Современные продукты компании IXYS.
Обзор силовых IGBT-модулей

В каталоге IXYS 2011 г. представлена продукция в следующих категориях: силовые приборы; микросхемы специального (ASIC) и общего применения; микропроцессоры; мощные ВЧ/СВЧ полупроводниковые приборы; модули и системы; дисплеи; приборы для источников «зеленой» энергии. Перечислим некоторые новые разработки, представленные компанией летом/осенью 2011 г.

Новые IGBT компании IXYS

Компания IXYS предлагает широкий спектр IGBT-ключей для силовых применений. Так, разработчик может выбрать, в зависимости от напряжения, 600-, 650-, 1200-В ключи или, если необходимо, более высоковольтные IGBT — в зависимости от приложения. Благодаря применению XPT-процесса (eXtreme-light Punch-Through) совместно с современной технологией изготовления IGBT компания IXYS смогла достичь низких по...

Как технологические инновации способны дать новую жизнь тиристорам в XXI веке

Компания IXYS продолжает следовать стратегии «больше удельной мощности в меньшем корпусе», открывая новые горизонты в традиционной технологии тиристорных и диодных модулей.

Press-Pack IGBT для преобразователей большой мощности

Технология Press-Pack IGBT изначально разрабатывалась в качестве решения для приложений большой мощности, где приходится преобразовывать единицы и десятки мегаватт электроэнергии. Выпуск новых Press-Pack IGBT 6,5 кВ позволил существенно расширить потенциальную область применения данной технологии в высоковольтных приложениях за счет снижения числа необходимых компонентов. Высокая надежность и н...

Разработка и испытания ячейки на базе Press-Pack IGBT для многоуровневого преобразователя MMC VSC HVDC ±500 кВ, 3 ГВт

Модульные многоуровневые преобразователи (MMC) для высоковольтных вставок постоянного тока (HVDC) являются популярным направлением как для инженерной проработки и реализации, так и для академических исследований последних лет. Роль основной ячейки для построения данных решений выполняет субмодуль в конфигурации «полумост». Обычно полностью управляемые ключи, применяемые в таких ячейках, выполне...

Выпрямительно-инверторный преобразователь для тягового подвижного состава с высоким коэффициентом мощности в режиме рекуперативного торможения

В настоящее время существует несколько альтернативных технологий производства IGBT и модулей на их основе. В статье рассматриваются Press-Pack IGBT, построенные на основе наиболее перспективной технологии для применения в жестких условиях эксплуатации и обладающие рядом уникальных характеристик.

Эффективный ККМ, выполненный с применением МК по принципу двухфазной модуляции тока.
Сравнение с решением на базе SiC MOSFET

Эффективность мощных (3 кВт и более) AC/DC-преобразователей с корректором коэффициента мощности (ККМ) является важным фактором, который, в свою очередь, зависит от многих аспектов проектирования, включающих отведение тепла, размеры конструкции и принципы охлаждения. Соображения экономики также вносят свой вклад, являясь формой участия конечного заказчика в процессе проектирования. Технологическ...

GenX3 IGBT компании IXYS

Новые XPT IGBT компании IXYS применяются именно в тех областях, где помимо хороших статических и динамических характеристик необходима и высокая надежность самих коммутирующих элементов. Вот почему именно четкое понимание механизмов, приводящих к выходу из строя IGBT-транзисторов в различных режимах эксплуатации, послужило основой для создания технологии XPT IGBT.

Применение мощных полевых МОП-транзисторов с двойным N-каналом в синхронных преобразователях постоянного тока

Тенденции развития современной силовой электроники требуют разрабатывать изделия небольших размеров, силовая часть которых облегчена. Фильтры индуктивности и конденсаторы должны быть минимальных размеров. В то же время небольшие фильтры, переключающие полупроводниковые приборы, должны иметь малые потери переключения. Площадь радиатора также должна быть уменьшена. Для безопасной работы с небольш...

Основы теории и особенности применения линейных MOSFET

Данный материал нельзя назвать новым, поскольку он был опубликован на английском языке в начале 2000-х годов, но является актуальным и сегодня, поскольку объясняет фундаментальные особенности работы силовых MOSFET в линейном режиме.