Под сегодняшние требования рынка преобразовательной техники вновь были усовершенствованы IGBT-кристаллы, имеющие CSTBT-структуру (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), являющиеся надежной основой силовых модулей и обладающие низкими динамическими и статическими потерями. Модули поколения 6.1, представленные в этой статье, содержат в себе CSTBT-транзисторы и обратные диоды (FwD) и... 
Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т... 
В статье описаны типичные проблемы, которые могут возникнуть при проектировании силовых преобразовательных устройств с применением GaN-транзисторов, а также методы их решения. Представлена информация о специализированной отладочной плате, с помощью которой можно провести макетирование преобразователя. 
В статье рассмотрена зависимость температуры силовых транзисторов от их параметров. Приведены результаты измерения различных параметров у 50 случайно отобранных IGBT-транзисторов одной серии. По измеренным параметрам рассчитываются мощность потерь и температура полупроводниковой структуры транзистора для статического режима работы при постоянном токе, строятся гистограммы распределения параметр... 
Активная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. В настоящее время спектр предлагаемых Microsemi полупроводниковых устройств простирается от обычных дискр... 
Высокочастотные комплементарные биполярные n-p-n-транзисторы 2Т544А9, 2Т544Б9, 2Т544В9 и p-n-p-транзисторы 2Т545А9, 2Т545Б9, 2Т545В9 предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. 
В настоящее время компания Texas Instruments разрабатывает комплексную программу оценки качества и надежности компонентов, основанную на фундаментальных характеристиках нитрида галлия (GaN) и применении соответствующих методик испытаний, направленных на повышение надежности выпускаемых компанией приборов, выполненных по GaN-технологии. Темой, поднятой в предлагаемой статье, представленной в ори... 
В статье приведены экспериментальные данные режима насыщения некоторых типов современных BISS-транзисторов. Показано, что для них применимы критерии режима насыщения, в частности — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас, разработанный ранее для традиционных ключевых биполярных транзисторов. 
Коммутационные потери SiC-транзистора в четыре раза ниже потерь традиционного IGBT. Отсутствие «хвоста» тока при отключении — ключевое преимущество SiC-транзистора, которое растет с ростом рабочей частоты переключения, что, в свою очередь, дает заметное увеличение эффективности и повышает целесообразность использования его, например, в мостовых схемах с увеличенной частотой коммутации. Так как ... 
Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допусти... 
