Интеграция в IPM функции вычисления в реальном времени температуры полупроводникового перехода

Для силовых приборов температура их полупроводникового перехода Tvj является одной из основных технических характеристик в их спецификации, которая накладывает жесткие ограничения на безопасно допустимый уровень выходной мощности, т. е. формирует область безопасной работы силового модуля. С целью достижения максимальной плотности мощности системы ее компоненты проектируются с возможностью работ...

Новая серия IGBT от Infineon Technologies для резонансных инверторов

Дискретные IGBT-транзисторы, благодаря присущей им высокой эффективности, являются наиболее предпочтительными коммутационными элементами импульсных источников питания для современных инверторных индукционных нагревателей, предназначенных для приготовления пищи. Поскольку затраты на энергию продолжают расти, а потребительский спрос на все более компактную бытовую технику, предназначенную для при...

Нормирование теплового сопротивления IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Выбор модуля IGBT для конкретных условий применения требует анализа его тепловых характеристик с учетом системы охлаждения и оценки их соответствия техническим требованиям, предъявляемым к системе (мощность, температура окружающей среды, профиль нагрузки, срок службы). Для сопоставления тепловых свойств различных силовых ключей необходимо учесть следующие факторы: • особенности конструкции мо...

Первое универсальное интегрированное решение для различных приводов электродвигателей

Компании Infineon Technologies и TDK объединили свои усилия для разработки универсального интегрированного решения для инверторов, которые могут быть с успехом использованы в силовых агрегатах электромобилей и найти применение в широком спектре индустриальных приложений. Предложенная конструкция позволяет разработчикам быстро и легко проверять и реализовывать концепции самых различных приводов ...

Новые MOSFET от Infineon Technologies

В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG.

Надежность PressFIT-соединений

Технология прессовой посадки (press-fit) обеспечивает простое и надежное соединение, соответствующее современным требованиям по увеличению рабочей температуры, что позволяет использовать ее в новых силовых полупроводниковых модулях. Эта технология хорошо известна в промышленности, в течение многих лет она широко используется для получения надежного соединения в телекоммуникационных системах и в...

IGBT и MOSFET: основные концепции и пути развития. Часть 2. MOSFET

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво...

Современные IGBT-продукты для силовой электроники компании Infineon

Компания Infineon Technologies AG (г. Нойбиберг, Германия) является одним из крупнейших производителей силовых полупроводниковых приборов, модулей и блоков. Ее продукцию во многих городах России представляют крупные дистрибьюторы электронных компонентов: EBV Elektonik, RUTRONIK, Silica, «Симметрон», ЭФО, PT Electronics. Силовые приборы для промышленных приложений компании предлагает офис продаж...

CoolSiC-диоды Шоттки для автомобильных применений от Infineon

Компания Infineon Technologies AG представила линейку карбид-кремниевых компонентов: новое семейство CoolSiC-диодов Шоттки, готовых для установки в существующие и будущие бортовые зарядные системы (БЗС) в гибридных и электрических автомобилях. Компания Infineon специально разработала диоды, отвечающие высоким требованиям автомобильной промышленности в отношении надежности, качества и функциональности. Новое семейство основано на пятом поколении диодов Шоттки, которое было дополнительно усовершенствовано, чтобы соответствовать требованиям автомобильной промышленности в отношении надежности. ...

Новая серия IGBT-транзисторов 650 В в корпусе D2PAK от Infineon Technologies

Компания Infineon Technologies AG расширяет линейку IGBT-транзисторов, выполненных по TRENCHSTOP5-технологии на основе тонких подложек кремния. Новое семейство содержит транзисторы с рабочим напряжением 650 В и током до 40 А, совмещенные с диодом на 40 А в корпусе для поверхностного монтажа TO-263-3, также известном как D2PAK. Эти устройства отвечают возрастающему спросу на большую плотность мощности в силовых компонентах для автоматизированного монтажа на поверхность. Области применения: инверторы для солнечной энергетики; бесперебойные источники питания (UPS); зарядные ...