Конструкция и принцип действия CIBH-диода

Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода.

Усовершенствованная технология сборки 600-А модулей EconoDUAL3 фирмы Infineon

Повышение плотности мощности при разработке силовых модулей актуально не только для новых, но и для уже существующих корпусов. Их модернизация связана с решением двух главных проблем — удовлетворение растущих требований к допустимой токовой нагрузке (в амперах) и к отводу тепла. За счет адаптации традиционных корпусов к более высокому уровню мощности можно модернизировать схемы существующих инв...

Новое поколение IGBT-модулей с увеличенным сроком службы

На протяжении последних десятилетий характеристики модулей IGBT определялись свойствами самих IGBT и обратных диодов. Роль здесь играют не только электрические параметры, но и применяемые технологии сборки, от которых в первую очередь зависит срок службы силовых модулей. В настоящей статье описывается новый пакет технологий соединения .XT, который позволяет преодолеть существующие ограничения н...

Многоуровневые инверторы напряжения в прецизионном сервоприводе

Современный прецизионный сервопривод комплексов высокоточных оптических измерений строится по структуре безредукторного (прямого) привода на основе высокомоментных вентильных двигателей с возбуждением постоянными магнитами (ВД). Это обеспечивает возможность регулирования координат движения в широком диапазоне, а также высокую надежность привода в предельно жестких условиях эксплуатации. В качес...

Увеличение частоты инвертора

Компания EPCOS разработала новый тип конденсаторов CeraLink для работы в звене постоянного тока, которые имеют ряд существенных преимуществ по сравнению с конденсаторами, выполненными по традиционным технологиям. Применение таких конденсаторов в современных схемах с высокой частотой коммутации IGBT-модулей способно обеспечить инновационный уровень работы.

Влияние выбора диода на характеристики силовой системы

В статье рассматривается применение диодов семейства Rapid компании Infineon. Важно использовать силовые приборы, оптимизированные под конкретные условия работы силовой системы.

EiceDRIVER — семейство микросхем высоковольтных драйверов IGBT и MOSFET

В статье рассмотрено семейство микросхем драйверов компании Infineon Technologies для управления IGBT и MOSFET силовыми ключами инверторных схем с выходной мощностью до нескольких десятков киловатт. Области их применения — промышленные приводы, источники бесперебойного питания, индукционный нагрев, вентиляция, бытовая техника, электроинструменты. Приведены основные функциональные характеристики...

Повышение эффективности силовой электроники за счет совершенствования конструкции IGBT-транзисторов

Компания Infineon разработала новую технологическую платформу, названную TrenchStop 5, которая характеризуется специальной конструкцией ячеек и сверхмалой толщиной полупроводниковых пластин, что позволяет одновременно снизить потери на проводимость и на переключение. Последний вариант данной технологии — HighSpeed 5 — предназначен для быстродействующих устройств, в частности ККМ или повышающих ...

Разум и мускулы: ПЛИС управляет силовой электроникой

При разработке инвертора необходимо обеспечить четкое взаимодействие схемы управления и силового каскада. Путь к достижению наилучших характеристик — сочетание высокоразвитой программной логики с новейшими полупроводниковыми приборами, передовыми методами регулирования тепловых режимов и продуманной механической частью конструкции.

Дискретные силовые MOSFET/IGBT-ключи c выводом Кельвина

Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко...