Конструкция и принцип действия CIBH-диода

Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода.

О простом порошке и бизнес-этике

Мы не сомневаемся, что в свое время всем набила оскомину реклама стирального порошка Ariel и его сравнение с «обычным порошком». Однако при всей примитивности мысли в этом ролике четко прослеживается простое правило, принятое во всех цивилизованных странах: «Хвали себя, а покупатель сам разберется». К сожалению, наш рынок пока далек от цивилизованного, и зачастую мы встречаемся с примерами неко...

Трансформаторы с уменьшенными бросками тока намагничивания и пониженными потерями на гистерезис сердечника. Перемагничивание ферромагнетиков

Статья посвящена исследованию свойств новых силовых трансформаторов типа MTS, конструктивной особенностью которых является использование стержней-обмоток — деталей, выполняющих одновременно две функции: одной или всех обмоток трансформатора и стержней ферромагнитного сердечника или всего этого сердечника. Кратко описаны новые трансформаторы, технологии и свойства материалов для их изготовления;...

Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров

Управление рекомбинационными свойствами в слоях полупроводниковой структуры является одним из эффективных методов повышения быстродействия и улучшения ряда других важных характеристик силовых полупроводниковых приборов. В статье рассматриваются аспекты применения одной из таких технологий, основанной на облучении кремниевых структур ускоренными протонами.

Исследование энергии динамических потерь в силовых модулях NPT IGBT с прозрачным эмиттером

Представлены результаты экспериментального исследования динамических характеристик отечественных силовых модулей NPT IGBT с прозрачным эмиттером. Измерение энергии динамических потерь проведено с учетом составляющих на интервалах установления стационарных состояний, информация по которым, как правило, отсутствует в паспортных данных и каталогах.

Эрих Никлас:
«Из узкой ниши карбид-кремниевые силовые полупроводники выйдут на массовый рынок»

Подразделение силовых компонентов компании Сree известно как крупнейший производитель диодов на основе карбида кремния (SiC), применяемых в системах контроля и управления питанием различных устройств. Вместе с тем в силовой электронике технология SiC новая и малоосвоенная. О проблемах серийного производства SiC-компонентов и перспективах технологии нам рассказал Эрих Никлас (Erich Niklas), мене...

SKAI — технология компактных автоэлектронных систем

Требования автомобильной индустрии становятся все более жесткими, и их выполнение влечет за собой необходимость совершенствования производственных процессов и ужесточения контроля параметров всех элементов системы. Это касается самого широкого диапазона применений — от погрузчиков до гибридо- и электромобилей, сельскохозяйственных и строительных машин.
Автомобильная промышленность являет...

Переходные процессы пуска тиристорного мостового инвертора с удвоением частоты

В статье рассмотрены особенности переходных процессов пуска силовой схемы тиристорного мостового инвертора с обратными диодами и удвоением частоты, широко применяемой для тиристорных преобразователей частоты в установках индукционного нагрева металлов токами повышенной частоты.
Показано, что в программе Micro-Cap, использующей PSpice-модели компонентов, целесообразно моделировать электро...

Программируемые преобразователи частоты и напряжения для авиационных приборов

Для нормального функционирования любой техники необходимо соответствующее электропитание. Нормы качества электропитания для авиационной техники регламентирует ГОСТ 19705-89 «Системы электроснабжения самолетов и вертолетов. Общие требования и нормы качества электроэнергии».

Карбид кремния выводит диоды Шоттки 17-го класса на новый уровень

Хотя карбид кремния (SiC) был открыт Йенсом Якобом Берцелиусом (Jöns Jakob Berzelius) еще в начале XIX в., для производства коммерческих полупроводников этот материал стал применяться только в последние 20 лет. Впервые SiC был использован в серийном производстве для изготовления сверхъярких голубых и зеленых светодиодов компании Cree. И только семь лет назад началось производство коммерческих 6...