Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач.
Рынок требует непрерыв... 
Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам... 
Управление мощными преобразователями, силовыми машинами, электродвигателями, приводами, автономными источниками электропитания крайне важно для транспорта, станкостроения, электроэнергетики, промышленности и в целом имеет для экономики большое значение. Электронная компонентная база (ЭКБ), используемая в системах управления, напрямую влияет на безопасность, надежность, энергоэффективность, масс... 
В статье приведена краткая информация о структуре и основных характеристиках высоковольтного изолированного драйвера затвора IGBT-транзисторов со встроенным контроллером обратноходового DC/DC-преобразователя ADuM4138, выпускаемого компанией Analog Devices. Представлена типовая схема включения драйвера, а также даны общие сведения об оценочной плате для тестирования драйвера. 
Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности. 
Это вторая статья, продолжающая цикл из шести статей, в которых будут рассмотрены преимущества и проблемы изготовления и применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — дать систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и области ее применения. 
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила кристаллы SiC МОП-транзисторов поколения Gen 3 на напряжение 1200 В и ток до 149 А.
Кристаллы/чипы поставляются в разрезанном виде в кассетах waffle Pack либо на UV-пленке.
Кристаллы SiC MOSFET находят свое применение в солнечных инверторах, системах управления приводом, высоковольтных преобразователях, импульсных источниках питания и зарядных устройствах электромобилей. SiC-технология позволяет увеличить КПД и мощность, уменьшить габариты и вес устройства. Производство включает полный цикл, начиная с монокристаллов и подложек и заканчивая ... 
Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в... 
Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани... 
Эта публикация открывает цикл из шести статей, в которых будут рассмотрены преимущества и проблемы изготовления и применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Цель цикла — дать систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и области ее применения (Впервые цикл опубликован в Power Systems Design и... 