Компания «ИДМ-ПЛЮС» специализируется на разработке и производстве микросхем, датчиков и устройств, в состав которых входит в том числе отечественная элементная база. В структуре компании имеется собственный дизайн-центр проектирования специализированных интегральных микросхем, разработки которого активно внедряются в серийную продукцию. Например, разработанная микросхема датчика магнитного поля... 
В ассортименте продукции компании SEMIKRON компоненты серии SEMITOP — самые компактные. Они рассматриваются как альтернатива дискретным транзисторам, предназначенным для производства преобразователей мощностью от единиц до десятков киловатт. При этом модули SEMITOP выпускаются в изолированных корпусах и содержат практически все применяемые в силовой электронике преобразовательные и выпрямительн... 
Надежность и эффективность применения управляемых силовых полупроводниковых приборов и, соответственно, преобразовательной техники на их основе во многом зависит не только от качества и сочетания параметров СПП. Эксплуатационные характеристики преобразователей также определяются параметрами и интерфейсами соответствующих систем управления. В статье представлены базовые разработки микроконтролле... 
По своим затворным характеристикам транзисторы SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученных кремниевых (Si) ключей. Карбидокремниевым структурам присущи некоторые специфические особенности, например дрейф порогового напряжения затвора VGS(th) SiC при длительной эксплуатации и деградация окисного слоя при использовании отрицательного напряжения выключения.
Проведенные в последние годы иссл... 
Статья знакомит читателей с компанией Global Power Technology и ее основной продукцией — SiC-диодами Шоттки. В силу ограниченного объема журнальной публикации приведены некоторые основные параметры только четырех диодов. С параметрами остальных устройств можно ознакомиться на сайте компании. 
Энергоэффективность называют ключевым фактором, который обеспечивает повышение экологичности. Особенно это касается промышленности, где спрос на электроэнергию огромен и увеличение энергоэффективности может существенно повлиять на окружающую среду и гарантировать ее стабильное будущее.
Компания Hitachi Energy разработала новое поколение тиристоров фазового управления (PCT — Phase Control Thyri... 
В статье дается анализ динамики рынка силовой электроники и рассмотрено промышленное освоение новых технологий в виде карбида кремния для мощных IGBT-транзисторов и для менее мощных MOSFET-транзисторов. Приведены физические свойства и характеристики MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния и отмечены их преимущества в части температурной, электрической и радиационной стойкости сравнительно... 
Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В.
Применение SiC MOSFET-транзисторов:
преобразователи собственных нужд электротранспорта;
импульсные источники питания.
Преимущества:
повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость;
позволяет работать на высокой частоте переключения;
улучшает плотность мощности на уровне системы;
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение;
удовлетворяют требованиям новых топологий с ... 
В статье предложена схема многоступенчатого заряда конденсатора до напряжений, в несколько раз превышающих двойное напряжение источника питания. Схема состоит из зарядного и перезарядного контуров, причем в цепи перезарядного контура последовательно с индуктивностью могут быть включены транзистор для получения положительного выходного напряжения на конденсаторе, диод для получения отрицательног... 
Компания Yanjie расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS. Ассортимент включает в себя изделия с пробивным напряжение коллектор-эмиттер 1200 В. Диапазон токов 40–75 А. Основным применение являются высокочастотные устройства, такие как фотоэлектрические инверторы, накопители энергии, зарядные станции и т. д. Новые приборы способны заменить дефицитные компоненты глобальных производителей без дополнительной переработки устройства. Соответствует стандартам RoHS.
Основные особенности новых IGBT:
структура Trench-FS имеет улучшенной соотношение блокирующего ... 