Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в... 
Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани... 
Эта публикация открывает цикл из шести статей, в которых будут рассмотрены преимущества и проблемы изготовления и применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Цель цикла — дать систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и области ее применения (Впервые цикл опубликован в Power Systems Design и... 
Поисковик STPOWER IGBT - это мобильное приложение, доступное для Android или iOS, предлагающее удобную альтернативу поиску в онлайн-портфолио продуктов www.st.com, позволяющее пользователю легко осуществлять навигацию с помощью портативных устройств. Система параметрического поиска позволяет пользователю быстро определить продукт, который лучше всего подходит для его применения. Как сообщает https://skupka-apple-ekaterinburg.ru/prodat-iphone.html, приложение доступно в Google Play, App Store.
Особенности приложения STPOWER IGBT:
параметрический поиск по нескольким критериям;
легкий ... 
В статье представлены последние результаты разработок в области силовых блоков на основе отечественных биполярных полупроводниковых приборов. Рассмотрены примеры конструирования блоков выпрямителей и ключей переменного тока большой мощности, ориентированных на требования потребителей. 
Компания Dynex Semiconductor не является гигантом электронной отрасли и не может похвастаться многомиллиардными доходами. Впрочем, продукция производителя из английской глубинки хорошо известна во всем мире и широко используется лидерами современной промышленности. 
Компания Fuji представляет кристаллы RC-IGBT с рабочим напряжением 1200 В, разработанные с применением новейшей тонкопленочной технологии производства пластин. Характеристики этих RC-IGBT показывают такое же соотношение между потерями проводимости и переключения, как и у шестого поколения обычных IGBT и FWD. Кроме того, данное отношение можно оптимизировать для режима жесткого переключения путе... 
Компания Mitsubishi Electric, выпускающая широкую линейку мощных SiC-модулей различных классов напряжений, анонсирует выход модулей с SiC-кристаллами второго поколения в классах напряжения 1200 и 1700 В. В сравнении с первым поколением новые модули имеют улучшенную производительность, а также более широкий модельный ряд. В статье представлены и последние достижения, полученные за счет новой тех... 
На первый взгляд преимущества карбида кремния в ряде применений, прежде всего высокочастотных, неоспоримы. SiC MOSFET-транзисторы (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них) имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw преобразовательной системы.
Однако в дружном хоре энтузиа... 
Широкое распространение SiC MOSFET на рынке силовой электроники еще ограничивается их более высокой стоимостью по сравнению с Si MOSFET, но это, безусловно, временное явление и с развитием SiC-технологии ситуация будет улучшаться. В то же время более перспективные характеристики SiC требуют и более внимательного подхода к проектированию и измерению их параметров в реальных приложениях, чему и у... 