CAPZero-2: экономия должна быть экономной, или
Как можно эффективно снизить потери мощности там, где и снижать-то вроде бы нечего

За последние сто пятьдесят лет человечество в плане технического развития нашей цивилизации совершило такой прорыв, результаты которого превысили все, что было достигнуто с момента ее зарождения до конца XIX в. И это развитие продолжается ускоренными темами, в обиход входят все новые и новые устройства, потребляющие электроэнергию. Ученые предупреждают, что развитие цивилизации может замедлитьс...

BISS-транзисторы в режиме насыщения

В статье приведены экспериментальные данные режима насыщения некоторых типов современных BISS-транзисторов. Показано, что для них применимы критерии режима насыщения, в частности — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас, разработанный ранее для традиционных ключевых биполярных транзисторов.

Шинопроводы алюминий–медь. Новые возможности

Современные изделия преобразовательной техники предназначены для управления устройствами значительной мощности, вплоть до нескольких мегаватт. Соответственно величины коммутируемых токов составляют тысячи ампер. Данное обстоятельство предъявляет особые требования к исполнению проводниковых элементов как в части проводимости, так и по механическим свойствам по причине значительных динамических н...

1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль с пазовой структурой затвора Advanced Trench HiGT и оптимизированной конструкцией

К рассмотрению предлагается вновь разработанный 1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль, имеющий самый высокий в настоящее время номинальный рабочий ток. При его создании для достижения минимальных потерь была использована новая пазовая структура Advanced Trench HiGT. Электрические и тепловые характеристики модуля были оптимизированы с целью уменьшения его теплового сопротивления и снижения паразитной индукт...

Вопросы управления IGBT: однополярное управление, использование внешней емкости затвора

Вопросы управления изолированным затвором IGBT широко описаны в различных публикациях, в частности [3–5]. Одной из основных задач производителей электроприводов, инверторов солнечных батарей, источников питания и UPS является снижение стоимости и габаритов выпускаемых изделий. По этой причине в диапазоне малых мощностей часто используется однополярный сигнал управления с нулевым напряжением вык...

Приборы учета электроэнергии для умных электросетей с дезагрегацией и разъемными трансформаторами тока LEM серии ATO

Традиционный интрузивный метод учета расхода электроэнергии включает в себя установку нескольких многоточечных или одноточечных приборов учета, способных производить мониторинг одно- и трехфазных цепей питания каждой нагрузки. Из-за особенностей работы предприятия распределительные щиты могут быть расположены в нескольких шкафах по всему зданию, что требует установки большого количества приборо...

Изолированные DC/DC-преобразователи для питания IGBT и полевых транзисторов на SiC

Коммутационные потери SiC-транзистора в четыре раза ниже потерь традиционного IGBT. Отсутствие «хвоста» тока при отключении — ключевое преимущество SiC-транзистора, которое растет с ростом рабочей частоты переключения, что, в свою очередь, дает заметное увеличение эффективности и повышает целесообразность использования его, например, в мостовых схемах с увеличенной частотой коммутации. Так как ...

Инновационный дизайн тяговых приводов с конденсаторами CeraLink

Новые тяговые инверторы, разработанные компанией Scienlab electronic systems, имеют компактную, легкую конструкцию с высокой удельной плотностью мощности. Они могут быть легко адаптированы для самого широкого спектра приложений и прекрасно подходят для использования в таком бурно развивающемся сегменте индустрии, как электрические транспортные средства. Разработать новый инвертор стало возможны...

Динамические и статические характеристики SiC MOSFET при параллельном включении

Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температур...

Новое поколение преобразовательных систем на основе карбидокремниевых силовых ключей

Мировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. Однако недостатком этого процесса являются более высокие энергетические затраты и негативные экологические эффекты, связанные с освоением и выпуском продуктов, потребляющих большее количество энергии.