Дискретные силовые MOSFET/IGBT-ключи c выводом Кельвина

Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко...

Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы

В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор...

О некоторых аспектах применения датчиков — преобразователей тока

При конструировании изделий с использованием датчиков тока приходится сталкиваться с рядом технических аспектов. Некоторые из них возникают лишь периодически и трудновоспроизводимы. Если они к тому же затрагивают не слишком популярные разделы электротехники, их порой возводят в ранг необъяснимых феноменов.
Цель статьи — дать полезный обзор некоторых известных явлений и помочь инженер...

4,5-кВ IGBT и диоды для электроэнергетики

Для построения систем передачи энергии, действующих на постоянном токе и при высоком напряжении, создано новое поколение кристаллов IGBT и диодов с рабочим напряжением 4,5 кВ. Эти приборы оптимизированы для функционирования с низкими статическими потерями в сочетании с быстрым включением при коммутации больших токов и напряжений. В кристаллах реализована высокая надежность в режимах короткого з...

Высокотемпературные компоненты Microsemi — надежность в экстремальных условиях эксплуатации

Проектирование высокотемпературных электронных устройств тесно связано с решением целого комплекса сложных задач, включающих в себя моделирование и расчет тепловых режимов, выбор и обоснование применяемых материалов и типов корпусного исполнения, организацию технологических процессов производства и многое другое. Компания Microsemi имеет специализированное подразделение, ориентированное на разр...

Быстродействующие 650-В IGBT-транзисторы для DC/DC-преобразователей на частотах до 200 кГц

Растущие требования к увеличению мощности высоковольтных источников питания и снижению их стоимости заставляют производителей полупроводниковых приборов создавать IGBT-транзисторы, способные действовать на рабочих частотах свыше 100 кГц. Компанией IR была создана технология Punch-Through (PT) с запирающим напряжением 650 В, оптимизированная для работы в DC/DC-преобразователях на частотах до 200...

Конденсаторы ZEZ SILKO для силовой электроники

Компания ZEZ SILKO s.r.o., чешский производитель силовых конденсаторов, уже в течение 80 лет занимается их производством. Фирма известна своими изделиями не только в области энергетики, компенсации реактивной мощности в сетях высокого и низкого напряжения или в области оборудования для индукционного нагрева, но также и в области силовой электроники.

Как правильно подобрать быстродействующий предохранитель

Силовая электроника, управляющая киловаттами и мегаваттами энергии, немыслима без соответствующих мер защиты. Наряду со сложными автоматизированными системами в аппаратуре всегда имеется последний защитный барьер в виде предохранителей. От правильного выбора параметров предохранителя зависят затраты, которые понесет потребитель при последующем ремонте.

Продукция компании GIGAVAC на российском рынке

Компания GIGAVAC является мировым лидером по разработке и производству высоковольтных реле, контакторов, ручных автоматических выключателей и других изделий силовой электроники. Продукция GIGAVAC может использоваться в широком спектре приложений. Потребителями продукции фирмы являются производители военной и аэрокосмической аппаратуры, транспортных средств, оборудования горнодобывающей промышле...

Транзисторы SiC MOSFET со сверхнизким сопротивлением канала в приводах электромобилей

Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б...