SiC MOSFET-дискреты и чипы от AMG Power

SiC MOSFET-дискреты и чипы от AMG PowerКомпания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде.

Параметрами изделий:

  • напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В;
  • ток Id: до 100 А;
  • корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы.

Преимущества SiC MOSFET:

  • высокая эффективность на системном уровне;
  • выше плотность мощности системы;
  • снижение требований к теплоотводу;
  • параллельная работа без теплового пробоя.

Применение SiC МОП-транзисторов:

  • импульсные источники питания;
  • тяговые инверторы;
  • источники бесперебойного питания;
  • промышленные источники питания;
  • солнечная энергетика.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *