XI международная конференция «Достижения китайской электронной промышленности в производстве высоконадежной ЭКБ для ответственных применений»

Институт космических исследований Российской академии наук (ИКИ РАН) совместно с компанией АО «Эпсилон» (Санкт-Петербург), при участии Китайской промышленной корпорации «Великая стена» (КПК «Великая стена») и Китайской академии аэрокосмических электронных технологий (CAAET) проводят XI международную конференцию «Достижения китайской электронной промышленности в производстве высоконадежной ЭКБ для ответственных применений». Конференция будет состоять из двух секций: изделия для применения в бортовой аппаратуре космического назначения (26–27 мая); изделия для применения в военной и ...

Круглый стол в онлайн-формате «Силовая электроника в России: от амбиций к реальности»

Мировая силовая электроника уже ушла в GaN, GaAs и другие «быстроногие» полупроводники. Есть ли у России шанс не опоздать окончательно? Обсудим это в онлайн-формате круглого стола 18 марта 2025 года в 12.00. В центре дискуссии — что действительно изменилось в мире и в России за последние годы и каковы наши реальные, а не декларативные шансы. Поговорим о конкурентоспособных решениях в быстродействующей силовой электронике для источников питания: от высокочастотных GaAs/GaN транзисторов до других широкозонных структур. Важно и экономическое измерение: где искать финансирование в условиях ...

SiC MOSFET в корпусе с инновационной конфигурацией выводов от AMG Power

Компания AMG Power расширила линейку карбид-кремниевых MOSFET решением в корпусе TO247-4S с уникальной конструкцией «два толстых, два тонких» вывода. Инновация заключается в физическом разделении силового и управляющего контуров: два массивных вывода предназначены для протекания основного тока (сток и силовой исток), а два тонких — для передачи управляющих сигналов (затвор и кельвиновский исток). Такой подход позволяет эффективно подавить влияние паразитной индуктивности истока на драйвер затвора, что критически важно для высокоскоростных переключающих приложений. В отличие от классических ...

Высоковольтные SiC-диоды Шоттки 4-го поколения от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала начало серийного производства линейки высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD) — передовых полупроводниковых приборов, созданных для применения в современных силовых электронных системах. Диоды представлены в нескольких типоразмерах корпусов — TO-220C-2L, TO-247-2, TO-247-3, TO-252 и TO-263-2 и охватывают широкий диапазон напряжений: 650, 1200 и 1700 В. Благодаря использованию технологий Gen 4 SiC, новые диоды обеспечивают низкое прямое падение напряжения (от 1,27 В), малую емкость перехода и высокую устойчивость к импульсным токам, что ...

Конференция «Силовая электроника – 2026» состоится 28 мая 2026 года в Москве

Тема «Силовая электроника» содержит множество разделов, начиная с микросхем AC/DC- и DC/DC- преобразователей мощностью несколько ватт и заканчивая источниками питания, а также инверторами в несколько десятков киловатт. Она охватывает широкий диапазон ключей от традиционных кремниевых MOSFET, IGBT до широкозонных SiC FET GaN FET. Разработкой и производством силовой электроники занимаются специалисты разных профилей. Конференция «Силовая электроника» — это площадка для профессионального общения и создания новых деловых контактов, обмена опытом по применению компонентов российских и зарубежных ...

Распределённая система радиомониторинга на одноплатных компьютерах: от одного SDR-узла до сети пеленгации

Контроль радиочастотного спектра традиционно ассоциируется либо с дорогостоящими промышленными комплексами стоимостью в миллионы рублей, либо с одиночной станцией мониторинга с сильно ограниченными возможностями. Между этими крайностями долгое время не существовало разумного компромисса. Проблема в том, что ключевые задачи радиомониторинга — пеленгация источников сигналов, мониторинг протяжённых территорий, триангуляция и анализ динамики радиообстановки — по своей природе требуют распределённой архитектуры. Одна, даже очень мощная станция физически не способна определить координаты ...

Обзор СВЧ-компонентов для космических и ответственных применений от Qatron

В обзоре элементной СВЧ-базы, предназначенной для космической отрасли и применений с повышенными требованиями к надежности, представлены изделия компании Qatron. Это, в частности устройства на базе GaAs, GaN, Si/SiGe, а также вакуумные приборы и пассивные компоненты — от ПАВ-фильтров до ферритовых циркуляторов и MEMS-решений. Большое внимание уделено специфике кастомизации СВЧ-продукции, где каждый компонент адаптируется под конкретный проект. В отличие от стандартизированных цифровых ИС, здесь возможна гибкая модификация электрических параметров, корпусного исполнения и перечня ...

Всё о микроэлектронике: «КОНСИСТ-ОС» пополнила серию бесплатных книг о цифровых технологиях

Компания «КОНСИСТ-ОС», интегратор и центр компетенций в области ИТ Электроэнергетического дивизиона Росатома, выпустила новую книгу о рынке микроэлектроники — «Микроэлектроника. Анализ, тренды, мировой опыт». Это шестое издание в серии бесплатных книг о цифровизации, которая уже включает книги «Цифровая трансформация», «Цифровой двойник», «Центры обработки данных», «Искусственный интеллект» и «Робототехника».  Авторы новой книги —Евгений Абакумов, директор по информационным и цифровым технологиям госкорпорации «Росатом», Михаил Лысачёв, директор по информационным технологиям — директор ...

Устройства плавного пуска (УПП) асинхронных двигателей от ЗАО «Протон-Импульс»

ЗАО «Протон-Импульс» представляет серию современных полупроводниковых устройств плавного пуска для трехфазных асинхронных двигателей напряжением 380 В и мощностью до 13 кВт. Новые УПП по своим техническим характеристикам и функционалу сопоставимы с аналогами ведущих мировых брендов, таких как ABB и Lovato. Встроенные bypass-реле обеспечивают прямое подключение к сети после завершения фазы разгона, что позволяет обойтись без установки внешних контакторов и дополнительного охлаждения. Это повышает надежность и снижает эксплуатационные расходы. Производитель осуществляет разработку устройств ...

SiC-диод 1200 В 100 А при +150 °C от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала высоковольтный карбид-кремниевый (SiC) диод Шоттки A2G100D1200DT2, рассчитанный на напряжение 1200 В и способный пропускать постоянный ток до 100 А при температуре корпуса +150 °C. Диод A2G100D1200DT2 способен выдерживать кратковременный пиковый ток до 270 А при +25 °C, а также импульсный ток 550 А. Благодаря SiC-технологии, он демонстрирует нулевой ток обратного восстановления, отсутствие прямого перенапряжения при включении и температуру перехода до +175 °C, что обеспечивает исключительную надежность и стабильность в условиях высоких нагрузок. Основные ...