Источники питания
В НИУ «МЭИ» разработали высоковольтный многоячейковый источник питания с высокой точностью стабилизации выходного напряжения. Производство этого нового, полностью российского устройства является важным шагом в развитии отечественной промышленной электроники.
Источник представляет собой набор однотипных ячеек. Такая структура называется многоячейковой и предусматривает работу большого количества ячеек на одну нагрузку (все ячейки соединены последовательно и питают одну-единственную нагрузку). Каждая ячейка независимо измеряет и стабилизирует напряжение на своем выходе с высокой точностью. ...
Выбор источника бесперебойного питания
Кратковременные отключения электричества ставят перед владельцами квартир или загородных домов проблему поиска источника вторичного электроснабжения, требования к которым не всегда известны широкому кругу потребителей. Если для владельцев больших загородных домов такая проблема заканчивается, как правило, покупкой генератора, то перед владельцами дачных участков или квартир встает задача выбора...
Термоэлектрические источники питания: принцип работы и применение
В современном мире технологии развиваются с невероятной скоростью, и одним из важных аспектов этого развития является поиск новых источников энергии. Одним из таких источников являются термоэлектрические генераторы (ТЭГ), которые преобразуют тепловую энергию в электрическую. В основе их работы лежит эффект Зеебека — возникновение электродвижущей силы в замкнутой электрической цепи, состоящей из последовательно соединённых разнородных проводников, контакты между которыми находятся при различных температурах.
Термоэлектрический генератор состоит из двух основных компонентов: термобатареи и ...
Методы анализа резонансных преобразователей постоянного напряжения типа LLC
Резонансные преобразователи постоянного напряжения (ППН), или DC/DC-преобразователи, представляют собой важную разновидность ППН с промежуточным звеном переменного тока. В последнее десятилетие особый интерес проявляется к резонансным ППН типов LLC и LCC. При этом, казалось бы, ППН типа LLC имеют совсем небольшое отличие от обычных ППН с последовательным резонансным инвертором, состоящее в том,...
Параллельное включение инверторов напряжения: анализ устойчивости
В статье рассмотрен простой в применении метод расчета устойчивости в системе с параллельным включением инверторов с синусоидальным выходным напряжением на одну нагрузку. Предполагается отсутствие связи между системами управления инверторов, синхронизация фазы и выравнивание амплитуды осуществляются за счет обратных связей по активной и реактивной составляющим мощности на выходе инвертора. В ос...
Анализ и построение функции Боде преобразователей постоянного напряжения с помощью простейших эквивалентных схем малого сигнала
В статье рассматривается анализ и построение функции Боде импульсных преобразователей постоянного напряжения, эквивалентные схемы которых приводятся к простейшим схемам низких порядков. Используются условия, при которых аналитические выражения для этих функций получаются простыми, что удобно применять при проектировании преобразователей постоянного напряжения.
Настольные источники питания постоянного тока Keithley: теперь «на стероидах»
Источники питания постоянного тока используются для обеспечения питания тестируемого устройства. Как правило, это доступные приборы, и на рынке предлагается множество таких устройств от различных производителей. Однако все чаще появляются новые требования и необходимость в определенных функциях для настольных приборов и системных источников питания даже в тех случаях, когда у пользователей пока...
Повышение эффективности автономных импульсных источников питания (SMPS) при переходе на SiC MOSFET Wolfspeed
Технология карбида кремния (SiC) позволила усовершенствовать компоненты систем и подсистем в различных областях применения. По сравнению с кремнием (Si) приборы на основе SiC демонстрируют большую плотность мощности и эффективность за счет высокой скорости переключения, плоской характеристики зависимости RDS(on) от температуры и лучших параметров body-диодов. В статье речь идет о том, как SiC-к...