Электробезопасность оптических изоляторов в условиях возможных отказов в силовых преобразователях
В статье описано влияние возможных отказов незащищенных IGBT на изоляционный барьер драйверов затвора с оптической изоляцией компании Broadcom. Компоненты силовой электроники
В статье описано влияние возможных отказов незащищенных IGBT на изоляционный барьер драйверов затвора с оптической изоляцией компании Broadcom. Высоковольтные RFC-диоды X-серии с мягкой характеристикой восстановления
В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще... Вы за SiC или кремний? Часть 4. Как создать лучшие тяговые инверторы для электромобиля? Ответ: использовать SiC!
Это четвертая публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла были описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в двух основных узлах современного электрического транспортного средства — встроенном зарядном устройстве и... Выбор быстродействующего силового предохранителя для высоковольтных приложений
Современное силовое и энергетическое оборудование является важной частью производственной и жилой инфраструктуры. Подобные изделия проектируются и производятся с расчетом на длительное время эксплуатации, составляющее десятки лет. Поэтому вопрос защиты оборудования и связанной инфраструктуры становится очень важным на всех этапах разработки и эксплуатации. Данная статья должна помочь сделать пр... Мощные SiC-MOSFET-модули в компактном корпусе нового поколения от японской компании SanRex
Огромный толчок в развитии современной преобразовательной техники произошел благодаря внедрению в массовое производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния, использование которого позволяет выйти устройствам на новый уровень за счет улучшения энергетических качеств, увеличения КПД и удельной мощности, а также уменьшения массогабаритных показателей. В статье рассмотрены решени... Вы за SiC или кремний?
Часть 3. Тенденции в применении SiC в электромобилях
Это третья публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — предоставить систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и областях ее применения. Первая и вторая части цикла в авторском пе... SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода
Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо... Семейство оптопар ACNT компании Broadcom для применения в высоковольтных решениях
В статье рассказывается о новом семействе оптопар ACNT компании Broadcom, особенностях и преимуществах применения таких устройств в высоковольтных решениях. Особенности измерения блокирующего напряжения силовых транзисторов
Рассмотрены особенности измерения блокирующего напряжения и тока утечки силовых транзисторов, а также причины, которые приводят к возникновению ошибок измерения данных параметров. Представлены измеренные вольт-амперные характеристики партии IGBT-транзисторов, на примере которых показаны особенности отбраковки потенциально ненадежных транзисторов. Описана принципиальная схема простого измеритель... Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.