Источник питания как единое целое с нагрузкой
Распространенное семейство вторичных источников питания называют Point-to-Load, или же POL-источники. POL-источник может иметь любую топологию; идея в том, что он находится близко к нагрузке, то есть интегрирован на печатную плату и расположен близко к потребляющему большой ток узлу, например процессору. Такое решение целесообразно, когда токи питания большие, а напряжения маленькие, и падение ...
Источники бесперебойного электропитания: устройство, принципы действия и применение
Если зарядно-подзарядные агрегаты (ЗПА), рассмотренные в одной из предыдущих статей автора, являются важнейшим элементом систем оперативного питания постоянного тока, то источники бесперебойного питания (ИБП) являются не менее важным компонентом систем оперативного питания переменного тока и вообще систем собственных нужд 0,4-кВ подстанций и электростанций. Существует множество разновидностей И...
Типовое испытание высоковольтного IGBT-модуля с драйвером СT-Concept на специализированном стенде Mitsubishi Electric
В статье представлены результаты испытаний высоковольтного IGBT-модуля CM1200HG-90R производства Mitsubishi Electric в работе с драйвером 1SP0335V2M1 фирмы CT-Concept, выполненных посредством нового лабораторного стенда, введенного в эксплуатацию в московском офисе компании. Приведено краткое описание лабораторной установки и основных ее параметров, изложена методика тестирования, показаны разл...
Об обратной блокирующей способности типовых структур IGBT
Асимметричные IGBT наиболее распространенных в настоящее время конструкций обладают предельной блокирующей способностью в обратном направлении на уровне нескольких десятков вольт. Улучшение условий для вывода накопленных зарядов из транзисторной структуры при приложении отпирающего сигнала управления и обратном напряжении позволяет эффективно использовать асимметричные IGBT в схемах электрическ...
Управление параллельным соединением IGBT-модулей. Драйверы Plug&Play CT-Concept
В статье рассмотрены особенности управления высоковольтными IGBT-модулями при их параллельном включении с использованием новых драйверов на базе принципа Master-Slave. Описаны требования к драйверам для управления параллельным соединения IGBT модулей.
Дискретные 600-В XPT IGBT семейства GenX3
Статья рассказывает о новом семействе GenX3 высоко эффективных и простых в управлении дискретных 600-В XPT IGBT (eXtremely rugged eXtremaly light Punch Through), разработанных компанией IXYS. Эти устройстыва были созданы с учетом понимания основных «узких мест» современных транзисторов, способных привести к преждевременному их выходу из строя и рассчитаны на применение в схемах, требующих высок...
GaAs-диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar Invertors и замены синхронных выпрямителей
Единственным эффективным инструментом снижения огромных мировых потерь электроэнергии является силовая электроника. Чтобы она стала более эффективной, необходимо обновить ее элементную базу, применяемые материалы, использовать такую новую технологию, которой еще нет в мировой практике. В этом суть инновации.В статье пойдет речь о новом направлении в мировой электронике: высоковольтной тех...
Силовые электромеханические реле серии RT от TE Connectivity
Силовые реле — разновидность электромеханических, которые, в свою очередь, являются наиболее распространенным и одним из самых надежных видов этих устройств. Несмотря на стремительное развитие электроники и появление полупроводниковых реле, данные устройства остаются актуальными и востребованными компонентами и имеют ряд преимуществ перед ними.Эта статья рассажет о миниатюрных электромеха...
Лабораторный комплекс для изучения современных технических средств автоматизации электроприводов
Описанный в этой статье комплекс предназначен для проведения практических занятий в рамках различных учебных курсов бакалавриата и магистратуры по направлениям, связанным с изучением автоматизированного электропривода, приобретения практических навыков в области программирования, наладки и обслуживания различных средств автоматизации электроприводов.
Надежность SiС-MOSFET: мифы и реальность
Ряд усовершенствований в области технологии материалов, обработки и проектирования позволил компании Cree преодолеть стоявшие ранее технические ограничения и выпустить в свет первый серийный МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) под маркой Z-FET. В настоящей статье приведены данные о надежности, собранные при испытаниях серийных SiC-MOSFET, и предприняты попытки развеять сложившиеся ми...
отправка...