SiC MOSFET-дискреты и чипы от AMG Power

Компания AMG Power представляет SiC МОП-транзисторы 650–1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также чипы в некорпусированном виде.

Параметрами изделий:

• напряжение V_ds: 650, 1200 и 1700 В;
• ток I_d: до 100 А;
• корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы.

Преимущества SiC MOSFET:

• высокая эффективность на системном уровне;
• выше плотность мощности системы;
• снижение требований к теплоотводу;
• параллельная работа без теплового пробоя.

Применение SiC МОП-транзисторов:

• импульсные источники питания;
• тяговые инверторы;
• источники бесперебойного питания;
• промышленные источники питания;
• солнечная энергетика.