Теплопроводящий материал Thermal Interface Material для нового семейства модулей XM3 Wolfspeed

Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.

Новые SiC-модули XM3 — для снижения размеров, веса и стоимости силовых преобразователей

Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.

Кристаллы SiC MOSFET 12-го класса от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила кристаллы SiC МОП-транзисторов поколения Gen 3 на напряжение 1200 В и ток до 149 А. Кристаллы/чипы поставляются в разрезанном виде в кассетах waffle Pack либо на UV-пленке. Кристаллы SiC MOSFET находят свое применение в солнечных инверторах, системах управления приводом, высоковольтных преобразователях, импульсных источниках питания и зарядных устройствах электромобилей. SiC-технология позволяет увеличить КПД и мощность, уменьшить габариты и вес устройства. Производство включает полный цикл, начиная с монокристаллов и подложек и заканчивая  ...

Изолированный драйвер затвора SiC МОП-транзисторов компании Cree

Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани...

SiC MOSFET в корпусах с кельвиновским выводом для зарядных станций электромобилей

Достижения в разработке корпусов для широкозонных полупроводников позволяют транзисторам SiC MOSFET работать на более высоких частотах при меньших потерях переключения. Улучшенные низкоиндуктивные корпуса дают возможность использовать все преимущества быстрой коммутации для улучшения эффективности силовых преобразователей и, соответственно, обеспечить энергосбережение для заказчиков. Простые и ...

Транзисторы SiC MOSFET со сверхнизким сопротивлением канала в приводах электромобилей

Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б...

SiC-приборы готовы к применению в жестких условиях окружающей среды

Новый модуль Wolfspeed удовлетворяет требованиям по надежности для силовых преобразовательных систем в возобновляемой энергетике и на транспорте.

SiC силовые приборы: прорыв на системном уровне

Необходимы прогрессивные решения на системном уровне, призывает Гай Мокси, директор Wolfspeed, чтобы реализовать преимущества, которые обеспечивают приборы на основе карбида кремния (SiC) для проектирования устройств силовой электроники.

Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике

На рынке в течение многих лет ходят разговоры о концепциях и планах по выпуску широкозонных приборов, обладающих массой новых возможностей. Тем не менее вы не можете сделать что-либо на базе презентации PowerPoint или предварительной спецификации. Эта статья подтверждает тот факт, что компания Wolfspeed вышла далеко за рамки любой шумихи, разговоров и поддельных новостей и стала пионером широко...

Инвертор 250 кВт на основе SiC силового модуля Wolfspeed с индуктивностью 5,5 нГн

В статье описан прототип инвертора мощностью 250 кВт, разработанный с применением карбидокремниевых (SiC) высокоскоростных, низкоиндуктивных силовых модулей. Он использован для демонстрации динамических свойств DC-шины, определяемых соотношением паразитных параметров контура коммутации и динамики переключения. Взаимодействие распределенных элементов структуры DC-шины и динамики коммутации в диа...