Транзисторы

Современные высококачественные источники питания (ИП) уже весьма эффективны. Примерно два года назад были анонсированы серверные ИП класса Titanium, общая эффективность которых при половинной нагрузке превышает 96% (согласно стандарту 80 PLUS). Столь высокий коэффициент полезного действия этих источников обусловлен уже имеющимися на сегодня технологиями, включая технологии производства высокока...

ГК «КРЕМНИЙ Эл» приступила к серийному выпуску транзисторов категории качества «ВП» 2Т228_9–2Т235_9, полных аналогов импортных компонентов серий ВС8хх. Изделия предназначены для применения в аппаратуре спецназначения и соответствуют следующим уровням стойкости к СВВФ: 7.И6 — 4Ус, 7.И7 — 0,7×5Ус, 7.С4 — 5Ус, 7.К1 — 2К, 7.К4 — 1К, 7.К11 (7.К12) — 60 МэВ•см2/мг. Ключевые параметры: UКЭ0гр = 30–65 В; IКmax = 0,1–0,5 А. www.group-kremny.ru

Имеющиеся на сегодня источники питания (ИП), выполненные по технологии с использованием высокопроизводительных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния, уже не являются достаточно эффективными, по крайней мере, в течение двух последних лет. Не так давно несколько производителей объявили о доступности транзисторов на основе нитрида галлия на кремнии, которые расс...

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Qg и Rdson,, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.

Корпорация Microsemi представила мощный GaN-транзистор 1011GN-1600VG L-диапазона, обеспечивающий более 1600 Вт импульсной мощности с усилением свыше 18,6 дБ и КПД более 70%. Он разработан для применения в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц. Транзистор предварительно внутренне согласован для получения оптимальных характеристик. При его производстве используются золотая металлизация и эвтектические соединения, чтобы получить самый высокий уровень надежности и отличную механическую прочность. Выходной каскад с наилучшими параметрами массы, размера, выходной ...

Компания Toshiba Electronics Europe объявила о выпуске новой серии МОП-транзисторов со схемой подавления эффекта Миллера при помощи встроенного диода между выводами стока и затвора. Одинарное устройство SSM3K357R и сдвоенное SSM6N357R предназначены для управления индуктивными нагрузками, такими как механические реле и соленоиды, при этом требуется минимальное количество внешних компонентов. Устройства новой серии 357 защищают драйверы от возможного повреждения в результате выбросов напряжения, вызванных обратной ЭДС от индуктивной нагрузки. Они содержат встроенный согласующий резистор, ...

Меньшие по габаритам, более умные и более мощные — именно такие тенденции наблюдаются на современном рынке для маломощных приложений с импульсным питанием (Switched-Mode Power Supply, SMPS). «Меньше» — чтобы такой источник питания имел более компактный форм-фактор и, следовательно, более высокую удельную плотность мощности. «Умнее» — для организации интеллектуального взаимодействия между систем...

Первая часть материала была посвящена проблемам защиты транзисторов с полевым управлением в аварийных ситуациях, вызванных перенапряжением. В данной статье с практической точки зрения рассмотрены токовая и температурная защиты.

Первая часть статьи посвящена проблемам защиты транзисторов с полевым управлением в аварийных ситуациях, вызванных перенапряжением. Вопрос рассматривается с практической точки зрения.

Новая технология CoolMOS 650V CFD2 задает новые стандарты характеристик высоковольтных мощных полевых МОП-транзисторов с быстродействующим паразитным диодом. Эти устройства сочетают в себе высокое запирающее напряжение (650 В), рекордно низкое R_dson и малые емкостные потери, а также повышенную коммутационную прочность паразитного диода на этапе обратного восстановления, особенно в сх...