Реклама

Cree

Новые силовые SiC-модули обеспечивают большую плотность мощности в меньших габаритах, чем Si IGBT
В связи с растущим спросом (рис. 1) на энергию для широкого спектра применений, включая производство электроэнергии, ее хранение и транспортировку, возникает необходимость в создании более эффективных систем преобразования и управления, обеспечивающих будущее энергетических систем. Соответственно, растет потребность в более компактных и мощных силовых модулях, способных работать при высоких тем...

16.03.2022 | Компоненты силовой электроники, IGBT, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Установка для тестирования SiC MOSFET методом двойного импульса
В статье описывается испытательная установка, предназначенная для тестирования характеристик SiC MOSFET методом двойного импульса. Установка представляет собой классический «двухимпульсный» тестер, содержащий все необходимые компоненты, размещенные на одной печатной плате, и обеспечивающий повторяемость измерений. Фотография приспособления показана на рис. 1.

14.01.2022 | MOSFET, Измерительные приборы, SiC
Метки:
2 комментария

Изолированный драйвер затвора SiC МОП-транзисторов компании Cree
Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани...

19.10.2021 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, MOSFET, SiC
Метки: ,
Оставить комментарий

Рекомендуемые профили пайки силовых компонентов Cree
В статье даны рекомендации относительно предпочтительных режимов пайки для различных типов корпусов, описаны тепловые профили разных технологий пайки.

13.09.2021 | Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Карбид кремния выводит диоды Шоттки 17-го класса на новый уровень
Хотя карбид кремния (SiC) был открыт Йенсом Якобом Берцелиусом (Jöns Jakob Berzelius) еще в начале XIX в., для производства коммерческих полупроводников этот материал стал применяться только в последние 20 лет. Впервые SiC был использован в серийном производстве для изготовления сверхъярких голубых и зеленых светодиодов компании Cree. И только семь лет назад началось производство коммерческих 6...

21.07.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Оптроны для управления затвором карбид-кремниевых MOSFET
В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбид-кремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.

19.12.2020 | Компоненты силовой электроники, Оптрон, MOSFET, SiC
Метки: ,
Оставить комментарий

Вспомогательный источник питания мощностью 60 Вт на силовом SiC-ключе 1700 В
Ввиду простоты реализации и экономичности обратноходовые источники питания находят самое широкое применение в различных сегментах рынка. Однако при их использовании в высоковольтных приложениях, например как вспомогательный источник питания с запиткой от высоковольтной промежуточной шины постоянного тока, разработчики сталкиваются с проблемой выбора соответствующего ключа. С этой целью компания...

16.11.2020 | Разработка, Источники питания
Метки:
Оставить комментарий

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 2. Методы минимизации паразитных индуктивностей
В данном руководстве описаны методы минимизации паразитных индуктивностей печатных плат, обеспечивающие максимальные преимущества от применения карбидокремниевых модулей. В качестве примеров использованы полумостовой 50-мм модуль Cree CAS100H12AM1 (1200 В, 100 А) и трехфазный CCS050M12CM2 (1200 В, 50 А).

23.10.2020 | Разработка, Источники питания
Метки:
Оставить комментарий

Силовые SiC-модули для высоковольтных приложений
Разработка силовых приборов с высоким рабочим напряжением (6,5 кВ и выше) позволила передавать большую мощность при заданном токе и уменьшить количество ключей, необходимых для реализации данных величин напряжения в многоуровневых преобразователях. Силовые приборы на основе карбида кремния имеют значительно большее блокирующее напряжение (до десятков киловольт), более высокие частоты коммутации...

15.09.2020 | Компоненты силовой электроники, SiC, Модули
Метки:
Оставить комментарий

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов
Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим, однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI).

02.08.2020 | Разработка, Источники питания, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2024 Силовая электроника