SiC-диод 1200 В 100 А при +150 °C от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала высоковольтный карбид-кремниевый (SiC) диод Шоттки A2G100D1200DT2, рассчитанный на напряжение 1200 В и способный пропускать постоянный ток до 100 А при температуре корпуса +150 °C. Диод A2G100D1200DT2 способен выдерживать кратковременный пиковый ток до 270 А при +25 °C, а также импульсный ток 550 А. Благодаря SiC-технологии, он демонстрирует нулевой ток обратного восстановления, отсутствие прямого перенапряжения при включении и температуру перехода до +175 °C, что обеспечивает исключительную надежность и стабильность в условиях высоких нагрузок.

Основные характеристики A2G100D1200DT2:

• минимизация коммутационных потерь, что позволяет значительно повысить КПД преобразователей (на 2–5 % по сравнению с Si-аналогами);
• низкое прямое напряжение (1,6 В при 100 А и +25 °C) и чрезвычайно малый обратный ток утечки (всего 35 мкА при 1200 В и +25 °C) снижают тепловыделение и упрощают систему охлаждения;
• температурно-независимое переключение и отсутствие теплового разгона делают возможным надёжное параллельное соединение нескольких диодов, что является важным свойством для высокомощных систем, таких как тяговые преобразователи или ветрогенераторы.

Области применения высоковольтного SiC-диода:

• серверные и телекоммуникационные блоки питания;
• системы бесперебойного питания;
• промышленные инвертеры;
• железнодорожные тяги;
• ветроэнергетика.

По сравнению с аналогами от Wolfspeed (C3D10065A), Infineon (IDW100G120C5B) и STMicroelectronics (STPSC100H12), новый диод от AMG Power предлагает сопоставимые или лучшие параметры, при этом более низкую цену, чем у более именитых производителей. Например, при том же токе 100 А его прямое напряжение (1,6 В) ниже, чем у многих конкурентов (1,7–1,9 В), а обратный ток утечки в 2–3 раза меньше при +175 °C. Также стоит отметить 100 % тестирование на лавинную устойчивость (UIL), что не всегда реализовано у других поставщиков в этом сегменте.