Моделирование стандартных топологий схем с карбидокремниевыми MOSFET Wolfspeed

Сегодня чаще чем когда-либо разработчики выбирают карбидокремниевые приборы (SiC) за их высокую эффективность, плотность мощности и лучшую экономическую эффективность на системном уровне по сравнению с кремниевыми (Si) компонентами. Помимо знания основных принципов проектирования, общих для SiC и Si, а также необходимости учитывать особенности характеристик, возможностей и преимуществ SiC, спец...

Двунаправленное бортовое зарядное устройство электромобилей 6,6 кВт на SiC MOSFET от Wolfspeed

Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн двунаправленного бортового зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на SiC-МОП транзисторах 1000 В 65 мОм — CRD-06600FF10N. Основные характеристики зарядного устройства: демонстрирует работу SiC MOSFET 1000 В 65 мОм Wolfspeed поколения C3M в двунаправленном бортовом зарядном устройстве электромобилей 6,6 кВт; плата состоит из двунаправленного ККМ (AC/DC) топологии Totem-Pole и изолированного двунаправленного DC/DC топологии CLLC с варьируемым напряжением DC-звена; плата поддерживает диапазон входного напряжения 90–265 В (AC) и 250–450 В ...

Расширение семейства 650-В SiC-диодов Шоттки от Wolfspeed

Компания Wolfspeed дополнила семейство 650-В SiC-диодов Шоттки новинками на токи 10, 8 и 6 А в корпусе TO-263-2. Преимущества диодов: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Особенности: нулевой обратный ток восстановления; нулевое прямое напряжение восстановления; низкое прямое падение напряжения (VF); низкий ток утечки (Ir); режим переключения не зависит от температуры; положительный температурный коэффициент на VF. Применение диодов: импульсные ...

Повышающий 60-кВт преобразователь с чередованием фаз на SiC MOSFET от Wolfspeed

Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн повышающего 60-кВт преобразователя с чередованием фаз на основе SiC-МОП-транзисторов 1200 В 75 мОм — CRD-60DD12N. Характеристики повышающего преобразователя: демонстрирует работу SiC MOSFET 1200 В 75 мОм Wolfspeed поколения C3M в повышающем 60-кВт преобразователе в режиме чередования фаз; преобразователь состоит из четырех уровней по 15 кВт, на каждом из которых используется драйвер затвора MOSFET CGD15SG00D2; напряжение на входе 470–800 В DC, 850 В DC на выходе с пиковым КПД 99,5% и удельной мощностью 127 Вт/дюйм3; документация включает ...

Теплопроводящий материал Thermal Interface Material для нового семейства модулей XM3 Wolfspeed

Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.

Новые SiC-модули XM3 — для снижения размеров, веса и стоимости силовых преобразователей

Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.

Кристаллы SiC MOSFET 12-го класса от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила кристаллы SiC МОП-транзисторов поколения Gen 3 на напряжение 1200 В и ток до 149 А. Кристаллы/чипы поставляются в разрезанном виде в кассетах waffle Pack либо на UV-пленке. Кристаллы SiC MOSFET находят свое применение в солнечных инверторах, системах управления приводом, высоковольтных преобразователях, импульсных источниках питания и зарядных устройствах электромобилей. SiC-технология позволяет увеличить КПД и мощность, уменьшить габариты и вес устройства. Производство включает полный цикл, начиная с монокристаллов и подложек и заканчивая  ...

Изолированный драйвер затвора SiC МОП-транзисторов компании Cree

Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани...

SiC MOSFET в корпусах с кельвиновским выводом для зарядных станций электромобилей

Достижения в разработке корпусов для широкозонных полупроводников позволяют транзисторам SiC MOSFET работать на более высоких частотах при меньших потерях переключения. Улучшенные низкоиндуктивные корпуса дают возможность использовать все преимущества быстрой коммутации для улучшения эффективности силовых преобразователей и, соответственно, обеспечить энергосбережение для заказчиков. Простые и ...

Транзисторы SiC MOSFET со сверхнизким сопротивлением канала в приводах электромобилей

Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б...