IGBT-модуль 1200 В 450 А от AMG Power

Номенклатура IGBT-модулей компании AMG Power пополнилась устройством AMG450G1200MED, рассчитанным на 1200 В, 450 А и выполненным в корпусе типа Econodual. Параметры и преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED: напряжение UCES: 1200 В; ток IC: 450 А; конфигурация: полумост; корпус: Econodual; низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT (micro-pattern trench); низкие потери при переключении; надежность RBSOA; низкие потери при обратном восстановлении; низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн. ...

Статья «Повышение электромагнитной совместимости внутреннего электрического монтажа»

Кабели и жгуты, соединяющие отдельные печатные платы внутри прибора, гораздо короче межблочных соединений. Однако плотность внутреннего монтажа обычно выше, что может привести к росту перекрестных наводок при взаимодействии сигнальных линий на близком расстоянии. Кроме того, незакрепленные внутренние жгуты могут стать причиной нестабильной работы прибора или смежного оборудования. Это обусловлено изменяющимися уровнями эмиссии помех и чувствительности к ним при смещении проводников относительно заземленных конструкций, несущих обратные сигнальные токи. Вводная часть статьи "Повышение ...

Обновленный SiC MOSFET-транзистор 1700 В поколения Gen2 от AMG Power

Компания AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением –5/+18 В — A2G100N1700MT4. В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS –5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии. Основные параметры A2G100N1700MT4: напряжение сток-исток: 1700 В; ток (при +25 °C): 100 A; Rds(On): 25 мОм; управляющее напряжение затвор-исток: –5/+18 В; тип корпуса: TO-247-4; суммарный заряд затвора: 168 нКл; максимальная температура ...

Серия DC/DC-преобразователей мощностью 15 и 20 Вт со сверхшироким входным диапазоном 12:1 от Traco Power

Компания Traco Power выпустила серию высокопроизводительных преобразователей постоянного тока мощностью 15 и 20 Вт со сверхшироким 12:1 входным диапазоном 9–75 В и 14–160 В постоянного напряжения — THN 15UIR и THN 20UIR. Обе серии изготавливаются в компактном, полностью герметичном корпусе размером 1×1” для обеспечения высочайшей надежности. Имеют несколько вариантов выходного напряжения: 5, 12, 15, 24, ±12, ±15 В. Серии THN 15UIR и THN 20UIR имеют возможность подключения конденсатора задержки, что позволяет избавиться от необходимости использовать массивные конденсаторы на входе. ...

IGBT-модули 1200 В 600–900 А от AMG Power

Компания AMG Power расширила линейку IGBT-модулей 1200 В двумя модулями 12-го класса — на 600 и 900 А. Партномер Напряжение VCES, В Ток IC, А Корпус Топология AMG600G1200MED 1200 600 Econodual полумост AMG900G1200MED 1200 900 Econodual полумост Применение модулей: управление приводами; инверторы солнечных панелей; преобразователи высокой мощности; ИБП. Преимущества: низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 1,5 В (при +25 °С); затвор IGBT-чипа по технологии MPT ...

Участие российских производителей электроники в тендерах Казахстана

Российским производителям и экспортерам элементов силовой электроники доступны рынки стран СНГ, в том числе Казахстана. При этом помимо работы с частным бизнесом возможна работа в системе госзакупок. В Казахстане процедуры госзакупок и тендеров регулируются Законом Республики Казахстан «О государственных закупках». Государственные закупки проводятся с целью обеспечения государственных нужд, а также развития и поддержки местных предпринимателей. Органом, ответственным за организацию и контроль за государственными закупками в Казахстане, является Комитет государственных закупок Министерства ...

Семейство SiC MOSFET 1200 В третьего поколения Gen3 от AMG Power

Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В. Применение SiC MOSFET-транзисторов: преобразователи собственных нужд электротранспорта; импульсные источники питания. Преимущества: повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость; позволяет работать на высокой частоте переключения; улучшает плотность мощности на уровне системы; уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение; удовлетворяют требованиям новых топологий с ...

Расширение номенклатуры IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS от Yangjie

Компания Yanjie расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS. Ассортимент включает в себя изделия с пробивным напряжение коллектор-эмиттер 1200 В. Диапазон токов 40–75 А. Основным применение являются высокочастотные устройства, такие как фотоэлектрические инверторы, накопители энергии, зарядные станции и т. д. Новые приборы способны заменить дефицитные компоненты глобальных производителей без дополнительной переработки устройства. Соответствует стандартам RoHS. Основные особенности новых IGBT: структура Trench-FS имеет улучшенной соотношение блокирующего ...

Transphorm вошел в тройку лучших в мире производителей ноутбуков с адаптером питания USB-C PD GaN мощностью 65 Вт

Transphorm, Inc., пионер и мировой поставщик высоконадежных и высокопроизводительных продуктов преобразования энергии на основе нитрида галлия (GaN), объявила о том, что ее технология GaN успешно интегрирована в ноутбуки Hewlett Packard USB-C PD/PPS. Эта победа в дизайне укрепляет технологию GaN FET Transphorm в сегменте адаптеров малой и средней мощности от 25 до 350 Вт. В адаптере питания HP используется Transphorm SuperGaN Gen IV TP65H300G4LSG GaN FET 650 В. Эта технология обеспечивает простоту проектирования, высокую надежность и высокую производительность, которые стали синонимом ...

Samsung возглавляет инвестиционный проект по созданию нового полупроводникового решения для очистки сточных вод

В попытке создать новое решение для очистки сточных вод полупроводников венчурное подразделение Samsung Electronic инвестировало в Membrion, стартап по очистке сточных вод, базирующийся в Сиэтле. Благодаря инвестиционному проекту южнокорейской компании и британского венчурного капитала Lam Capital Membrion привлек $12,5 млн. Сточные воды, образующиеся в процессе производства полупроводников, содержат различные вредные тяжелые металлы. Это может привести к серьезному повреждению таких органов тела, как мозг, печень и почки. Такие сточные воды требуют специальных очистных сооружений с ...