Транзисторы

Компания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде. Параметрами изделий: напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В; ток Id: до 100 А; корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы. Преимущества SiC MOSFET: высокая эффективность на системном уровне; выше плотность мощности системы; снижение требований к теплоотводу; параллельная работа без теплового пробоя. Применение SiC МОП-транзисторов: импульсные источники питания; тяговые инверторы; ...

Воронежский НИИ электронной техники запустил в производство серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология — одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Причина этого заложена в свойствах нитрида галлия, значительно превосходящего традиционный для полупроводниковой промышленности кремний по ряду ключевых параметров, таких как ширина запрещенной зоны, критическая напряженность поля и дрейфовая скорость насыщения электронов. Благодаря ...

Полупроводниковая промышленность впервые более чем за десятилетие вносит серьезные изменения в транзисторы нового типа, двигаясь к структуре следующего поколения, называемой с затвором по всему периметру (GAA). Хотя в каталогах транзисторов устройств GAA еще нет в продаже, многие отраслевые эксперты задаются вопросом, как долго продержится эта технология и какая новая архитектура заменит ее. Промышленность оценивает несколько транзисторов-кандидатов, но у каждого есть технические пробелы. Потребуются огромные ресурсы и инновации, чтобы разработать хотя бы одного кандидата для успешного ...

В свое время у специалистов компании «Электрум АВ» возникла необходимость разобраться с систематическими выходами из строя одного преобразователя. Повреждения кристаллов транзисторов выглядели одинаково, но причину никак не удавалось определить. Пробовали понять причину и исходя из характера повреждений кристаллов, но, к своему удивлению, специалисты не нашли в Интернете практически никакой инф...

В статье приводится обзор и классификация способов оценки ударного тока. Авторами предложена принципиальная схема модуля формирователя импульсов тока для проведения ресурсных испытаний. Представлены гистограммы по условным и безусловным отказам на партии (50 штук) IGBT-транзисторов, построенные по результатам ресурсных испытаний.

В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.

Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи...

В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая...

Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани...

Статья продолжает тему практической разработки преобразователя, и теперь речь пойдет о цепях управления. Под цепями управления здесь подразумевается часть схемы, непосредственно подключаемая к затвору силового транзистора. Что собой представляет контроллер, алгоритмы управления, даже часть драйвера «по ту сторону» гальванической развязки, в данном контексте неважно. Задача статьи, как и в перво...