16-я конференция по силовой электронике

Очередная, 16-я Международная конференция по силовой электронике (СЭ) и управлению движением (PEMC 2014) состоялась 21–24 сентября 2014 г. в Анталии (Турция). Это стало крупнейшим событием для специалистов, работающих в различных областях силовой электроники. В дальнейшем она будет проводиться в четные годы в европейских странах.

Новая серия силовых малогабаритных реле постоянного напряжения компании Omron

В статье представлено два новых типа инновационных малогабаритных силовых реле для напряжения постоянного тока компании Omron, предназначенных для коммутации больших напряжений и токов.

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Qg и Rdson,, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.

Меньше, умнее и мощнее: использование 800-В транзисторов семейства CoolMOS P7 для разработки обратноходовых источников питания

Меньшие по габаритам, более умные и более мощные — именно такие тенденции наблюдаются на современном рынке для маломощных приложений с импульсным питанием (Switched-Mode Power Supply, SMPS). «Меньше» — чтобы такой источник питания имел более компактный форм-фактор и, следовательно, более высокую удельную плотность мощности. «Умнее» — для организации интеллектуального взаимодействия между систем...

Проектирование и исследование понижающих импульсных преобразователей с обратным диодом и синхронным переключателем

Проектирование современных импульсных источников питания представляет собой достаточно сложный процесс, включающий в себя, в частности, расчет силовой части, синтез системы управления и разработку печатной платы [1, 2]. Правильно рассчитанный импульсный преобразователь, в конечном счете, может не работать, если печатная плата спроектирована неправильно. Расположение элементов на печатной плате ...

Устройство на симисторах для сушки изоляции асинхронных двигателей

В разработанном инновационном автоматическом портативном устройстве для автоматизации технологического процесса импульсной сушки изоляции (СИ) увлажненных обмоток асинхронных двигателей общепромышленного и судового (корабельного) исполнения применены мощные силовые симметричные тиристоры (симисторы) отечественного производства. Приведен принцип действия предложенного и внедренного нового автома...

Advanced Trench HiGT IGBT с разделенным p-слоем для улучшения управляемости и устойчивости к нежелательным, но возможным воздействиям

В статье рассматривается структура чипа Advanced Trench HiGT (IGBT с высокой проводимостью), представлены характеристики новых Advanced Trench HiGT- модулей с рабочим напряжением 1700 В. Особенностью новой структуры является глубокий, выполненный отдельно от затвора плавающий р-слой, который, благодаря такому исполнению, оказывает значительно меньшее влияние на пазы затвора и на характеристику ...

Опыт разработки и внедрения динамического тиристорного компенсатора реактивной мощности на сталеплавильных печах

В статье описаны результаты разработки высокодинамичного компенсатора реактивной мощности с применением фильтрокомпенсирующих цепей и отечественных тиристорных блоков. Показано, что выбранная структура, технические решения и алгоритмы позволили добиться сокращения времени плавки и значительного экономического эффекта.

О «феноменальном» поведении диодов

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...

Высокоэффективный, компактный резонансный ZVS мостовой конвертер на основе 1200 В SiC-MOSFET

В статье рассматриваются преимущества использования SiC MOSFET компании Cree в целях повышения производительности резонансных DC/DC-преобразователей.