XI международная конференция «Достижения китайской электронной промышленности в производстве высоконадежной ЭКБ для ответственных применений»
Конференция «Силовая электроника – 2026» состоится 28 мая 2026 года в Москве
Всё о микроэлектронике: «КОНСИСТ-ОС» пополнила серию бесплатных книг о цифровых технологиях
Твердотельное реле переменного тока с управлением по интерфейсу RS-485 (MODBUS RTU) от «Протон-Импульс»
Устройства для подвижного ж/д состава и аппаратуры ЖАТ производства ЗАО «Протон-Импульс»
Регулируемые источники питания переменного тока серии ПНБА ООО «НТЦ АКТОР» внесены в Госреестр
Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57
Спектрометры Broadcom — обновление серии Qwave
Двунаправленный DC/DC-преобразователь 48S14.250BC от Calex с выходной мощностью 3500 Вт
В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая... 
Уже несколько лет широкозонные полупроводники остаются популярной темой, они по праву перешли из категории технологий будущего в категорию крупного рыночного сегмента, их прогнозируемый прирост на рынке — 33,4% CAGR в течение следующих пяти лет и достижение $1,82 млрд до 2024 года [1]. Широкозонные устройства изготавливаются с помощью либо карбида кремния (SiC), либо нитрида галлия (GaN). До на... 
В статье описано влияние возможных отказов незащищенных IGBT на изоляционный барьер драйверов затвора с оптической изоляцией компании Broadcom. 
В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще... 
Это четвертая публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла были описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в двух основных узлах современного электрического транспортного средства — встроенном зарядном устройстве и... 
Современное силовое и энергетическое оборудование является важной частью производственной и жилой инфраструктуры. Подобные изделия проектируются и производятся с расчетом на длительное время эксплуатации, составляющее десятки лет. Поэтому вопрос защиты оборудования и связанной инфраструктуры становится очень важным на всех этапах разработки и эксплуатации. Данная статья должна помочь сделать пр... 
В статье представлена новая установка индукционного нагрева ТВЧ для закалки шестерни. Показан магнитный концентратор индуктора с шаблоном зуба индукционного нагрева преобразователя «ПЕТРА». 
В статье [1] рассмотрен частотно-токовый способ управления асинхронным двигателем, обеспечивающий получение максимального вращающего момента при данном токе статора за счет поддержания оптимального абсолютного скольжения. Этим достигается максимальное быстродействие в переходных режимах. В стационарном режиме преимущественным становится абсолютное скольжение, обеспечивающее минимум потребляемой... 
Огромный толчок в развитии современной преобразовательной техники произошел благодаря внедрению в массовое производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния, использование которого позволяет выйти устройствам на новый уровень за счет улучшения энергетических качеств, увеличения КПД и удельной мощности, а также уменьшения массогабаритных показателей. В статье рассмотрены решени... 
Рассматриваются параметры унифицированных модулей питания, анализируя которые, разработчик РЭА может быстро и просто сделать вывод о надежности и функциональных возможностях данного устройства. 
отправка...