В статье представлены характеристики включения новых мощных высоковольтных фототиристоров и информация об оптических драйверах управления, предназначенных для использования в различных силовых схемах, в том числе — выпрямителях, инверторах, ключах переменного тока, импульсных коммутаторах тока.

Знание принципов работы полупроводниковых приборов необходимо специалистам, занимающимся проектированием преобразовательной техники. Мы продолжаем рассмотрение базовых вопросов, связанных со структурой диодов и тиристоров и их электрическими характеристиками.

Компания IXYS продолжает следовать стратегии «больше удельной мощности в меньшем корпусе», открывая новые горизонты в традиционной технологии тиристорных и диодных модулей.

Компания «Протон-Электротекс» сообщает о запуске новых тиристорных и тиристорно-диодных модулей МТ3-700-18-А2 с повышенной плотностью энергии. Данный модуль создан на базе своего предшественника МТ3-540-18-А2. Более высокая удельная плотность энергии была достигнута за счет модернизации полупроводникового элемента с минимальным изменением остальных элементов конструкции. В частности, модуль был разработан на основе новой топологии, благодаря которой активная площадь катода увеличилась на 10%, уменьшилась толщина диффузионного элемента, и улучшился диффузионный профиль. Обширная программа ...

В статье рассмотрены особенности силовых полупроводниковых приборов одного из старейших китайских производителей и разработчиков продуктов силовой электроники. Приведены основные характеристики IGBT, тиристоров и диодов большой мощности, а также силовых модулей и сборок различных конфигураций.

В статье обсуждается возможность снижения деградационных и ранних отказов силовых полупроводниковых тиристоров с диаметром полупроводникового кристалла 80 мм и более за счет применения технологии низкотемпературного спекания кремниевых элементов и молибденовых термокомпенсаторов. Исследованы сравнительные зависимости параметров VTO/rT, Rthjc, ITAV, ITSM от усилия сжатия для вариантов синтеринг/...

В статье приведены результаты разработки нового сверхвысоковольтного тиристора с блокирующим напряжением 10 кВ диаметром 2 дюйма, полученные на основе численного моделирования и исследований его характеристик.

В статье обсуждается возможность формирования встроенных элементов самозащиты от перенапряжения высоковольтных полупроводниковых тиристоров за счет локального протонного облучения области основного управляющего электрода, на основании успешного опробования показаны результаты применения данного решения при разработке нового высоковольтного тиристора Т483-1600-60.