В статье приведены типовые характеристики новых мощных TVS-диодов серии TLD5S/6S/8S компании Taiwan Semiconductor (TSC) в SMD-корпусе DO-218AB, предназначенных для подавления импульсных выбросов напряжения в бортовой сети автомобиля. 
Диоды SEMIKRON, производимые с применением усовершенствованной технологии РЕР (Power Enhancing Passivation, рис. 1), представляют новое поколение выпрямительных полупроводниковых приборов. При их изготовлении используется отработанный процесс формования кристаллов MESA (mesa edge termination), известный по классическим диодам SKR (SEMIKRON Rectifier) [3], в сочетании с инновационным методом пас... 
В данной работе дано описание скоростного высоковольтного генератора импульсов, используемого для оценки стойкости карбидокремниевых диодов компании Wolfspeed к 
Активная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. В настоящее время спектр предлагаемых Microsemi полупроводниковых устройств простирается от обычных дискр... 
Замена кремниевых сверхбыстрых (Ultrafast) Si-диодов с плавной характеристикой восстановления, используемых в качестве оппозитных IGBT в режиме жесткой коммутации, на карбидокремниевые диоды Шоттки (SiC Schottky) позволяет снизить коммутационные потери в диоде на 80% и в IGBT на 50%. 
Карбид-кремниевые (SiC) диоды Шоттки являются оптимальными полупроводниковыми приборами для использования в качестве диодов повышающей ступени в активных корректорах коэффициента мощности (ККМ), работающих в режиме непрерывных (средних) токов (Continuous Current Mode, CCM). Это связано с присущим диодам этой технологии малым влиянием эффекта обратного восстановления, что обеспечивает нулевой об... 
Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI. 
Microsemi Corporation (Microsemi), известный разработчик высоконадежных полупроводниковых дискретных и модульных компонентов, большое внимание уделяет постоянному улучшению рабочих характеристик и предельных параметров своей продукции. Устройства силовой электроники компании находят применение в системах электропитания различных вычислительных комплексов, базовых станций беспроводной связи, про... 
Диоды на основе карбида кремния (SiC) достаточно быстро проникли на такой стремительно развивающийся рынок, как повышающие DC/DC-преобразователи и инверторы для солнечной энергетики, что особенно заметно в США и Европе. Так, SiC-диоды Шоттки с номинальными рабочими напряжениями 1200 В и 1700 В, которые выпускает основанное в 2015 г. и специализирующееся в области этой технологии подразделение W... 
Проведено экспериментальное исследование влияния параметра dV/dt на пробой SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» при подаче импульса обратного напряжения. Исследование проведено с помощью разработанного отечественного тестера, позволяющего генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс. Установлено, что серийно выпускаемые и вновь создававаемые SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУП... 