Модификация PSpice-модели магнитного сердечника.

Предложена методика определения параметров PSpice-модели магнитного сердечника, позволяющая более точно определить эти параметры по справочным характеристикам. Предложены две модификации PSpice-модели для учета частотных свойств магнитных материалов с помощью постоянного и нелинейного сопротивлений. Дана методика определения параметров этих моделей.

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.

Семь раз — расчет, один раз — тест

В данной статье на примере решения тепловой задачи сравниваются плюсы и минусы двух инженерных подходов к проектированию — компьютерных расчетов и лабораторных испытаний.

Оптимизация качества источников питания, работающих с динамически меняющейся нагрузкой

Современные интегральные схемы (ИС) работают все быстрее и быстрее. Повышение скорости ведет к тому, что потребляемая мощность резко изменяется в большом динамическом диапазоне. Это порождает проблемы тестирования с применением программируемых источников питания (ИП). Высокая скорость изменения тока может приводить к провалам напряжения в цепи питания ИС. Если они достаточно чувствительны, то п...

Разработка установки ИНТ-400-1,0 для индукционного нагрева труб большого диаметра перед гибкой

В статье представлена история создания установки высокочастотного нагрева, предназначенной для индукционной гибки металлических труб большого диаметра, а также приведены ее технические данные. Кроме того, рассмотрены ее основные функциональные элементы. Материал предназначен для ознакомления специалистов силовой электроники и разработчиков с техническими характеристиками установки ПАРАЛЛЕЛЬ ИНТ...

Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью

С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики.

Новые возможности токовых шунтов, или хорошо забытое старое

Силовая электроника остается одним из самых динамично развивающихся секторов современной промышленности. Основными тенденциями в этой сфере являются повышение плотности мощности, эффективности преобразования, надежности, а также снижение массо-габаритных показателей. Требования могут меняться, и только одно из них остается постоянным и не зависящим от конкретного применения: это уменьшение цены...

Защита от кондуктивных помех с помощью фильтров EPCOS

Над проблемой ЭМС долгое время не задумывались, пока не были зарегистрированы массовые сбои в банковских системах при воздействии помех. Это и привело к появлению директивы 336ЕС 89, которая обязала страны Европейского сообщества ввести единые стандарты по электромагнитной совместимости и разработать систему сертификации. В результате с 1996 года в Европе не допускается продажа технических сред...

Прецизионные высоковольтные резисторы и резисторные сборки компании Caddock Electronics

Резисторы являются неотъемлемым элементом радиоэлектронных схем и применяются в электронной аппаратуре практически повсеместно. Компания Caddock Electronics (далее Caddock), основанная в 1962 г., специализируется исключительно на разработке и производстве резисторов различного назначения. В широкий спектр продукции этой фирмы входит множество отдельных семейств, технические характеристики котор...

Все, что надо знать про SOA

При выборе силового ключа для конкретного применения мы анализируем массу различных факторов, но очень редко задумываемся о таком важном показателе, как область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA). Во многом это связано с тем, что появление современных MOSFET- и IGBT-модулей, допускающих коммутацию при номинальных значениях токов и напряжений, несколько снизило актуальность SOA для обе...