«Мицубиси Электрик» запускает производство дискретных SiC-диодов и транзисторов в корпусах TO-247

№ 6’2020
PDF версия
В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.

Введение

Силовые модули на основе карбид-кремния все интенсивнее осваиваются на рынке силовой электроники. Однако область применения таких модулей все еще сильно сужена их высокой стоимостью. Альтернативой модульным сборкам становятся дискретные SiC-транзисторы, сочетающие относительно низкую стоимость и высокую производительность на больших частотах. Эти транзисторы уже повсеместно используются многими производителями силовой электроники в таких применениях, как источники питания, DC/DC-преобразователи и подобные им. Имея 15 летний опыт производства карбид-кремниевых транзисторов, компания «Мицубиси Электрик» в дополнение к существующим модульным решениям запускает производство дискретных SiC-транзисторов и диодов в корпусах типа TO-247.

Диоды Шоттки на основе SiC

Использование лишь диодов на основе карбида кремния способно существенно снизить потери в инверторе. В самом общем случае снижение потерь составляет до 21%. Кроме того, повышение частоты ШИМ позволяет минимизировать размер периферийных компонентов. На рис. 1 показана линейка доступных диодов в трех типах корпусов. Расширенный ассортимент SiC-диодов «Мицубиси Электрик» удовлетворяет спросу различных применений, включая автомобильные (сертификация AEC-Q101).

Линейка доступных SiC-диодов

Рис. 1. Линейка доступных SiC-диодов

 

MOSFET-транзисторы в трехвыводных корпусах

В таблице 1 показана линейка доступных SiC MOSFET-транзисторов N-серии в трехвыводных корпусах с указанием основных параметров, таких как RDS(on) и IDmax. Разработанная «Мицубиси Электрик» особая технология легирования JFET-области в канале MOSFET снижает как коммутационные потери, так и прямое сопротивление, достигая ведущего в отрасли показателя добротности 1450 мОм·нКл. С применением SiC MOSFET-транзисторов итоговые потери в преобразователе снижаются примерно на 85% по сравнению с обычными Si-IGBT. Также за счет уменьшения емкости Миллера (увеличение показателя Ciss/Crss) устойчивость к паразитному включению повышается в 14 раз по сравнению с сопоставимыми продуктами.

Таблица 1. Линейка доступных MOSFET-транзисторов в корпусах TO-247-3

Тип

Стандарты

Модель

VDC, В

RDC(on)_typ, мОм

Idmax@25°C, А

Корпус

SiC-MOSFET

AEC-Q101

BM080N120SJ

1200

80

38

ТО-247-3

BM040N120SJ

40

68

BM022N120SJ

22

102

BM080N120S

80

38

BM040N120S

40

68

BM022N120S

22

102

 

MOSFET-транзисторы в четырехвыводных корпусах

В таблице 2 показана линейка доступных SiC MOSFET-транзисторов N-серии в четырехвыводных корпусах с указанием основных параметров, таких как RDS(on) и IDmax. Помимо новой технологии легирования, упомянутой выше, четырехвыводные корпуса позволяют снизить паразитную индуктивность, являющуюся проблемой при больших скоростях коммутации. Устранение падения напряжения затвор-исток за счет вспомогательного вывода истока позволяет снизить потери при переключении примерно на 30% по сравнению с продуктами в корпусах TO-247-3.

Таблица 2. Линейка доступных MOSFET-транзисторов в корпусах TO-247-4

Тип

Стандарты

Модель

VDC, В

RDC(on)_typ, мОм

Idmax@25°C, А

Корпус

SiC-MOSFET

AEC-Q101

BM080N120KJ

1200

80

38

ТО-247-4

BM040N120KJ

40

68

BM022N120KJ

22

102

BM080N120K

80

38

BM040N120K

40

68

BM022N120K

22

102

 

Заключение

Продуктовая линейка SiC-приборов «Мицубиси Электрик» пополнилась тремя новыми типами устройств в корпусах TO-247: диоды, трехвыводные MOSFET-транзисторы, а также четырехвыводные MOSFET-транзисторы. Для всех трех типов приборов доступны исполнения с сертификатом соответствия AEC-Q101, необходимым для использования в автомобильной промышленности.

Литература
  1. Mitsubishi Electric to Launch 1200V SiC Schottky Barrier Diode. Press release. 27.03.2019.
  2. Mitsubishi Electric to Launch N-series 1200V SiC-MOSFET. Press release. 16.06.2020. 
  3. Mitsubishi Electric to Launch 4-terminal N-series 1200V SiC-MOSFETs. Press release. 05.11.2020. 
  4. MOSFET transistors datasheets: BM080N120S, BM040N120S, BM022N120S.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

hentao pornnporn.com telugu chatting west indies open sex youpornhindi.com first night xxnx maja mallika tamil dirty story xxxfiretube.com teen xxnx xxxxu indianpornsearch.com pooja kumar sex 喉奥性感イラマ痴女 浜崎真緒 javsextube.com 君嶋真由 i love porn sexxxymovs.com mallusexvideos tomcat doujinshi bluhentai.com tiny boobs giant tits history sequel black dog hentai mobhentai.com hentai onee chan jammu blue film indiananalfuck.com indian incest xvideos mugen fc2 javwhores.mobi 巨乳 あげ افلام نيك مترجم cyberpornvideos.com طيذ momteachessex indianxxxonline.com house wife x videos 君嶋真由 freejavonline.mobi クローゼット 寝取られ sexx tamil indianfuckass.com bengali milf mia khalifa hard fuck pelisporno.org newsexstory