Параметр dV/dt у IGBT

Параметр dV/dt относится к динамическим характеристикам. Большая скорость переключения IGBT (высокое значение dV/dt) приводит к возникновению тока в цепи затвора. При высокой скорости переключения этот ток будет протекать через емкость Миллера, расположенную между коллектором и затвором транзистора. Данный эффект способен вызвать ложное открывание IGBT, что, в случае с полумостовой или мостовой схемами включения, может вызвать отказ транзисторов из-за возникновения сквозного тока через верхний и нижний транзисторы плеча.

Оптимизация конструкции вибростойкого корпуса силового модуля

Силовые IGBT-модули, предназначенные для типовых общепромышленных применений, не могут без соответствующих изменений использоваться в сельскохозяйственной и строительной (CAV) технике, к которой предъявляют более высокие требования, в том числе по стойкости к вибрациям [1–3]. В статье описывается процесс моделирования, позволяющий разработать вибростойкую конструкцию силового модуля для CAV-при...

XV международная специализированная «Фотоника. Мир лазеров и оптики — 2020»

XV международная специализированная выставка лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики — 2020» проводится 31 марта — 3 апреля 2020 года в Москве, в ЦВК «Экспоцентр» (павильон «Форум»). Организаторы: АО «Экспоцентр» и Лазерная ассоциация. «Фотоника. Мир лазеров и оптики» — ведущий в России и Восточной Европе инновационный проект для достижений и возможностей современной лазерной, оптической и оптоэлектронной техники. В 2020 году выставка празднует 15-летний юбилей и пройдет в новом павильоне «Форум». Более 200 компаний примут участие в мероприятии. ...