Высоковольтные SiC-диоды Шоттки 4-го поколения от AMG Power

Компания AMG Power анонсировала начало серийного производства линейки высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD) — передовых полупроводниковых приборов, созданных для применения в современных силовых электронных системах. Диоды представлены в нескольких типоразмерах корпусов — TO-220C-2L, TO-247-2, TO-247-3, TO-252 и TO-263-2 и охватывают широкий диапазон напряжений: 650, 1200 и 1700 В. Благодаря использованию технологий Gen 4 SiC, новые диоды обеспечивают низкое прямое падение напряжения (от 1,27 В), малую емкость перехода и высокую устойчивость к импульсным токам, что делает их оптимальными для применения в источниках питания, инверторах, преобразователях частоты и системах быстрой зарядки электромобилей.

Благодаря уникальным физическим свойствам карбида кремния — высокой теплопроводности, широкой запрещенной зоне и способности выдерживать высокие электрические поля — SiC-диоды Шоттки обеспечивают значительно более высокую энергоэффективность, термостойкость и скорость переключения по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами.

Эти характеристики позволяют разработчикам повысить КПД преобразователей до 98–99%, уменьшить габариты радиаторов и снизить общую стоимость системы за счет упрощения теплового менеджмента.

Новые SiC-диоды AMG Power разработаны на основе технологии 4-го поколения (Gen 4) и обладают следующими преимуществами:

• обратные напряжения: 650, 1200 и 1700 В;
• прямое падение напряжения: от 1,27 В;
• высокая устойчивость к импульсным токам (IFSM до 560 А);
• рассеиваемая мощность до 750 Вт (в корпусе TO-247-3).