Реклама

Компоненты силовой электроники

Вы за SiC или кремний?
Часть 3. Тенденции в применении SiC в электромобилях
Это третья публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — предоставить систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и областях ее применения. Первая и вторая части цикла в авторском пе...

13.12.2021 | Компоненты силовой электроники, Автомобильная электроника, SiC
Оставить комментарий

SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода
Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо...

09.12.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT, Модули
Метки:
Оставить комментарий

Семейство оптопар ACNT компании Broadcom для применения в высоковольтных решениях
В статье рассказывается о новом семействе оптопар ACNT компании Broadcom, особенностях и преимуществах применения таких устройств в высоковольтных решениях.

08.12.2021 | Компоненты силовой электроники, Оптрон
Метки:
Оставить комментарий

Особенности измерения блокирующего напряжения силовых транзисторов
Рассмотрены особенности измерения блокирующего напряжения и тока утечки силовых транзисторов, а также причины, которые приводят к возникновению ошибок измерения данных параметров. Представлены измеренные вольт-амперные характеристики партии IGBT-транзисторов, на примере которых показаны особенности отбраковки потенциально ненадежных транзисторов. Описана принципиальная схема простого измеритель...

07.12.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT
Оставить комментарий

Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.

11.11.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Принципы проектирования компании «Протон-Электротекс» на примере линейки новых однопозиционных модулей с шириной основания 50 мм
В 2021 году АО «Протон-Электротекс» приступило к серийному производству однопозиционных модулей с максимально допустимым средним током в открытом состоянии до 700 А. В статье отражены основные принципы, применяемые в компании при разработке новых продуктов, а также приведена сравнительная информация по основным параметрам приборов линейки.

10.11.2021 | Компоненты силовой электроники, Модули
Метки:
Оставить комментарий

Шаг вперед к миниатюризации измерителей тока в системах преобразования энергии
Современные системы преобразования энергии должны становиться все более эффективными, малогабаритными и дешевыми. В рамках этих требований швейцарская компания LEM использовала свой огромный опыт в области электрических измерений для создания однокристальных датчиков тока HMSR. Традиционно ток измеряется с помощью датчиков прямого усиления на эффекте Холла. Создаваемое током магнитное поле, кон...

05.11.2021 | Компоненты силовой электроники, Датчики тока
Метки:
Оставить комментарий

Теплопроводящий материал Thermal Interface Material для нового семейства модулей XM3 Wolfspeed
Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.

04.11.2021 | Компоненты силовой электроники, Системы охлаждения
Метки:
Оставить комментарий

SEMIKRON: цифровые драйверы и адаптеры нового поколения
Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач. Рынок требует непрерыв...

03.11.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT, Драйверы IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Влияние топологии многокристальных IGBT-модулей на распределение тока между транзисторными чипами в статических режимах работы
Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам...

01.11.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2025 Силовая электроника