Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi

Активная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. В настоящее время спектр предлагаемых Microsemi полупроводниковых устройств простирается от обычных дискр...

Комплементарные биполярные транзисторы категории качества «ВП» 2Т544А9-В9, 2Т545А9-В9

Высокочастотные комплементарные биполярные n-p-n-транзисторы 2Т544А9, 2Т544Б9, 2Т544В9 и p-n-p-транзисторы 2Т545А9, 2Т545Б9, 2Т545В9 предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Комплексная методология определения надежности GaN-транзисторов

В настоящее время компания Texas Instruments разрабатывает комплексную программу оценки качества и надежности компонентов, основанную на фундаментальных характеристиках нитрида галлия (GaN) и применении соответствующих методик испытаний, направленных на повышение надежности выпускаемых компанией приборов, выполненных по GaN-технологии. Темой, поднятой в предлагаемой статье, представленной в ори...

BISS-транзисторы в режиме насыщения

В статье приведены экспериментальные данные режима насыщения некоторых типов современных BISS-транзисторов. Показано, что для них применимы критерии режима насыщения, в частности — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас, разработанный ранее для традиционных ключевых биполярных транзисторов.

Изолированные DC/DC-преобразователи для питания IGBT и полевых транзисторов на SiC

Коммутационные потери SiC-транзистора в четыре раза ниже потерь традиционного IGBT. Отсутствие «хвоста» тока при отключении — ключевое преимущество SiC-транзистора, которое растет с ростом рабочей частоты переключения, что, в свою очередь, дает заметное увеличение эффективности и повышает целесообразность использования его, например, в мостовых схемах с увеличенной частотой коммутации. Так как ...

Транзисторы на карбиде кремния: перспективы развития и снижение себестоимости готового изделия

Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допусти...

Повышение эффективности и плотности мощности источников питания с помощью 600-В GaN-транзисторов

Современные высококачественные источники питания (ИП) уже весьма эффективны. Примерно два года назад были анонсированы серверные ИП класса Titanium, общая эффективность которых при половинной нагрузке превышает 96% (согласно стандарту 80 PLUS). Столь высокий коэффициент полезного действия этих источников обусловлен уже имеющимися на сегодня технологиями, включая технологии производства высокока...

Биполярные транзисторы в SMD-корпусе SOT-23 от ГК «КРЕМНИЙ Эл»

ГК «КРЕМНИЙ Эл» приступила к серийному выпуску транзисторов категории качества «ВП» 2Т228_9–2Т235_9, полных аналогов импортных компонентов серий ВС8хх. Изделия предназначены для применения в аппаратуре спецназначения и соответствуют следующим уровням стойкости к СВВФ: 7.И6 — 4Ус, 7.И7 — 0,7×5Ус, 7.С4 — 5Ус, 7.К1 — 2К, 7.К4 — 1К, 7.К11 (7.К12) — 60 МэВ•см2/мг. Ключевые параметры: UКЭ0гр = 30–65 В; IКmax = 0,1–0,5 А. www.group-kremny.ru

Преимущества использования нитрид-галлиевых транзисторов в силовой электронике

Имеющиеся на сегодня источники питания (ИП), выполненные по технологии с использованием высокопроизводительных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния, уже не являются достаточно эффективными, по крайней мере, в течение двух последних лет. Не так давно несколько производителей объявили о доступности транзисторов на основе нитрида галлия на кремнии, которые расс...

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Qg и Rdson,, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.