Транзистор в преобразователе.
Часть 1. Силовые цепи

Настоящая статья посвящена прикладной задаче построения преобразователя и предназначена для практикующих разработчиков. Цель статьи — не показать теорию, а по возможности предостеречь от распространенных ошибок при проектировании реального изделия. Разумеется, данная публикация не охватывает все возможные преобразователи и в большей степени подходит для типовых схем на основе IGBT 6–17-го класс...

Влияние выбора диода на характеристики силовой системы

В статье рассматривается применение диодов семейства Rapid компании Infineon. Важно использовать силовые приборы, оптимизированные под конкретные условия работы силовой системы.

Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике

На рынке в течение многих лет ходят разговоры о концепциях и планах по выпуску широкозонных приборов, обладающих массой новых возможностей. Тем не менее вы не можете сделать что-либо на базе презентации PowerPoint или предварительной спецификации. Эта статья подтверждает тот факт, что компания Wolfspeed вышла далеко за рамки любой шумихи, разговоров и поддельных новостей и стала пионером широко...

Затворный резистор. Часть 1

Публикация открывает цикл статей, посвященных исследованию проблемы выбора номинала затворного резистора. Импульсом для написания материалов на эту тему послужили относительно частые случаи выхода из строя преобразователей, в которых задействованы силовые модули или драйверы производства компании «Электрум АВ». Такие случаи происходили у потребителей именно из-за некорректного выбора номинала з...

Преимущества замены IGBT на SiC-модули в силовых сборках

В последние годы карбидокремниевые (SiC) MOSFET с рабочим напряжением 1,2 и 1,7 кВ стали реальной альтернативой для проектировщиков силовых конвертеров, в настоящее время использующих транзисторы IGBT. На сегодня большинство «побед» SiC MOSFET принадлежит маломощным преобразователям в диапазоне до 20 кВт, разрабатываемым «с чистого листа». В первую очередь эта тенденция обусловлена необходимост...

Модернизация нерассеивающих демпферно-снабберных цепочек для мягкой коммутации и защиты ключей импульсных преобразователей

Предлагаются новые схемотехнические решения для улучшения массо-энергетических и надежностных характеристик демпферно-снабберных цепочек (ДСЦ), предназначенных для «мягкой» коммутации и защиты электронных ключей импульсных преобразователей (ИП). Решения защищены приоритетом РФ и представляются полезными для использования в широкой практике в области силовой электроники.

Моделирование тепловых режимов работы IGBT-модулей в преобразовательной технике

В статье представлена разработанная АО «Протон-Электротекс» программа-симулятор, предназначенная для моделирования тепловых режимов работы IGBT-модулей

Влияние емкости нагрузки на динамические потери IGBT

Справочные значения динамических потерь силовых ключей приводятся в документации с учетом работы на индуктивную нагрузку, что соответствует требованиям стандартов IEC и согласуется с условиями эксплуатации в большинстве реальных приложений. В приводах малой и средней мощности для соединения с двигателем часто используется длинный кабель (например, в сервоприводах), при этом нагрузка получает зн...

Параллельная работа IGBT при различных способах управления затворами

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).

Семь раз — расчет, один раз — тест

В статье на примере решения тепловой задачи сравниваются плюсы и минусы двух инженерных подходов к проектированию — компьютерных расчетов и лабораторных испытаний.