Диоды

Компания Infineon Technologies AG представила линейку карбид-кремниевых компонентов: новое семейство CoolSiC-диодов Шоттки, готовых для установки в существующие и будущие бортовые зарядные системы (БЗС) в гибридных и электрических автомобилях. Компания Infineon специально разработала диоды, отвечающие высоким требованиям автомобильной промышленности в отношении надежности, качества и функциональности. Новое семейство основано на пятом поколении диодов Шоттки, которое было дополнительно усовершенствовано, чтобы соответствовать требованиям автомобильной промышленности в отношении надежности. ...

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...

Представлены результаты исследований параметров и характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки на напряжение 1200 В, используемых в гибридных IGBT-модулях в качестве оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD), а также в линейке высокочастотных SiC-диодных модулей.

Впервые SiC-компоненты были применены в источниках питания телекоммуникационного оборудования, светодиодах и преобразователях для индукционного нагрева. Спустя некоторое время карбидо-кремниевые ключи проникли в инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (UPS), приводы и в авиационную технику. Совсем недавно силовые SiC-приборы нашли свое применение в производстве автомобилей...

Современные однофазные и трехфазные инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания или приложения для накопления энергии отличаются повышенными требованиями в части высокой эффективности, компактности их конструкций и длительной надежности. Однако возможности реализации инверторов для таких приложений ограничены высокими динамическими потерями кремниевых полупроводниковых приборо...

Китайская компания TECH Semiconductors Co., Ltd. (TECHSEM) была создана в 1966 г. и имеет значительный опыт разработки и производства силовых полупроводниковых устройств. Широкий ассортимент продукции компании известен высоким качеством и хорошей репутацией как на внутреннем рынке Китая, так и в Европе, США, Корее, Японии, Индии и других странах. В статье приведен обзор изделий TECHSEM.

Единственным эффективным инструментом снижения огромных мировых потерь электроэнергии является силовая электроника. Чтобы она стала более эффективной, необходимо обновить ее элементную базу, применяемые материалы, использовать такую новую технологию, которой еще нет в мировой практике. В этом суть инновации.
В статье пойдет речь о новом направлении в мировой электронике: высоковольтной тех...

В статье изложены физические основы численного моделирования нестационарных тепловых процессов в структурах силовых полупроводниковых приборов. Приведен алгоритм численного расчета допустимых токов перегрузки. Представлены результаты моделирования тепловых процессов при работе тиристора Т243-500 и диода ДЛ343-630-34.

На вопрос, применяет ли он SiC-диоды Шоттки, разработчик аппаратуры из Чебоксар ответил неожиданно мрачно: «Горят, как спички. Использую импортные кремниевые UFRED HFA08TB120». В полемику никто не вступал, так как никто не сомневается, что широкозонные полупроводники будут доминировать и почти вытеснят кремний к 2025–2030 гг., как это произошло с германием. Но есть варианты и на переходный пери...

В статье описываются особенности электронных компонентов силовых устройств (СУ) и приводятся их основные параметры. Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты (диоды, тиристоры, симисторы, транзисторы, интегрированные силовые модули), устройства управления ими, коммутационные и некоторые пассивные компоненты отечественного и зарубежного производства. Первая ч...