Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода. 
Мы не сомневаемся, что в свое время всем набила оскомину реклама стирального порошка Ariel и его сравнение с «обычным порошком». Однако при всей примитивности мысли в этом ролике четко прослеживается простое правило, принятое во всех цивилизованных странах: «Хвали себя, а покупатель сам разберется». К сожалению, наш рынок пока далек от цивилизованного, и зачастую мы встречаемся с примерами неко... 
Статья посвящена исследованию свойств новых силовых трансформаторов типа MTS, конструктивной особенностью которых является использование стержней-обмоток — деталей, выполняющих одновременно две функции: одной или всех обмоток трансформатора и стержней ферромагнитного сердечника или всего этого сердечника. Кратко описаны новые трансформаторы, технологии и свойства материалов для их изготовления;... 
Представлены результаты экспериментального исследования динамических характеристик отечественных силовых модулей NPT IGBT с прозрачным эмиттером. Измерение энергии динамических потерь проведено с учетом составляющих на интервалах установления стационарных состояний, информация по которым, как правило, отсутствует в паспортных данных и каталогах. 
Подразделение силовых компонентов компании Сree известно как крупнейший производитель диодов на основе карбида кремния (SiC), применяемых в системах контроля и управления питанием различных устройств. Вместе с тем в силовой электронике технология SiC новая и малоосвоенная. О проблемах серийного производства SiC-компонентов и перспективах технологии нам рассказал Эрих Никлас (Erich Niklas), мене... 
Хотя карбид кремния (SiC) был открыт Йенсом Якобом Берцелиусом (Jöns Jakob Berzelius) еще в начале XIX в., для производства коммерческих полупроводников этот материал стал применяться только в последние 20 лет. Впервые SiC был использован в серийном производстве для изготовления сверхъярких голубых и зеленых светодиодов компании Cree. И только семь лет назад началось производство коммерческих 6... 
В настоящей статье рассматривается влияние космического излучения на частоту отказов мощных полупроводниковых устройств в условиях приложенного к ним высокого напряжения. Демонстрируется усовершенствованная конструкция модулей высоковольтных IGBT номинальным напряжением 6,5 кВ, позволяющая повысить долговременную стабильность при постоянном напряжении без ущерба электрическим характеристикам, а... 
Выпущенное в 2010 г. фирмой CT-Concept драйверное ядро, названное SCALE-2, является развитием популярного ядра SCALE-1, на основе которого уже много лет серийно производятся драйверы для управления IGBT-модулями практически всех мировых производителей [1]. Ядра также предназначены для драйверов MOSFET и модулей на их основе. Преимущества, технические характеристики и области применения нового я... 
Драйверы CT Concept прочно вошли в жизнь разработчиков силовой электроники. Но во всем есть свои достоинства и недостатки. Компания CT Concept — не отечественный производитель, а в наше время такой минус может перечеркнуть все оставшиеся плюсы. Чтобы обойти данную проблему, «Электрум АВ» предлагает новую серию аналогов драйверов от CT Concept. 
Расчет потерь мощности при переключении МОП-транзистора не так прост, как кажется на первый взгляд. Необходимо учитывать множество факторов. К примеру: как отличаются потери транзисторов разных плечей? Каковы потери при переключении в устройствах средней и низкой мощности? Как могут помочь уникальные особенности каждого МОП-транзистора при разработке высокоэффективного устройства? 