Компоненты силовой электроники
Комплексная методология определения надежности GaN-транзисторов
В настоящее время компания Texas Instruments разрабатывает комплексную программу оценки качества и надежности компонентов, основанную на фундаментальных характеристиках нитрида галлия (GaN) и применении соответствующих методик испытаний, направленных на повышение надежности выпускаемых компанией приборов, выполненных по GaN-технологии. Темой, поднятой в предлагаемой статье, представленной в ори... Выбор пассивных компонентов для неизолированного импульсного источника питания
В статье приведен краткий обзор пленочных конденсаторов китайской фирмы BM, выпускаемых на основе полипропиленового диэлектрика. Особое внимание уделено индуктивным компонентам Pulse Electronics для импульсных источников питания, их разновидностям, видам потерь и методике оптимального подбора необходимого компонента. Эффективный ККМ, выполненный с применением МК по принципу двухфазной модуляции тока.
Сравнение с решением на базе SiC MOSFET
Эффективность мощных (3 кВт и более) AC/DC-преобразователей с корректором коэффициента мощности (ККМ) является важным фактором, который, в свою очередь, зависит от многих аспектов проектирования, включающих отведение тепла, размеры конструкции и принципы охлаждения. Соображения экономики также вносят свой вклад, являясь формой участия конечного заказчика в процессе проектирования. Технологическ... Новые компенсационные датчики тока — достижение отличных характеристик без увеличения затрат
Компенсационные датчики тока на эффекте Холла, при всех своих достоинствах, обладают и присущими «холловским» датчикам недостатками. В статье описана новая серия компактных компенсационных датчиков тока LEM на эффекте Холла, в которых, благодаря примененным новым технологическим решениям, эти недостатки были преодолены SCALE-iDriver — семейство гальванически изолированных драйверов IGBT в микросхемном корпусе
В статье рассматривается новое семейство одноканальных драйверов IGBT SCALE-iDriver — первых представителей драйверов, выполненных по усовершенствованной технологии SCALE-2+, и не в традиционном для производителя модульном исполнении, а в виде интегральных схем. При этом данные устройства имеют усиленную гальваническую изоляцию (SID11x2K на 1200 В), версию с рабочим напряжением на 1700 В (SID11... Интеграция в IPM функции вычисления в реальном времени температуры полупроводникового перехода
Для силовых приборов температура их полупроводникового перехода Tvj является одной из основных технических характеристик в их спецификации, которая накладывает жесткие ограничения на безопасно допустимый уровень выходной мощности, т. е. формирует область безопасной работы силового модуля. С целью достижения максимальной плотности мощности системы ее компоненты проектируются с возможностью работ... LV100 — полумостовой модуль для тяговых инверторов новых поколений
Статья посвящена новому типу полумостовых высоковольтных IGBT-модулей, разработанных, в первую очередь, для железнодорожных (ж/д) тяговых применений. Продукт получил название LV100 (Low Voltage 100) — ввиду напряжения изоляции 6 кВ и ширины корпуса 100 мм. Вторая модификация с напряжением изоляции 10,4 кВ носит имя HV100 (High Voltage 100). Обе версии имеют полумостовую топологию, а также идент... Влияние емкости нагрузки на динамические потери IGBT
Справочные значения динамических потерь силовых ключей приводятся в документации с учетом работы на индуктивную нагрузку, что соответствует требованиям стандартов IEC и согласуется с условиями эксплуатации в большинстве реальных приложений. В приводах малой и средней мощности для соединения с двигателем часто используется длинный кабель (например, в сервоприводах), при этом нагрузка получает зн... 

