. 4 Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения. Николай Брюхно, Владимир Громов, Андрей ...

Как вы яхту назовете, так она и поплывет! Часть 2

В первой части статьи («Силовая электроника» №4, 2018 г.) рассмотрена ситуация, существующая в научно-технической литературе и ряде нормативно-технических документов в части терминологии, применяемой в направлении техники «силовая электроника» (источники и системы электропитания) и в других смежных с ним направлениях (источники и качество электроэнергии, системы электроснабжения). Во второй час...

Как вы яхту назовете, так она и поплывет!
Часть 1

В статье рассмотрена ситуация, существующая в научно-технической литературе и нормативно-технических документах в части терминологии, применяемой в направлении техники «Силовая электроника» и других смежных с ним направлениях

Перечень статей, опубликованных в журнале «Силовая электроника» в 2017 году

Рынок SWEET 2017 в Корее. Валерий Мелешин. №3, стр. 4.   Силовая элементная база Приборы учета электроэнергии для умных электросетей с дезагрегацией и разъемными трансформаторами тока LEM серии ATO. Патрик Шулер (Patrick Schuler). №1, стр. 4. О «феноменальном» поведении диодов. Арендт Винтрих (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Рейман (Tobias Reimann). Перевод и комментарии: Андрей Колпаков. №1, стр. 8. 1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль с пазовой структурой затвора Advanced Trench HiGT и оптимизированной конструкцией. Такаюки Кусима ...

Перечень статей, опубликованных в журнале «Силовая электроника» в 2019 году

Рынок ELECTRONICON — лидер немецкого конденсаторостроения более чем с 80-летней историей. № 3, стр. 4.   Силовая элементная база Затворный резистор. Часть 2. Павел Новиков. № 1, стр. 4. Важная особенность приложений с аккумуляторными модулями: реле Gruner на 48 В с подавлением электрической дуги. Роберт Франк. № 1, стр. 8. Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT. Александр Пескин. № 1, стр. 10. Коммутационные возможности 750 A/3300 В сдвоенных SiC-модулей. Евгений Виснер, Нильс Зольтау, Нобухико Танака. Перевод и дополнения: Владимир Рентюк. № 1, стр. 22. ...

Школа MATLAB. Все уроки

Система MATLAB (от слов Matrix Laboratory — матричная лаборатория) создана специалистами фирмы Math Works Inc. с привлечением большого количества партнеров. Существует она около двадцати лет. Это лицензионный программный продукт высочайшего уровня, который постоянно совершенствуется, что проявляется в появлении новых более совершенных версий. Так, в 2001 году фирма Math Works выпустила в свет в...

В преддверии возрождения постоянного тока. Часть 2

Во второй части статьи продолжаем рассматривать отдельные аспекты развивающихся DC-технологий в разных областях.

Полезные формулы и выражения

Максимальный постоянный ток IGBT при данной температуре корпуса TC Максимальный постоянный ток диода (FWD) при данной температуре корпуса Мощность потерь IGBT (общий вид) Суммарная энергия потерь Суммарная мощность рассеяния за импульс проводимости Потери проводимости IGBT Потери проводимости FWD Потери переключения IGBT и FWD: Мощность потерь в режиме синусоидальной модуляции (полумостовой каскад) Потери переключения IGBT и FWD: Потери проводимости антипараллельного диода (FWD): Потери переключения IGBT и FWD: Температура кристалла Tj Температура выходящего воздуха (выходящей ...