Комбинированный способ снижения неравномерности электрического поля в муфтах силовых кабелей

Проектирование и производство конкурентоспособной кабельной арматуры требует решения вопроса о снижении неравномерности распределения электрического поля в муфтах силовых кабелей. Это решение должно соответствовать современному уровню развития технологической базы в части разработки и производства различных полупроводящих компаундов. Для выбора определенных физических характеристик материалов н...

Электроэнергетическая и электромагнитная совместимость вторичных источников импульсного питания с автономными системами электроснабжения переменного тока. Часть IV. Модернизация известных и разработка новых схемотехнических средств

Статья продолжает цикл работ, посвященных выбору способов и схемотехнических решений, обеспечивающих сохранение качества электроэнергии питающей сети и допустимого уровня генерируемых электромагнитных помех при работе вторичных источников импульсного питания (ВИИП) с емкостным накопителем в составе автономных систем (АСЭС), в частности транспортных. В данной части описана модернизация известных...

Теплопередача при принудительном охлаждении (на примере наборных охладителей, основания и ребра которых изготовлены из разных металлов)

В статье приводятся результаты анализа эффективности четырех комбинаций охладителей при работе в принудительном режиме. Расчеты проведены для алюминиевого (AlB-AlF) и медного (CuB-CuF) охладителей, а также охладителей с медным основанием и алюминиевыми ребрами (CuB-AlF), алюминиевым основанием и медными ребрами (AlB-CuF).

Микропроцессорные программируемые системы управления для сварочных машин группы А

Современные требования к качеству сварных соединений для изделий металлургической, авиационной, автомобильной и других высокотехнологичных отраслей промышленности, кроме обязательной аттестации персонала, оборудования и приборов, включают, как правило, еще и требования по обязательному контролю, диагностике и визуализации состояния оборудования и технологических параметров во время выполнения с...

Недорогие источники питания для работы в экстремальных условиях окружающей среды

Широко известно, что разработка источника питания для работы в экстремальных условиях окружающей среды — весьма непростая задача. Источник питания должен работать в условиях высокой температуры и повышенной влажности, соответствовать стандартам ЭМИ и безопасности, а также строгим стандартам энергосбережения.

Повышение эффективности электротехнических устройств как аспект стратегии энергосбережения

В статье рассматриваются вопросы повышения эффективности электротехнических устройств как аспекта стратегии энергосбережения. Рассматриваются разработки и вопросы внедрения устройств полупроводниковых преобразователей с применением схем активной коррекции коэффициента мощности.

Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 3

Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты: полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особое внимание уделено интегрированным силовым модулям (IPM). Сделан обзор компонентов и отечественного, и зарубежного производства.

Новые отечественные высоковольтные p-i-n GaAs-диоды

В статье сделан обзор новых отечественных высоковольтных p-i-n GaAs-диодов. Поднимаются вопросы введения инноваций в энергетике в России, снижения потерь электроэнергии.

Тепловой расчет СИТ-транзисторов и узлов силовых модулей с их применением. Часть 1

В настоящей работе приведены результаты расчетов и исследований мощных ключевых транзисторных сборок, составляющих основу силовых модулей, выполненных с использованием СИТ с модулируемой проводимостью канала. Произведен расчет теплового сопротивления и допустимой максимальной рассеиваемой мощности проектируемых приборов. Сравниваются расчетные и экспериментальные данные.

Использование встроенного NTC-резистора для измерения температуры IGBT-модулей

В статье описаны особенности использования встроенного в силовой модуль терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (NTC-резистора) для измерения температуры; рассмотрены аспекты изоляции измерительной цепи от высокого напряжения, связь сопротивления NTC с температурой перехода кристаллов IGBT; приведены примеры практической реализации схемы измерений.