Конференция «Силовая электроника – 2026» состоится 28 мая 2026 года в Москве
Всё о микроэлектронике: «КОНСИСТ-ОС» пополнила серию бесплатных книг о цифровых технологиях
Твердотельное реле переменного тока с управлением по интерфейсу RS-485 (MODBUS RTU) от «Протон-Импульс»
Устройства для подвижного ж/д состава и аппаратуры ЖАТ производства ЗАО «Протон-Импульс»
Регулируемые источники питания переменного тока серии ПНБА ООО «НТЦ АКТОР» внесены в Госреестр
Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57
Спектрометры Broadcom — обновление серии Qwave
Двунаправленный DC/DC-преобразователь 48S14.250BC от Calex с выходной мощностью 3500 Вт
По сравнению с SiC JFET или SiC биполярными транзисторами, N-канальные SiC MOSFET являются наилучшей заменой для обычных кремниевых MOSFET или IGBT благодаря более простой структуре, легкости управления и низким потерям мощности. В марте 2013г. компания Cree начала коммерческий выпуск второго поколения SiC MOSFET, обладающего повышенной производительностью и меньшей стоимостью по сравнению с кл... 
В статье представлены результаты разработки отечественных кристаллов NPT+ IGBT с рабочей площадью 185 мм2 на ток 100 А и напряжение 1700 В для применения в силовых модулях с коммутируемой мощностью 0,15–4 МВт. Приведены параметры и характеристики единичных кристаллов IGBT, измеренных с учетом реальных условий эксплуатации в инверторах напряжения на индуктивную нагрузку. Дается сравнение с заруб... 
В железнодорожной отрасли и в промышленности в последнее время предъявляются чрезвычайно жесткие требования по учету потребляемой электрической энергии. Системы учета должны обладать высочайшими эксплуатационными характеристиками и надежностью, обеспечивая безотказную работу в крайне тяжелых условиях окружающей среды. В статье описываются новые разработки компании LEM — серия датчиков напряжени... 
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво... 
Представлена визуально-математическая модель нового способа импульсного управления скоростью синхронных электродвигателей, реализуемого посредством питания статорной обмотки импульсами тока непосредственно от сети через тиристорный коммутатор. Импульсы тока синхронизированы с положением ротора и регулируемы по фазе и по величине. Способ импульсного управления обеспечивает существенно лучшие эко... 
В статье описано применение дискретных IGBT и MOSFET в аппаратах ручной дуговой сварки плавящимся электродом (Manual Metal Arc — MMA) и дуговой сварки неплавящимся электродом в среде инертного газа (Tungsten Inert Gas — TIG) мощностью 1,5–6 кВт. В большинстве случаев в таких аппаратах используется ШИМ (широтно-импульсная модуляция) с управлением по току. Их строят на базе простых топологий — дв... 
В статье рассмотрены вопросы применения квазирезонансных преобразователей постоянного тока на полностью управляемых силовых ключах с дозирующим конденсатором в устройствах заряда емкостных накопителей энергии. Приведены результаты исследований имитационной и физической модели преобразователя. Даны рекомендации по выбору параметров преобразователей. 
В статье рассматривается новая разновидность известного типа ключевого преобразователя — полумостового повышающего конвертера с питанием от источника тока. Обсуждаются особенности предлагаемой топологии на основании результатов моделирования в пакете Micro-CAP и измерений, выполненных на лабораторном макете. 
В статье анализируются электромагнитные процессы в трехфазных индуктивно-емкостных преобразователях (ИЕП), обеспечивающих неизменный ток в мощных нагрузках, требующих питания постоянным током. Трехфазные ИЕП нашли практическое применение в системах заряда больших емкостных накопителей, в источниках питания мощных дуговых и плазменных установок, в лазерной технике и т. п. В работе даются рекомен... 
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик электронных ключей. На сегодня наиболее широкое распространение на рынке силовой электроники получили кремниевые MOSFET/IGBT-модули и PN-диоды. Основным препятствием на пути их дальнейшего совершенствования я... 
отправка...