Гибридные IGBT-модули ПАО «Электровыпрямитель»
В статье представлены результаты испытаний новых разработок гибридных модулей на основе Si SPT IGBT и SiC-диодов Шоттки. ПАО «Электровыпрямитель»
В статье представлены результаты испытаний новых разработок гибридных модулей на основе Si SPT IGBT и SiC-диодов Шоттки. Мощный высоковольтный диод для импульсных применений
В настоящее время на рынке импульсных применений силовой электроники доминируют технологии двойного назначения. Большой интерес представляют коммутаторы и генераторы импульсов тока микросекундного и субмиллисекундного диапазонов, выполненные на основе быстродействующих полупроводниковых ключей. Они по-прежнему остаются наилучшей альтернативой механическим прерывателям, игнитронам и тиратронам. ... Унифицированные системы управления ПАО «Электровыпрямитель» для преобразовательной техники
Надежность и эффективность применения управляемых силовых полупроводниковых приборов и, соответственно, преобразовательной техники на их основе во многом зависит не только от качества и сочетания параметров СПП. Эксплуатационные характеристики преобразователей также определяются параметрами и интерфейсами соответствующих систем управления. В статье представлены базовые разработки микроконтролле... Тиристорные модули высокой мощности для электропривода
Постоянно возрастающие мощность и степень интеграции преобразовательного оборудования являются одними из основополагающих признаков развития модульной конструкции приборов силовой электроники. Модульное исполнение весьма привлекательно, поскольку позволяет организовать простые и компактные решения при проектировании современных преобразовательных устройств. В статье представлены результаты посл... Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 3. Влияние параметров цепи управления на коммутационные характеристики
Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци... Силовые блоки на основе тиристоров и фототиристоров для промышленных применений
В статье представлены последние результаты разработок в области силовых блоков на основе отечественных биполярных полупроводниковых приборов. Рассмотрены примеры конструирования блоков выпрямителей и ключей переменного тока большой мощности, ориентированных на требования потребителей. Высокоэффективные жидкостные охладители для изделий силовой электроники
В статье представлены новые изделия в области разработки высокоэффективных жидкостных охладителей для приборов и модулей силовой электроники. Приведены методы моделирования, применяемые при конструировании новых охладителей, особенности технологии изготовления и результаты исследований их характеристик. Мощные тиристоры для преобразователей линий электропередачи постоянного тока
Представлены результаты исследования современной элементной базы отечественной силовой электроники для высоковольтных тиристорных вентилей для линий электропередачи постоянного тока. Приведены характеристики мощных высоковольтных тиристоров Т283-1600 нового поколения с повышенной надежностью. Выполнены исследования тиристоров в режимах их эксплуатации в составе блока вентилей модернизируемого п... Мощные тиристоры с прямым управлением светом и лазерные волоконно-оптические модули управления для высоковольтных применений
Представлены результаты разработки серии высоковольтных тиристоров, управляемых светом (фототиристоров) и лазерных волоконно-оптических модулей (ВОМ) для высоковольтной передачи постоянного тока, статических компенсаторов энергии, преобразователей высоковольтных электроприводов, импульсной техники. Исследование параметров и характеристик обогащенно-планарных IGBT с малыми потерями на напряжение 1200 В
В статье представлены результаты исследований высоконадежных IGBT модулей ОАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В на основе новых российских кристаллов IGBT и FRD, технология производства которых осваивается сегодня лидером отечественной микроэлектроники ОАО «Ангстрем».