Выходы из строя полевых транзисторов и как они выглядят

В свое время у специалистов компании «Электрум АВ» возникла необходимость разобраться с систематическими выходами из строя одного преобразователя. Повреждения кристаллов транзисторов выглядели одинаково, но причину никак не удавалось определить. Пробовали понять причину и исходя из характера повреждений кристаллов, но, к своему удивлению, специалисты не нашли в Интернете практически никакой инф...

Оценка значения ударного тока, предельного для силового транзистора

В статье приводится обзор и классификация способов оценки ударного тока. Авторами предложена принципиальная схема модуля формирователя импульсов тока для проведения ресурсных испытаний. Представлены гистограммы по условным и безусловным отказам на партии (50 штук) IGBT-транзисторов, построенные по результатам ресурсных испытаний.

«Мицубиси Электрик» запускает производство дискретных SiC-диодов и транзисторов в корпусах TO-247

В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.

Вы за SiC или кремний?
Часть 5. SiC-транзисторы сверхвысокого рабочего напряжения и суперкаскоды

Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи...

Инновационная технология корпусирования Source-Down от компании Infineon

В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая...

Изолированный драйвер затвора SiC МОП-транзисторов компании Cree

Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани...

Транзистор в преобразователе.
Часть 2. Цепи управления

Статья продолжает тему практической разработки преобразователя, и теперь речь пойдет о цепях управления. Под цепями управления здесь подразумевается часть схемы, непосредственно подключаемая к затвору силового транзистора. Что собой представляет контроллер, алгоритмы управления, даже часть драйвера «по ту сторону» гальванической развязки, в данном контексте неважно. Задача статьи, как и в перво...

Новые транзисторы NX6.1 для промышленного применения

Под сегодняшние требования рынка преобразовательной техники вновь были усовершенствованы IGBT-кристаллы, имеющие CSTBT-структуру (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), являющиеся надежной основой силовых модулей и обладающие низкими динамическими и статическими потерями. Модули поколения 6.1, представленные в этой статье, содержат в себе CSTBT-транзисторы и обратные диоды (FwD) и...

Коммутационные возможности 750 A/3300 В сдвоенных SiC-модулей

Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т...

Некоторые особенности управления GaN-транзисторами

В статье описаны типичные проблемы, которые могут возникнуть при проектировании силовых преобразовательных устройств с применением GaN-транзисторов, а также методы их решения. Представлена информация о специализированной отладочной плате, с помощью которой можно провести макетирование преобразователя.