Press-Pack IGBT для преобразователей большой мощности

Технология Press-Pack IGBT изначально разрабатывалась в качестве решения для приложений большой мощности, где приходится преобразовывать единицы и десятки мегаватт электроэнергии. Выпуск новых Press-Pack IGBT 6,5 кВ позволил существенно расширить потенциальную область применения данной технологии в высоковольтных приложениях за счет снижения числа необходимых компонентов. Высокая надежность и н...

Разработка и испытания ячейки на базе Press-Pack IGBT для многоуровневого преобразователя MMC VSC HVDC ±500 кВ, 3 ГВт

Модульные многоуровневые преобразователи (MMC) для высоковольтных вставок постоянного тока (HVDC) являются популярным направлением как для инженерной проработки и реализации, так и для академических исследований последних лет. Роль основной ячейки для построения данных решений выполняет субмодуль в конфигурации «полумост». Обычно полностью управляемые ключи, применяемые в таких ячейках, выполне...

Выпрямительно-инверторный преобразователь для тягового подвижного состава с высоким коэффициентом мощности в режиме рекуперативного торможения

В настоящее время существует несколько альтернативных технологий производства IGBT и модулей на их основе. В статье рассматриваются Press-Pack IGBT, построенные на основе наиболее перспективной технологии для применения в жестких условиях эксплуатации и обладающие рядом уникальных характеристик.

Эффективный ККМ, выполненный с применением МК по принципу двухфазной модуляции тока.
Сравнение с решением на базе SiC MOSFET

Эффективность мощных (3 кВт и более) AC/DC-преобразователей с корректором коэффициента мощности (ККМ) является важным фактором, который, в свою очередь, зависит от многих аспектов проектирования, включающих отведение тепла, размеры конструкции и принципы охлаждения. Соображения экономики также вносят свой вклад, являясь формой участия конечного заказчика в процессе проектирования. Технологическ...

GenX3 IGBT компании IXYS

Новые XPT IGBT компании IXYS применяются именно в тех областях, где помимо хороших статических и динамических характеристик необходима и высокая надежность самих коммутирующих элементов. Вот почему именно четкое понимание механизмов, приводящих к выходу из строя IGBT-транзисторов в различных режимах эксплуатации, послужило основой для создания технологии XPT IGBT.

Применение мощных полевых МОП-транзисторов с двойным N-каналом в синхронных преобразователях постоянного тока

Тенденции развития современной силовой электроники требуют разрабатывать изделия небольших размеров, силовая часть которых облегчена. Фильтры индуктивности и конденсаторы должны быть минимальных размеров. В то же время небольшие фильтры, переключающие полупроводниковые приборы, должны иметь малые потери переключения. Площадь радиатора также должна быть уменьшена. Для безопасной работы с небольш...

Основы теории и особенности применения линейных MOSFET

Данный материал нельзя назвать новым, поскольку он был опубликован на английском языке в начале 2000-х годов, но является актуальным и сегодня, поскольку объясняет фундаментальные особенности работы силовых MOSFET в линейном режиме.

IGBT-транзистор от IXYS UK на напряжение 4500 В и ток 3000 А

Компания IXYS UK представляет T2960BB45E — IGBT-транзистор в исполнении на 4500 В. Устройство обладает рекордно большим номинальным током 3000 А и током коммутации 6000 А. Технология изготовления корпуса подразумевает стойкость к механическим и температурным воздействиям, что делает его оптимальным выбором для эксплуатации в горнодобывающей технике, промышленных системах управления приводами, тяговом и судовом электроприводе и в электроэнергетике. При использовании обычных IGBT-транзисторов выход из строя модуля сопровождается выбросом огня и плазмы, в результате авария распространяется ...

Набор микросхем для построения IGBT/MOSFET-драйвера с трансформаторной изоляцией до 4000 В от IXYS

Корпорация IXYS объявила о начале серийного производства набора микросхем для построения IGBT/MOSFET-драйвера с трансформаторной изоляцией до 4000 В. Микросхема IX6611 является интеллектуальным драйвером MOSFET/IGBT и имеет выходной ток до 10 А. Управление устройством осуществляется посредством высокочастотных импульсов с минимальной длительностью от 500 нс. Драйвер IX6611 оснащен защитой от понижения и повышения напряжения питания, защитой от превышения тока и перенапряжения, а также тепловой защитой. Микросхема выпущена в корпусе SOIC-16 с дополнительным теплоотводом и имеет диапазон ...

Силовые пленочные конденсаторы IXYS

Компания IXYS UK Westcode Ltd. объявила о расширении номенклатуры производимых силовых конденсаторов, представив новые пленочные силовые конденсаторы для переменного и постоянного напряжения. Типы выпускаемых изделий: AC/DC-конденсаторы для общих применений; низкоиндуктивные DC-конденсаторы; радиальные низкоиндуктивные DC-конденсаторы; демпфирующие низкоиндуктивные конденсаторы для запираемых тиристоров; PK-16 — низкоиндуктивные DC-конденсаторы; SR17TM — DC-конденсаторы для тягового привода; DC-конденсаторы для общих применений; конденсаторы для 3-фазных AC-фильтров. ...