Проектирование
Моделирование стандартных топологий схем с карбидокремниевыми MOSFET Wolfspeed
Сегодня чаще чем когда-либо разработчики выбирают карбидокремниевые приборы (SiC) за их высокую эффективность, плотность мощности и лучшую экономическую эффективность на системном уровне по сравнению с кремниевыми (Si) компонентами. Помимо знания основных принципов проектирования, общих для SiC и Si, а также необходимости учитывать особенности характеристик, возможностей и преимуществ SiC, спец...
Оборудование для испытаний СПП в предельно допустимых режимах работы
Основными параметрами, характеризующими надежность силовых полупроводниковых приборов (СПП) в предельно допустимых режимах работы, являются значения ударного тока и критической скорости нарастания тока в открытом состоянии. Для разработки преобразовательных устройств важно знать не только неповторяющиеся значения этих параметров, определенные в соответствии с методами ГОСТ 24461-80 [1], но и до...
Применение современного испытательного оборудования для проверки устойчивости функционирования РЭА при изменении значений параметров качества входной электроэнергии
В статье приведены различные варианты применения испытательного оборудования в виде современных технических средств, обеспечивающих возможность выполнения проверок и испытаний на устойчивость функционирования РЭА при изменении значений параметров качества электроэнергии автономных источников и систем электроснабжения переменного и постоянного тока.
Транзистор в преобразователе.
Часть 1. Силовые цепи
Настоящая статья посвящена прикладной задаче построения преобразователя и предназначена для практикующих разработчиков. Цель статьи — не показать теорию, а по возможности предостеречь от распространенных ошибок при проектировании реального изделия. Разумеется, данная публикация не охватывает все возможные преобразователи и в большей степени подходит для типовых схем на основе IGBT 6–17-го класс...
Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике
На рынке в течение многих лет ходят разговоры о концепциях и планах по выпуску широкозонных приборов, обладающих массой новых возможностей. Тем не менее вы не можете сделать что-либо на базе презентации PowerPoint или предварительной спецификации. Эта статья подтверждает тот факт, что компания Wolfspeed вышла далеко за рамки любой шумихи, разговоров и поддельных новостей и стала пионером широко...
Затворный резистор. Часть 1
Публикация открывает цикл статей, посвященных исследованию проблемы выбора номинала затворного резистора. Импульсом для написания материалов на эту тему послужили относительно частые случаи выхода из строя преобразователей, в которых задействованы силовые модули или драйверы производства компании «Электрум АВ». Такие случаи происходили у потребителей именно из-за некорректного выбора номинала з...
Преимущества замены IGBT на SiC-модули в силовых сборках
В последние годы карбидокремниевые (SiC) MOSFET с рабочим напряжением 1,2 и 1,7 кВ стали реальной альтернативой для проектировщиков силовых конвертеров, в настоящее время использующих транзисторы IGBT. На сегодня большинство «побед» SiC MOSFET принадлежит маломощным преобразователям в диапазоне до 20 кВт, разрабатываемым «с чистого листа». В первую очередь эта тенденция обусловлена необходимост...
Модернизация нерассеивающих демпферно-снабберных цепочек для мягкой коммутации и защиты ключей импульсных преобразователей
Предлагаются новые схемотехнические решения для улучшения массо-энергетических и надежностных характеристик демпферно-снабберных цепочек (ДСЦ), предназначенных для «мягкой» коммутации и защиты электронных ключей импульсных преобразователей (ИП). Решения защищены приоритетом РФ и представляются полезными для использования в широкой практике в области силовой электроники.