Новая серия IGBT от Infineon Technologies для резонансных инверторов

Дискретные IGBT-транзисторы, благодаря присущей им высокой эффективности, являются наиболее предпочтительными коммутационными элементами импульсных источников питания для современных инверторных индукционных нагревателей, предназначенных для приготовления пищи. Поскольку затраты на энергию продолжают расти, а потребительский спрос на все более компактную бытовую технику, предназначенную для при...

Нормирование теплового сопротивления IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Выбор модуля IGBT для конкретных условий применения требует анализа его тепловых характеристик с учетом системы охлаждения и оценки их соответствия техническим требованиям, предъявляемым к системе (мощность, температура окружающей среды, профиль нагрузки, срок службы). Для сопоставления тепловых свойств различных силовых ключей необходимо учесть следующие факторы: • особенности конструкции мо...

Новое семейство миниатюрных, быстродействующих и точных датчиков для изолированного измерения тока

Конструкция изолированных датчиков тока постоянно изменяется, что обусловлено требованиями снижения стоимости и размеров. В соответствии с этой тенденцией было разработано новое семейство интегральных сенсоров, не нуждающихся в магнитной цепи и размещаемых в стандартных малогабаритных корпусах интегральной микросхемы. Тщательная проработка конструкции позволила обеспечить точность, соизмеримую ...

Расчет динамических потерь IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Частотные свойства и динамические характеристики IGBT во многом определяют выбор модуля для конкретных условий работы. В спецификациях силовых ключей параметры переключения приводятся для фиксированных режимов, определенных изготовителем. Внимательный анализ технической документации показывает, что разные производители используют отличающиеся условия нормирования. Более того, иногда они указаны...

Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения

Проведено экспериментальное исследование влияния параметра dV/dt на пробой SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» при подаче импульса обратного напряжения. Исследование проведено с помощью разработанного отечественного тестера, позволяющего генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс. Установлено, что серийно выпускаемые и вновь создававаемые SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУП...

Создание современной технологической линии производства IGBT-модулей в «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС»

В статье приведен краткий обзор технологического процесса и основных единиц оборудования, применяемых в производстве силовых IGBT-модулей АО «ПРОТОН–ЭЛЕКТРОТЕКС». Освоение производства этих компонентов стало важным этапом стратегии развития предприятия и обещает стать ключевым звеном его продуктовой программы. В связи с переходом мировой экономики к использованию энергосберегающих и возобновляе...

Первое универсальное интегрированное решение для различных приводов электродвигателей

Компании Infineon Technologies и TDK объединили свои усилия для разработки универсального интегрированного решения для инверторов, которые могут быть с успехом использованы в силовых агрегатах электромобилей и найти применение в широком спектре индустриальных приложений. Предложенная конструкция позволяет разработчикам быстро и легко проверять и реализовывать концепции самых различных приводов ...

CAPZero-2: экономия должна быть экономной, или
Как можно эффективно снизить потери мощности там, где и снижать-то вроде бы нечего

За последние сто пятьдесят лет человечество в плане технического развития нашей цивилизации совершило такой прорыв, результаты которого превысили все, что было достигнуто с момента ее зарождения до конца XIX в. И это развитие продолжается ускоренными темами, в обиход входят все новые и новые устройства, потребляющие электроэнергию. Ученые предупреждают, что развитие цивилизации может замедлитьс...

BISS-транзисторы в режиме насыщения

В статье приведены экспериментальные данные режима насыщения некоторых типов современных BISS-транзисторов. Показано, что для них применимы критерии режима насыщения, в частности — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас, разработанный ранее для традиционных ключевых биполярных транзисторов.

Шинопроводы алюминий–медь. Новые возможности

Современные изделия преобразовательной техники предназначены для управления устройствами значительной мощности, вплоть до нескольких мегаватт. Соответственно величины коммутируемых токов составляют тысячи ампер. Данное обстоятельство предъявляет особые требования к исполнению проводниковых элементов как в части проводимости, так и по механическим свойствам по причине значительных динамических н...